本文報道了硅通孔三維互連技術(shù)的核心工藝以及基于TSV形成的眾多先進封裝集成技術(shù)。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大技術(shù)路線。TSV 硅刻蝕、TSV 側(cè)壁
2024-11-01 11:08:07
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3D集成電路被定義為一種系統(tǒng)級集成結(jié)構(gòu)電路，在這一結(jié)構(gòu)中，多層平面器件被堆疊起來，并經(jīng)由穿透硅通孔(TSV)在Z方向連接起來。
2011-12-15 14:47:555576 
對于以IC為中心的方法，Celsius Thermal Solver 不僅解決了顯而易見的問題，還解決了 3D IC、裸片到裸片鍵合和硅通孔 （TSV） 問題，在裸片上提供了溫度和功率圖，并同時考慮了所有這些的復(fù)雜性。
2020-11-10 16:33:302845 華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各種工藝流程(先通孔、中間通孔和最后通孔
2022-07-19 14:51:421227 
這篇文章簡要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)，包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle工藝、后端工藝 (BEOL) 和背面工藝。
2023-08-02 10:59:518085 
硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)，是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:1323017 
以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。
2024-02-25 16:51:102811 
3D-IC通過采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術(shù)，實現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計顯著提升了系統(tǒng)集成度，同時有效地縮短了互連線的長度。這樣的改進不僅降低了信號傳輸?shù)难訒r，還減少了功耗，從而全面提升了系統(tǒng)的整體性能。
2025-02-21 15:57:022460 
硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來實現(xiàn)芯片間垂直互連的先進封裝技術(shù)。
2025-10-13 10:41:463147 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）TSV（Through Silicon Via）即硅通孔技術(shù)，是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)，是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵
2025-04-14 01:15:002555 硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方案，TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢在于顯著縮短互連路徑（較引線鍵合縮短 60%~90%）與提升互連密度
2025-10-14 08:30:006445 
利用兩個月的休息時間，整理了最全的集成庫（原理，封裝，3D）,與大家進行分享，并且持續(xù)更新。
2018-08-05 20:20:04
多體設(shè)計是浩辰3D制圖軟件所提供的一項極為高效的設(shè)計創(chuàng)新方法。在多體建模過程中，設(shè)計工程師可以依據(jù)相同的規(guī)則集，在同一建模文件中，使用多個3D實體模型來進行創(chuàng)新設(shè)計。通過浩辰3D制圖軟件多體
2021-02-04 17:18:05
請問3D打印一體成型結(jié)構(gòu)復(fù)雜的鐵硅磁體技術(shù)應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
浩辰3D作為由浩辰CAD公司研發(fā)的高端3D設(shè)計軟件，能夠提供更完備的2D+3D一體化解決方案，基于人們的實際應(yīng)用需求，幫助設(shè)計師更智能高效地進行創(chuàng)新設(shè)計，以高精確、強交互的設(shè)計數(shù)據(jù)來銜接工藝制造等
2021-06-04 14:11:29
硅通孔（TSV）電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應(yīng)用中的一個有吸引力的熱點。本文介紹了通過優(yōu)化濺射和電鍍條件對完全填充TSV的改進。特別注意具有不同種子層結(jié)構(gòu)的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
一種標(biāo)定陀螺儀的新方法
2016-08-17 12:17:25
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機化學(xué)汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
以創(chuàng)新方法處理語音 作者：Brett Butler，德州儀器寬帶線纜部門總經(jīng)理隨著美國 MSO 不斷擴展其產(chǎn)品系列，為越來越多的客戶提供語音服務(wù)，線纜迎來了激動人心的時刻。盡管向市場推出上述服務(wù)似乎
2009-09-25 10:46:12
使用PIM分析儀測試連接器互調(diào)的新方法是什么？
2021-05-10 06:59:33
速度快百分之三十一左右，而采用新方法SRAM單元所需的寫入電壓比采用傳統(tǒng)方法的SRAM存儲單元要低340毫伏，這意味著更低的功率損耗。 未來幾代芯片，如使用未來3納米節(jié)點工藝制造的芯片，將需要更寬
