晶片

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晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時，晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

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晶片技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時晶片背面也會堆積膜。如果...

2022-03-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片 2k 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應(yīng)用研究

隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標(biāo)簽：晶圓檢測晶片 1.5k 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

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2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.6k 0

高頻聲能清洗半導(dǎo)體晶片的方法

我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方法。通過 SEM 和 XPS 分析對加工樣品的離子注入表面進行表征表...

2022-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造晶片 1.7k 0

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

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2022-03-08 標(biāo)簽：測試蝕刻晶片 2.5k 0

微氣泡對光刻膠層的影響

關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻晶片 2k 0

用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

引言在太陽能電池工業(yè)中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對昂貴，因此人們正在努力...

2022-01-05 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能半導(dǎo)體 1.5k 0

Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業(yè)清洗序列

摘要在本文中，我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業(yè)適用清洗順序，并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...

2021-12-31 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能晶圓 2.1k 0

異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

引言為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片...

2021-12-30 標(biāo)簽：晶圓晶片光譜 7k 0

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機械平坦化后二...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶片 2k 0

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞晶圓清洗電氣半導(dǎo)體引言半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 ...

2021-12-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體蝕刻 3.2k 0

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2021-12-28 標(biāo)簽：晶圓納米晶片 1.2k 0

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

引言研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕，并用D2400剪切測試儀測量界面...

2021-12-27 標(biāo)簽：聚合物晶片光子器件 2k 0

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2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 3D 晶片 3.1k 0

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2021-12-24 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體非晶硅 2.7k 0

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