SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效，但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于
2021-12-20 09:41:59
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和去除的作用。清潔溶液。加入檸檬酸后，由于檸檬酸鹽的吸附作用，二氧化硅和銅的ζ電位略有增加。檸檬酸被吸附在二氧化硅和銅表面，導(dǎo)致這些表面上有更多的負(fù)電荷。二氧化硅顆粒對(duì)銅的附著力隨著檸檬酸濃度的增加而降低，這是
2021-12-29 11:00:011082 
提供了一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開(kāi)始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對(duì)表面之間產(chǎn)生第一流體的彎液面。基板在接近頭下方線性移動(dòng)。還提供了單晶片清潔系統(tǒng)。
2022-03-22 14:11:041444 
RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成，是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-29 14:56:212249 
摘要 本研究開(kāi)發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過(guò)200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟
2022-04-27 16:55:521316 
中的顆粒去除效率。在大約0.05∶1∶5(0.05份nh4oh、1份H2O、5份H2O)的比率下，優(yōu)化了nh4oh-1-zO溶液中的nh4oh-1∶5的IH含量。在使用該比率的NHdOH-hzo tFt處理期間，通過(guò)表面微觀粗糙度測(cè)量的損傷沒(méi)有增加。 介紹 QT清洗技術(shù)將繼續(xù)在半導(dǎo)體器件的ULSI制造中
2022-06-01 14:57:576891 
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
大家好，我的主板上設(shè)計(jì)的是1.5V，之前焊接的也是1.5V的DDR顆粒，現(xiàn)在要是不動(dòng)主板直接把DDR顆粒換成1.35V的，可有什么潛在的問(wèn)題，這1.35V的DDR我看手冊(cè)也是支持DDR3L的，都是
2018-06-21 01:27:24
;>2012年阿姆斯特丹國(guó)際清潔與維護(hù)展覽會(huì)<br/>【展覽時(shí)間】： 2012年5月8-11日<br/>【展覽地點(diǎn)】：荷蘭阿姆斯特丹
2010-11-13 10:22:00
8gu盤(pán)閃存顆粒壞了 可以自己換16g或者更大的閃存顆粒嗎
2023-11-01 06:47:37
RCA-4 - RCA JACKS SINGLE & GANGED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
RCA-4-1-B - RCA JACKS SINGLE & GANGED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
RCA-5-2-R - RCA JACKS SINGLE & GANGED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
RCA-7 - RCA JACKS GANGED & STACKED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
RCA-7-2-W - RCA JACKS GANGED & STACKED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
RCA-9-4-R - RCA JACKS GANGED & STACKED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
RCA-9-4-Y - RCA JACKS GANGED & STACKED - Adam Technologies, Inc.
2022-11-04 17:22:44
清潔焊接頭不僅可以保持最佳效率，還可以延長(zhǎng)其使用壽命。只需按照以下三個(gè)步驟操作即可確保焊頭保持清潔。第一步：嘗試使用黃銅海綿或銅編織物，通過(guò)插入尖端并扭轉(zhuǎn)幾次來(lái)清除任何顆粒或氧化物。如果沒(méi)有清潔它
2018-10-30 14:23:23
關(guān)于清潔度的標(biāo)準(zhǔn)是什么？關(guān)于IPC清潔度有哪些要求？
2021-04-20 06:35:47
圖像處理的形態(tài)學(xué)是處理二值圖，下面程序首先對(duì)圖像進(jìn)行二值化處理，然后使用形態(tài)學(xué)函數(shù)的IMAQ RemoveParticle進(jìn)行圖像去除部分顆粒，端子Number of Erosion可以控制移除
2015-08-12 21:00:09