2020-05-11 15:40:48
本文提出了在P1口的部分口線上實現(xiàn)2X8陣列的中斷方式鍵盤輸入和脫機硬件動態(tài)顯示的新方法。
2021-06-07 06:15:58
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
單片機與PC機雙向并行通信新方法研究
2012-08-17 23:11:23
如何使用MangaGAN新方法生成久保帶人Style的漫畫形象？
2021-09-27 06:00:53
停止windows的自動更新方法：1、點擊桌面左下的“開始”按鈕。2、點擊“設(shè)置”3、點擊“控制面板”4、在控制面板當(dāng)中點擊“自動更新”5、選擇“關(guān)閉自動更新”6、點擊“確定”
2008-10-16 10:30:21
Cobalt系統(tǒng)同步推出的另一項創(chuàng)新技術(shù)，則是應(yīng)用材料公司針對3D芯片垂直集成技術(shù)中出現(xiàn)的硅通孔(TSV)、再分布層(RDL)和凸塊等應(yīng)用推出的Endura Ventura PVD系統(tǒng)。應(yīng)用材料公司表示
2014-07-12 17:17:04
附件免費獲取完整資料~~~
*附件：無刷直流電機反電勢過零檢測新方法.pdf
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2025-06-26 13:50:59
求大佬分享按鍵掃描的新方法
2022-01-17 06:50:00
測電阻，新方法，不加激勵的辦法有沒有。
2015-03-26 10:44:14
，設(shè)計工程師可以結(jié)合打印設(shè)備的具體參數(shù)，更加精確地進行3D打印數(shù)據(jù)的預(yù)處理，填充空隙、快速驗證設(shè)計可行性以及修正設(shè)計參數(shù)等，從而增強3D打印的可行性和精確性，大幅度優(yōu)化3D打印效果，提高工作效率，拓展企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)能力。
2021-05-27 19:05:15
本帖最后由 鼓山 于 2013-7-4 14:31 編輯
俺在網(wǎng)上找到的基于Proteus 8.0開發(fā)LM3S ARM Cortex的新方法給碼農(nóng)們分享！
2013-07-04 14:00:47
運用于matlab中的矩陣求逆的新方法有哪些啊或者考慮矩陣的特殊性質(zhì)，比如稀疏、對稱性，有哪些求逆的新方法可以運用?。壳笾?！
2013-01-21 17:10:33
本文提出了一種求解非線性約束優(yōu)化的全局最優(yōu)的新方法—它是基于利用非線性互補函數(shù)和不斷增加新的約束來重復(fù)解庫恩-塔克條件的非線性方程組的新方法。因為庫恩-塔克條
2009-08-11 10:53:17
16 3D-IC設(shè)計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設(shè)計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對其的預(yù)測。
2011-01-14 16:10:402333 
優(yōu)化太陽能系統(tǒng)效率和可靠性的一種較新方法是使用連接至每個單獨太陽能板的微型逆變器,電源逆變器是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中關(guān)鍵的電子組件
2011-02-12 10:41:191423 單片型3D技術(shù)實現(xiàn)的關(guān)鍵在于如何將各層功能單元轉(zhuǎn)換到單片3D堆疊結(jié)構(gòu)之中去，其采用的方法非常類似于Soitec在制作SOI晶圓時所采用的SMARTCUT技術(shù)
2011-05-04 11:27:212198 
重點討論了垂直互連的硅通孔(TSV)互連工藝的關(guān)鍵技術(shù)及其加工設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)．提出了工藝和設(shè)備開發(fā)商的應(yīng)對措施并探討了3DTSV封裝技術(shù)的應(yīng)用前景。
2011-12-07 10:59:2389 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52153 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?
2012-03-15 09:39:401776 縮短型3D角反射器天線.
2012-04-25 15:03:3958 S曲線加減速速度控制新方法，又需要的下來看看
2016-05-04 14:37:0116 S曲線加減速控制新方法的研究，又需要的下來看看
2016-05-04 14:37:0120 的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。
2016-10-12 18:30:2718197 
基于GA優(yōu)化T_S模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的小電流接地故障選線新方法_王磊
2016-12-31 14:45:090 機場場面監(jiān)視雷達(dá)目標(biāo)檢測新方法_陳建軍
2017-01-07 16:06:320 一種求解動態(tài)及不確定性優(yōu)化問題的新方法_劉曉
2017-01-07 18:56:130 硅通孔TSV發(fā)生開路故障和泄漏故障會降低三維集成電路的可靠性和良率，因此對綁定前的TSV測試尤為重要?，F(xiàn)有CAFWAS測試方法對泄漏故障的測試優(yōu)于其他方法（環(huán)形振蕩器等），缺點是該方法不能測試
2017-11-22 10:56:2917 普通復(fù)印機和3D打印機的主要區(qū)別是，一個輸出二維的紙張，一個輸出三維的水杯。 具體怎么一個原理工作的，又有很多東西可以展開來講。有研究員開發(fā)了一種創(chuàng)建三維網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的新方法，它是在最大程度上可以取代標(biāo)準(zhǔn)的3D打印機的3D格子折疊技術(shù)。
