GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝

GaAs晶圓作為常用的一類(lèi)晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類(lèi)晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要關(guān)注的點(diǎn)。

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓GaAs 1204 0

混合鍵合的基本原理和優(yōu)勢(shì)

混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無(wú)需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法...

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 2511 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線(xiàn)，頂層金屬互連線(xiàn)的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線(xiàn)，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 794 0

淺談芯片制造的完整流程

在科技日新月異的今天，芯片作為信息技術(shù)的核心部件，其制作工藝的復(fù)雜性和精密性令人嘆為觀(guān)止。從一粒普通的沙子到一顆蘊(yùn)含無(wú)數(shù)晶體管的高科技芯片，這一過(guò)程不僅...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 1638 0

先進(jìn)封裝技術(shù)的類(lèi)型簡(jiǎn)述

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝作為后摩爾時(shí)代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢(shì)，正日益受到廣泛關(guān)注。受益于AI、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子等下游強(qiáng)勁需求，半...

2024-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 1523 0

玻璃通孔技術(shù)的形成方法

3D IC的出現(xiàn)加速了對(duì)具有中介層功能的高密度I/O、低電損耗和低成本的需求。傳統(tǒng)的有機(jī)中介層由于尺寸穩(wěn)定性差、CTE不匹配和光刻限制而無(wú)法滿(mǎn)足此類(lèi)需求...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片晶圓3D封裝 659 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類(lèi)似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線(xiàn)，金屬互連線(xiàn)的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來(lái)。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 791 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類(lèi)似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 546 0

一片晶圓可以切出多少芯片

作為一名芯片工程師，經(jīng)常跟回來(lái)的wafer打交道，你知道一片成品的wafer具體有哪些部分組成嗎?

2024-10-23 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 2746 0

光刻工藝中分辨率增強(qiáng)技術(shù)詳解

分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過(guò)模擬計(jì)算確定最佳光...

2024-10-18 標(biāo)簽：晶圓分辨率光刻技術(shù) 1444 0

靜電吸盤(pán)的實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)

在刻蝕機(jī)中，如果晶圓不能在托盤(pán)上平整放置，則會(huì)造成刻蝕離子的轟擊產(chǎn)生角度，同時(shí)，刻蝕時(shí)晶圓的散熱情況也會(huì)嚴(yán)重影響刻蝕速率。為了解決這些問(wèn)題，工程師們開(kāi)發(fā)...

2024-10-18 標(biāo)簽：靜電晶圓電極 1499 0

深入探索晶圓缺陷：科學(xué)分類(lèi)與針對(duì)性解決方案

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓作為半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量對(duì)最終芯片的性能和可靠性至關(guān)重要。然而，在晶圓制造過(guò)程中，由于多種因素的影響，晶圓表面和內(nèi)...

2024-10-17 標(biāo)簽：芯片晶圓半導(dǎo)體制造 2989 0

半導(dǎo)體制造過(guò)程解析

在這篇文章中，我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過(guò)程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片，它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過(guò)程，包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線(xiàn)...

2024-10-16 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 1858 0

晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展，探索了扇出型封裝、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)封 裝等多種封裝工藝。晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)已被廣泛應(yīng)...

2024-10-16 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)封裝工藝 1943 0

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過(guò)去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶圓 1667 0

晶圓制造良率限制因素簡(jiǎn)述（1）

下圖列出了一個(gè)11步工藝，如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列，累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品，從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過(guò)將fab外的晶圓...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 1182 0

淺談?dòng)绊懢A分選良率的因素（1）

制造后，晶圓被送到晶圓分選測(cè)試儀。在測(cè)試期間，每個(gè)芯片都會(huì)進(jìn)行電氣測(cè)試，以檢查設(shè)備規(guī)范和功能。每個(gè)電路可能執(zhí)行數(shù)百個(gè)單獨(dú)的電氣測(cè)試。雖然這些測(cè)試測(cè)量設(shè)備...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 725 0