有時(shí)候，SH（SPM）后，會(huì)引入較多顆粒，一般在后面的FSI清洗中可以去除95%，但有的時(shí)候SH去膠后引入的顆粒，用FSI清洗無(wú)法去除，不知為何？有哪位同仁知道的請(qǐng)指點(diǎn)。
2011-04-14 10:44:26
有時(shí)候，SH（SPM）后，會(huì)引入較多顆粒，一般在后面的FSI清洗中可以去除95%，但有的時(shí)候SH去膠后引入的顆粒，用FSI清洗無(wú)法去除，不知為何？有哪位同仁知道的請(qǐng)指點(diǎn)。
2011-04-14 14:37:09
我想采購(gòu)intel的flash或者東芝的flash顆粒，誰(shuí)能告知相關(guān)的聯(lián)系啊！非常感謝
2017-02-24 11:46:51
我編了一個(gè)程序，事件循環(huán)結(jié)構(gòu)，沒(méi)有像labview風(fēng)格那樣用很多移位寄存器，代之以大量局部變量。請(qǐng)問(wèn)各位大師，用大量局部變量的做法會(huì)不會(huì)影響程序運(yùn)行效率？和移位寄存器相比，兩種方法各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？請(qǐng)從效率，可讀性，內(nèi)存空間復(fù)雜度等角度分析一下
2012-04-05 15:34:12
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來(lái)，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
清潔機(jī)器人是服務(wù)機(jī)器人的一種，所謂服務(wù)機(jī)器人是指自主或半自主的、從事非生產(chǎn)活動(dòng)、能完成有益于人類健康的服務(wù)工作的機(jī)器人。家庭清潔機(jī)器人集機(jī)械、電子、傳感器、計(jì)算機(jī)、控制、機(jī)器入技術(shù)、人工智能等諸多
2019-09-05 06:56:37
顆粒活性炭濾芯以優(yōu)質(zhì)的果殼炭及煤質(zhì)活性炭為原料，輔以食用級(jí)粘合劑，采用高科技技術(shù)，經(jīng)特殊工藝加工而成，它集吸附、過(guò)濾、截獲、催化作用于一體，能有效去除水中的有機(jī)物、余氯及其他放射性物質(zhì)，并有脫色
2015-04-30 14:26:45
我公司是國(guó)內(nèi)最大的內(nèi)存顆粒/FLASH芯片測(cè)試夾具生產(chǎn)廠家,專業(yè)生產(chǎn)各類內(nèi)存條顆粒,U盤(pán)FLASH芯片,LGA 測(cè)試座，TF卡等測(cè)試夾具,測(cè)試性能穩(wěn)定,效率高!是內(nèi)存條,TF卡,閃存,U盤(pán)商家其廠家最佳合作伙伴!可以訂制各種芯片的測(cè)試夾具!歡迎來(lái)廠參觀指導(dǎo)工作!
2011-03-18 13:45:58
回收東芝顆粒，大量收購(gòu)東芝顆粒，深圳帝歐電子長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)東芝顆粒，專業(yè)回收東芝顆粒，有貨來(lái)電，價(jià)格絕對(duì)讓您滿意！趙生：***QQ1816233102/879821252/1714434248郵箱
2020-11-03 16:25:13
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2020-12-16 17:31:39
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2021-01-11 18:16:12
HDMI 接口輸出，同之前的樹(shù)莓派1代B型一樣，只需要自己將 RCA 給 DIY 接上即可。首先你需要準(zhǔn)備：樹(shù)莓派 Zero 主板RCA 端子 1 個(gè)2Pin 排針 1 個(gè)母對(duì)母杜邦線2根按照?qǐng)D上所示
2020-05-24 07:00:00
協(xié)助生產(chǎn)和品質(zhì)部門提高工作效率和降低不良率。客戶案例某知名電纜生產(chǎn)商，內(nèi)部定的標(biāo)準(zhǔn)為＜100 RFU即為合格，利用析塔表面清潔度儀，測(cè)試鋁箔激光去除麥拉后，其清潔程度是否達(dá)到合格范圍。（RFU
2021-04-23 10:06:10
RCA-00-A pdf datasheet
2009-01-12 15:02:00
19 顆粒物過(guò)濾效率測(cè)試儀-細(xì)菌過(guò)濾效率測(cè)試儀細(xì)菌過(guò)濾效率測(cè)試儀一、適用標(biāo)準(zhǔn)：YY 0469-2011 醫(yī)用外科口罩4.6.1章節(jié)；附錄BYY/T 0969-2013一次性使用醫(yī)用口罩4.5章節(jié)。二、功能
2022-12-19 13:58:33
本儀器可以對(duì)油液顆粒度、清潔度和污染物監(jiān)測(cè)和分析；各類飛行器燃料油、航空潤(rùn)滑油、磷酸酯鹽類液壓油（腐蝕性）中不溶性微粒顆粒雜質(zhì)的檢測(cè)和評(píng)判，軍事保障設(shè)備及其日常維護(hù)和保養(yǎng)；戰(zhàn)備裝備部件中的磨損試驗(yàn)
2023-01-16 10:59:51
本儀器可以對(duì)油液顆粒度、清潔度和污染物監(jiān)測(cè)和分析；各類飛行器燃料油、航空潤(rùn)滑油、磷酸酯鹽類液壓油（腐蝕性）中不溶性微粒顆粒雜質(zhì)的檢測(cè)和評(píng)判，軍事保障設(shè)備及其日常維護(hù)和保養(yǎng)；戰(zhàn)備裝備部件中的磨損試驗(yàn)