2017-12-14 11:30:062117 研究團隊，開發(fā)出用化學(xué)數(shù)碼代碼和3D打印機制造藥物的新方法，該團隊認(rèn)為，這種新方法將重新定義便攜式工廠模式。
2018-02-07 13:11:33968 AD采集的新方法
2018-03-23 09:44:2510 的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化?；?b class="flag-6" style="color: red">TSV技術(shù)的3D封裝主要有以下幾個方面優(yōu)勢：
2018-08-14 15:39:1092829 被稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的3D封裝方法采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 （TSV）技術(shù)，實現(xiàn)了多芯片可編程平臺。
2019-01-03 13:20:593796 研究人員開發(fā)了一種實現(xiàn)多色全息的新方法，并可用于為AR眼鏡和平視顯示器制作3D顏色顯示器，并且?guī)椭鋽[脫笨重的光學(xué)元件。
2019-01-29 10:09:101329 對于目前的高端市場，市場上最流行的2.5D和3D集成技術(shù)為3D堆疊存儲TSV，以及異構(gòu)堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技術(shù)已經(jīng)廣泛用于高性能計算
2019-02-15 10:42:198043 
然而，提供3D深度訊息的新型傳感器，如3D飛時(TOF)鏡頭、3D光達(dá)和立體視覺鏡頭，可更準(zhǔn)確地檢測和定位對區(qū)域的入侵。若守衛(wèi)機器人的3D系統(tǒng)在幾公尺之外檢測到人的腿，它將允許機器人繼續(xù)操作，直到對方實際伸出其手臂朝向機器人為止。
2019-04-19 15:02:144380 一種制造器官芯片裝置的新方法將具有成本效益的紙基材料和3D打印幾何控制相結(jié)合。
2019-05-12 11:54:124872 IMEC提出了一種扇形晶圓級封裝的新方法，可滿足更高密度，更高帶寬的芯片到芯片連接的需求。 IMEC的高級研發(fā)工程師Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系統(tǒng)集成計劃的項目總監(jiān)Eric Beyne介紹了該技術(shù)，討論了主要的挑戰(zhàn)和價值，并列出了潛在的應(yīng)用。
2019-08-16 07:36:004809 
從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機會。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器
2020-01-16 09:53:001550 提供了一種準(zhǔn)確，經(jīng)濟高效且高度集成的方式來對建筑，改造和修復(fù)項目進行虛擬建模。本文仔細(xì)研究了激光掃描技術(shù)，如何在建筑項目中實施激光掃描技術(shù)，以及與這種創(chuàng)新方法相關(guān)的成本和收益。 情境化3D激光掃描 激光掃描技術(shù)是建筑信息建模的
2020-04-10 11:08:191940 從最初為圖像傳感器設(shè)計的硅2.5D集成技術(shù)，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片（SoC）之外的另一種支持各種類型的應(yīng)用的解決方案，可用于創(chuàng)建性價比更高的系統(tǒng)。
2020-04-10 17:38:493497 
哥倫比亞大學(xué)研究人員的一項令人興奮的突破性研究展示了使用3D打印模具培養(yǎng)人類毛囊的新方法。
2020-05-07 17:18:503413 哈佛大學(xué)的研究人員發(fā)明了一種3D打印人體組織的新方法，有朝一日，這種方法可能會產(chǎn)生3D打印的人造人體器官。
2020-05-09 16:14:372750 與傳統(tǒng)的大面積SoC相比，3D IC具有許多優(yōu)勢，其中大部分是由于縮短了互連。與2D SoC中的長線相反，功能塊彼此堆疊并通過TSV連接，因此3D IC能夠顯著縮短互連長度。
2020-09-14 16:52:222925 盛美半導(dǎo)體設(shè)備（NASDAQ:ACMR），作為半導(dǎo)體制造與先進晶圓級封裝領(lǐng)域中領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商，近日發(fā)布了應(yīng)用于填充3D硅通孔（TSV）的硅通孔電鍍設(shè)備Ultra ECP 3d。借助盛美半導(dǎo)體電鍍設(shè)備的平臺，該設(shè)備可為高深寬比（H.A.R）銅應(yīng)用提供高性能、無孔洞的鍍銅功能。
2020-11-26 11:30:454171 無論名稱如何，從字節(jié)到東西直接制造的新方法從根本上改變了制作對象的內(nèi)容、地點、方式和時間。那么，“增材制造”和“3D打印”這兩個術(shù)語在描述新的制作方式方面有何作用？
2021-05-26 16:29:1914290 Cadence 在 AWS 上加速 Clarity 3D Solver 仿真的創(chuàng)新方法，使客戶可以利用高性能的云平臺資源，加快設(shè)計的迭代時間。
2021-08-09 16:05:137583 LTE深度覆蓋創(chuàng)新方法(推薦)簡介說明。
2021-06-01 09:50:176 異構(gòu)集成基礎(chǔ)：基于工業(yè)的2.5D/3D尋徑和協(xié)同設(shè)計方法
2021-07-05 10:13:3612 并聯(lián)APF直流側(cè)電壓選擇新方法(肇慶理士電源技術(shù))-并聯(lián)APF直流側(cè)電壓選擇新方法? ? ? ? ? ? ??