2023-02-09 08:41:25
著名國(guó)外膽機(jī)RCA U-109電路鑒析:著名的美國(guó)無(wú)線電公司(Radio Corporation of America，簡(jiǎn)稱RCA公司)在20世紀(jì)初即開(kāi)始從事各種無(wú)線電和電器產(chǎn)品的研制與開(kāi)發(fā)。其中，RCA U-1 09古典型電子管
2009-12-02 14:53:030 PMT-2擦拭布液體顆粒計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清潔產(chǎn)品濕態(tài)發(fā)塵量、潔凈室
2023-06-08 15:56:10
GL-1000 口罩顆粒物過(guò)濾效率測(cè)試儀是用于檢測(cè)防護(hù)口罩的過(guò)濾性能，防護(hù)過(guò)濾效率，過(guò)濾效果的檢測(cè)裝置，目前針對(duì)于口罩主要是分為空氣過(guò)濾式口罩和供氣式口罩。本檢測(cè)儀器適用于醫(yī)療器械檢驗(yàn)中心、安全
2023-11-14 15:55:20
MU-K1030口罩、熔噴布顆粒物過(guò)濾效率測(cè)試儀MU-K1030口罩、熔噴布顆粒物過(guò)濾效率測(cè)試儀用于日常防護(hù)型口罩和呼吸器對(duì)顆粒物的過(guò)濾效率的測(cè)試。適用于醫(yī)療器械檢驗(yàn)中心、安全防護(hù)檢驗(yàn)中心、勞動(dòng)防護(hù)
2023-12-06 14:45:44
BNC對(duì)RCA轉(zhuǎn)接頭
型號(hào)：MODEL 8061
2008-01-22 14:20:452430 RCA U-109功放電路圖
2009-12-02 15:02:063307 
車載功放的RCA輸入輸出 RCA輸入輸出是車載功放最主要的音頻輸入和輸出接口，當(dāng)然還有其他接線柱等
2010-01-04 11:20:556382 RCA9202A數(shù)據(jù)手冊(cè)，感興趣的可以瞧一瞧。
2016-11-09 18:15:431 VGA連接RCA接口轉(zhuǎn)換器,VGA-RCA CONVERTER
關(guān)鍵字：VGA連接RCA接口轉(zhuǎn)換器
VGA連接RCA接口轉(zhuǎn)換器
常常碰到
2018-09-20 19:19:221661 去除三防漆的方法有很多種，可以使用甲醇與堿性活化劑溶液或乙二醇醚與堿性活化劑溶液，也可以用甲苯二甲苯；但是有效的方法是要針對(duì)不同的三防漆而采用專用的溶劑來(lái)清除，現(xiàn)在很多既環(huán)保，清潔力又強(qiáng)的清洗劑，完全可以替代之前那些傳統(tǒng)清洗劑。
2019-05-14 16:13:5514665 基于Sihid COFDM調(diào)制技術(shù)與RCB和RC900 COFDM發(fā)射模塊的大量應(yīng)用工程實(shí)踐，矽海達(dá)公司進(jìn)一步優(yōu)化COFDM調(diào)制算法，推出RF發(fā)射性能更好的RCA COFDM調(diào)制模 。RCA模塊與RCB模塊結(jié)構(gòu)、尺寸、外觀完全兼容一致，更適合遠(yuǎn)距離無(wú)線視頻傳輸應(yīng)用。
2019-11-21 15:09:451831 
海爾TAB掃地機(jī)器人超強(qiáng)力3200Pa吸力，足以將鋼球提起，輕松將硬木地板上的污垢提起，深層清潔地毯，去除毛發(fā)，去除塵螨。
2020-05-14 17:47:44945 
電子制造商一直將清潔視為必不可少的過(guò)程。他們清潔產(chǎn)品的主要目的是去除可能有害的污染物，主要包括焊錫，助焊劑和粘合劑殘留物。清潔還可以去除其他更一般性質(zhì)的污染物，例如其他制造過(guò)程中留下的碎屑和灰塵
2020-09-26 18:55:512337 先放到酒精中清洗，去除氣泡，測(cè)量結(jié)果會(huì)更準(zhǔn)確! 為什么在塑料顆粒在測(cè)量前要清洗呢? 因?yàn)椴煌乃芰?b class="flag-6" style="color: red">顆粒的橫切面光滑度不同，切面不平整，毛邊較大，切面有孔隙等，導(dǎo)致在水中產(chǎn)生不同程度的氣泡。氣泡會(huì)導(dǎo)致浮力超過(guò)理論值、
2021-10-18 15:20:01596 它們已經(jīng)成為當(dāng)今晶片清潔應(yīng)用的主要工具之一。 本文重點(diǎn)研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)理并研究了從氮化物基質(zhì)中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后，檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30449 
摘要 本研究開(kāi)發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過(guò)200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟
2022-01-26 16:02:02321 