2021-09-17 16:47:446 直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現(xiàn)3DIC對下一代器件的優(yōu)勢，TSV縮放至關(guān)重要。
2022-04-12 15:32:461788 
2.5D/3D 芯片包含 Interposer/ 硅穿孔 （Through Silicon Via, TSV） 等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，通過多物理場
仿真可以提前對 2.5D/3D 芯片的設(shè)計進行信號完整性
2022-05-06 15:20:4219 硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù)，它正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。在2.5D/3D IC中TSV被大規(guī)模應(yīng)用于
2022-05-31 15:24:393876 安森美電感式位置感測新方法加快上市時間
2022-12-21 17:34:511534 硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進封裝的一種工藝方式，是實現(xiàn)千級IO芯片高密度組裝的有效途徑，近年來在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得到快速應(yīng)用。
2023-06-16 16:11:331614 
本文要點：3D集成電路需要一種方法來連接封裝中垂直堆疊的多個裸片由此，與制造工藝相匹配的硅通孔（Through-SiliconVias，TSV）設(shè)計應(yīng)運而生硅通孔設(shè)計有助于實現(xiàn)更先進的封裝能力，可以
2022-11-17 17:58:042260 
編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:345432 
對于以生產(chǎn)為主的制造企業(yè)來說，生產(chǎn)流程的效率和交付時間是非常關(guān)鍵的變量。使用傳統(tǒng)制造工藝生產(chǎn)零件和原型可能需要數(shù)周甚至數(shù)月的時間，容易導(dǎo)致流程滯后、成本上升、交付不及時等問題。然而，隨著增材制造技術(shù)的出現(xiàn)，制造業(yè)企業(yè)可以通過引進3D打印技術(shù)有效優(yōu)化生產(chǎn)流程，縮短交付時間。
2023-07-28 16:21:50746 
硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔，然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前，銅基TSV是最具成本效益的大規(guī)模生產(chǎn)TSV。一旦過孔
2023-08-30 17:19:111234 
先進封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進展
2023-09-06 11:16:422280 
瓜分全部的市場份額，在新應(yīng)用催化下，也為后端封測廠和TSV設(shè)備公司帶來了市場機會。 硅通孔 /? TSV(Through-Silicon Via) 硅通孔TSV是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律演進的互連
2023-11-09 13:41:217320 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《VLSI系統(tǒng)設(shè)計的最新方法.pdf》資料免費下載
2023-11-20 11:10:370 3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計與制造
2023-11-30 15:27:282237 
應(yīng)對傳統(tǒng)摩爾定律微縮挑戰(zhàn)需要芯片布線和集成的新方法
2023-12-05 15:32:501093 
IC封裝中快速創(chuàng)建結(jié)構(gòu)的新方法
2023-12-06 16:34:031167 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:571742 美國賓夕法尼亞州立大學(xué)的研究人員展示了一種使用2D材料進行3D集成的新穎方法。
2024-01-13 11:37:281875 的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對易于實現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:001957 
今天上午，計算機視覺領(lǐng)域頂會CVPR公布了最終的論文接收結(jié)果，Nullmax感知部門的3D目標(biāo)檢測研究《Enhancing 3D Object Detection with 2D Detection-Guided Query Anchors》入選CVPR 2024，技術(shù)實力再獲權(quán)威認(rèn)可。
2024-02-27 16:38:121895 
上圖是TSV工藝的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工藝。
2024-04-17 09:37:564129 
本文介紹了一種利用全息技術(shù)在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。 研究人員提出了一種在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。傳統(tǒng)上，晶圓上的微結(jié)構(gòu)加工，僅限于通過光刻技術(shù)在晶圓表面加工納米結(jié)構(gòu)。 然而，除了晶
2024-11-18 11:45:481189 注入導(dǎo)電物質(zhì)，將相同類別芯片或不同類別的芯片進行互連，達(dá)到芯片級集成的先進封裝技術(shù)。 TSV技術(shù)中的這個通道中主要是通過銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連，減小信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信，增加帶寬和實現(xiàn)器件集成的小型化需求
2024-12-17 14:17:513345 
在半導(dǎo)體三維集成（3D IC）技術(shù)中，硅通孔（TSV）是實現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心，但受深寬比限制，傳統(tǒng)厚硅片（700-800μm）難以制造直徑更?。?-20μm）的TSV，導(dǎo)致芯片面積占比過高，且多層堆疊后總厚度可能達(dá)毫米級，與智能手機等應(yīng)用對芯片厚度的嚴(yán)苛限制（通常＜1mm）沖突。
2025-07-29 16:48:591367 
技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔（ThroughSiliconVia），指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術(shù)，芯片通常通過MicroBump
2025-10-11 16:39:24746 
3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:321553 
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