為了滿足更嚴(yán)格的晶圓清潔度要求、新出現(xiàn)的環(huán)境問(wèn)題和更嚴(yán)格的成本效益標(biāo)準(zhǔn)，晶圓清潔技術(shù)正慢慢遠(yuǎn)離傳統(tǒng)的基于RCA的工藝。本文比較了在同一個(gè)濕式臺(tái)架上進(jìn)行的不同先進(jìn)預(yù)澆口清洗工藝的清洗效率。稀釋RCA
2022-02-10 16:17:55301 
的比率可以減少到標(biāo)準(zhǔn)比率的1/10，同時(shí)保持高的去除效率。通過(guò)降低NH，OH含量，將減少在NH < OH-H T3處理期間出現(xiàn)所謂霧度的晶片損傷。為了建立一個(gè)無(wú)顆粒的干燥系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)了顆粒生成異丙醇蒸汽干燥系統(tǒng)。通過(guò)從干燥系統(tǒng)中消除所有可能的顆粒產(chǎn)生源，ultrsclesn晶圓干燥設(shè)備得以實(shí)現(xiàn)。
2022-02-11 14:51:13380 
納米。另一方面，在2008年發(fā)表的報(bào)告中，對(duì)于32納米高壓線和空間圖案，EUV掩模上吸收體缺陷的臨界缺陷尺寸被描述為大約24納米，這意味著必須去除具有相同尺寸的顆粒。在如此嚴(yán)格的缺陷要求下，清潔
2022-02-17 14:59:271349 
研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效，但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于
2022-02-23 13:26:322010 
摘要 已經(jīng)為光刻前背面清洗工藝開(kāi)發(fā)了具有全覆蓋背面兆聲波的單晶片清洗系統(tǒng)。背面顆粒去除效率 (PRE)僅使用 DIW 即可在 ≥65nm 處實(shí)現(xiàn)大于 95% 的 Si3N4 顆粒，這表明使用全覆蓋
2022-03-03 14:17:11664 
的方法。使用氣體沉積方法將直徑為幾納米到幾百納米的超細(xì)金屬顆粒沉積在硅表面。研究了使用各種清潔溶液去除超細(xì)顆粒的效率。APM（NH4OH~H2O2-H2O）清洗可以去除150nm的Au顆粒，但不能去除直徑小于幾十納米的超細(xì)Au顆粒。此外，當(dāng)執(zhí)行 DHF-H2O2 清洗
2022-03-03 14:17:36376 
本文介紹了用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)。納米粒子首先通過(guò)可控污染工藝沉積在硅晶片上。對(duì)于新沉積和老化的顆粒，研究了作為兆頻超聲波功率的函數(shù)的顆粒去除效率。通過(guò)改變處理?xiàng)l件和漂洗
2022-03-07 15:26:56541 
應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見(jiàn)的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥，但從減少顆粒和防止水痕的角度來(lái)看，這都是無(wú)效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺(tái)。
2022-03-15 11:27:481023 
在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個(gè)過(guò)程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460 
為了滿足更嚴(yán)格的晶圓清潔度要求、新出現(xiàn)的環(huán)境問(wèn)題和更嚴(yán)格的成本效益標(biāo)準(zhǔn)，晶圓清潔技術(shù)正慢慢遠(yuǎn)離傳統(tǒng)的基于RCA的工藝。本文比較了在同一個(gè)濕式臺(tái)架上進(jìn)行的不同先進(jìn)預(yù)澆口清洗工藝的清洗效率。稀釋RCA
2022-03-17 15:42:231340 隨著LSI的精細(xì)化，晶片的清洗技術(shù)越來(lái)越重要。晶片清洗技術(shù)的一個(gè)重要特性是如何在整個(gè)過(guò)程中去除刨花板或重金屬，以及在這個(gè)清洗過(guò)程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的發(fā)生。作為晶片的清洗技術(shù)，目前也在使用水槽式清洗，用于清洗的藥品從鐘來(lái)看，RCA清洗是主流。
2022-03-18 14:11:12348 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的每個(gè)過(guò)程之前和之后執(zhí)行的清潔過(guò)程是最重要的過(guò)程之一，約占總過(guò)程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對(duì)于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會(huì)在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如
2022-03-22 13:30:211161 本研究在實(shí)際單位工藝中容易誤染，用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質(zhì)，為了提高效率，只進(jìn)行了HF濕式清洗，考察了對(duì)表面粗糙度的影響，為了知道上面提出的清洗的效果，測(cè)量了金屬雜質(zhì)的去除
2022-03-24 17:10:271760 
RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成，是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-25 17:01:252376 
介紹 RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成，是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-25 17:02:502376 
對(duì)于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造，完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分（APM、氨和過(guò)氧化氫混合物）發(fā)揮主要作用。不幸的是，SC-1 (APM) 對(duì)表
2022-03-30 14:29:42311 
處理納米級(jí)顆粒污染仍然是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的主要挑戰(zhàn)之一。對(duì)于越來(lái)越多的關(guān)鍵處理步驟而言尤其如此，在這些步驟中，需要去除顆粒物質(zhì)的殘留物而不會(huì)對(duì)敏感器件圖案造成機(jī)械損壞，同時(shí)實(shí)現(xiàn)盡可能低的基板損失
2022-03-31 14:59:40303 
為了成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染，有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機(jī)理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒（0.1-0.5mm）沉積
2022-04-06 16:53:501046 
過(guò)程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過(guò)程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過(guò)程，甚至來(lái)自圖案晶片，具有相同理論能力但實(shí)際上受到粒子可及性的限制，最后是無(wú)法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過(guò)計(jì)算施加給細(xì)顆粒的
2022-04-08 17:22:531231 
光刻膠去除率。但顆粒去除效率(PRE)非常低，達(dá)到PRE的75%。這是因?yàn)閭鹘y(tǒng)DiO3濕清洗系統(tǒng)中DiO3濃度低、pH值低。
2022-04-11 14:03:281672 
能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過(guò)程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過(guò)程，甚至來(lái)自圖案晶片，具有相同理論能力但實(shí)際上受到粒子可及性的限制，最后是無(wú)法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520 
通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26356 
引言 半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在每個(gè)過(guò)程前后實(shí)施的清洗過(guò)程約占整個(gè)過(guò)程的30%，是重要的過(guò)程之一。特別是以RCA清潔為基礎(chǔ)的濕式清潔工藝，除了化學(xué)液的過(guò)度使用、設(shè)備的巨大化、廢水造成的環(huán)境污染等問(wèn)題外
2022-04-13 16:47:471239 
RCA清洗技術(shù)是用于清洗硅晶圓等的技術(shù)，由于其高可靠性，30多年來(lái)一直被用于半導(dǎo)體和平板顯示器(FPD)領(lǐng)域的清洗。其基礎(chǔ)是以除去顆粒為目的的氨水-過(guò)氧化氫溶液組成的SC―1洗滌和以除去金屬雜質(zhì)
2022-04-21 12:26:571552 
的結(jié)果，顯示顆粒去除效率的晶片，清潔性能的順序是水> NMP > EGEE > THFA，在晶片中心觀察到較高的清洗效率，這主要是由于實(shí)驗(yàn)部分中描述的工藝配方幾何因素，根據(jù)這些幾何因素，可以計(jì)算出局部噴霧暴露時(shí)間，作為徑向位置的函數(shù)，R(方程式1)。
2022-05-07 13:46:48548 
晶圓級(jí)封裝中現(xiàn)有的和發(fā)展中的需求，去除厚的交聯(lián)膜，如光刻膠和助焊劑，同時(shí)保持焊料凸點(diǎn)、暴露金屬和電介質(zhì)的預(yù)清潔完整性。
2022-05-07 15:11:11621 
化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸。考慮了直徑
2022-05-07 15:48:381575 
，相反氫氧化銨會(huì)慢慢腐蝕這種化學(xué)生長(zhǎng)的氧化物，這兩個(gè)過(guò)程的結(jié)果是化學(xué)氧化層將不斷產(chǎn)生和去除。因此顆粒通過(guò)這種蝕刻和底切作用被去除，顆粒去除效率可以通過(guò)增加二氧化硅的蝕刻速率來(lái)增加。
2022-05-18 17:12:59575 
引言 我們?nèi)A林科納已經(jīng)研究了RCA清洗順序的幾種變化對(duì)薄柵氧化物(200-250A)的氧化物電荷和界面陷阱密度的影響。表面電荷分析(SCA) xvil1用于評(píng)估氧化物生長(zhǎng)后立即產(chǎn)生的電荷和陷阱。然后
2022-06-20 16:11:27688 
半導(dǎo)體器件制造中涉及的一個(gè)步驟是在進(jìn)一步的處理步驟，例如，在形成柵極氧化物之前。進(jìn)行這種清洗是為了去除顆粒污染物、有機(jī)物和/或金屬以及任何天然氧化物，這兩者都會(huì)干擾后續(xù)處理。特別是清潔不充分是對(duì)柵極
2022-06-21 17:07:391229 
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過(guò)程中，； BS顆粒會(huì)導(dǎo)致頂側(cè)表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導(dǎo)致焦點(diǎn)故障
2022-06-27 18:54:41796 
用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來(lái)，與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展，并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491 
集成設(shè)備制造的縮小圖案要求濕化學(xué)加工的表面清潔度和表面光滑度，特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA清潔（SC-1和SC-2）。本文討論了表面制備參數(shù)的特性和影響。
2023-05-06 14:25:04407 
由于成本優(yōu)化工藝是光伏行業(yè)的主要目標(biāo)，簡(jiǎn)單的、具有內(nèi)聯(lián)能力的清潔可以替代成本和時(shí)間密集型的濕化學(xué)清潔方法，如來(lái)自微電子應(yīng)用的RCA清潔。
2023-05-06 11:06:40501 
晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學(xué)雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。晶圓表面必須保持不受影響，這樣粗糙、腐蝕或點(diǎn)蝕會(huì)抵消晶圓清潔過(guò)程的結(jié)果
2023-05-11 22:03:03785 中特計(jì)量檢測(cè)研究院的顆粒管控業(yè)務(wù)群為中國(guó)航天事業(yè)添磚加瓦，顆粒管控業(yè)務(wù)群技術(shù)及產(chǎn)品遍布航天飛行器的各個(gè)研制單位，代表其新技術(shù)、新產(chǎn)品的工業(yè)4.0清潔管控系統(tǒng)，可以對(duì)各類液體的顆粒度、清潔度、污染物進(jìn)行管理、控制、監(jiān)測(cè)和分析；
2022-07-29 10:20:25424 
是粒子粒徑的大小和數(shù)量的多少。從這一點(diǎn)來(lái)看，顆粒計(jì)數(shù)器在液體清潔度判定里更占優(yōu)勢(shì)，通過(guò)粒子的大小和數(shù)量的多少參照標(biāo)準(zhǔn)來(lái)判定液樣的清潔程度，從而給產(chǎn)線提供符合標(biāo)準(zhǔn)的
2023-01-03 15:45:37432 
普洛帝PMT--2擦拭材料液體顆粒計(jì)數(shù)器.?采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清潔產(chǎn)品濕態(tài)發(fā)塵量、潔凈室棉簽
2023-06-09 11:12:57227 
高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過(guò)程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)
2023-11-01 17:05:58135 
半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來(lái)制造我們需要的電子元件。其中一個(gè)過(guò)程是晶圓清洗，這個(gè)是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過(guò)程，否則可能會(huì)損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)污染物，是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14236
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