溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)概述

引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。...

2022-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.7k 0

蒸汽相氟化氫對(duì)晶片清洗和氧化物刻蝕的表征

半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)和工藝控制的不斷進(jìn)步，加上制造亞微米尺寸器件對(duì)襯底清潔度提出的更嚴(yán)格要求，重新引起了人們對(duì)汽相HF氧化物蝕刻技術(shù)的興趣，在文中描述了一種系...

2022-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.3k 0

晶圓尺寸從300毫米過(guò)渡到450毫米的技術(shù)挑戰(zhàn)

隨著技術(shù)復(fù)雜性在亞20nm節(jié)點(diǎn)上的加速，半導(dǎo)體制造成本已經(jīng)快速增加，晶圓尺寸從300毫米過(guò)渡到450毫米將是解決這一問(wèn)題的方法之一，平均而言，采用300...

2022-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.8k 0

SAPS兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝

本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體將空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝，SAPS技術(shù)通過(guò)在兆頻超聲波裝置和晶片之間的間隙中...

2022-05-26 標(biāo)簽：晶片TSV清洗工藝 1.3k 0

晶片表面沉積氮化硅顆粒的沉積技術(shù)

評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過(guò)所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)...

2022-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片清洗 2k 0

精確確定晶片結(jié)晶方向的不同技術(shù)方法

在濕法體微機(jī)械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開(kāi)口的延長(zhǎng)蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺...

2022-05-24 標(biāo)簽：蝕刻晶片微機(jī)械 1.2k 0

開(kāi)發(fā)一種低成本的臭氧去離子水清洗工藝

摘要 本研究開(kāi)發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過(guò)200...

2022-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.5k 0

通過(guò)兩步濕化學(xué)表面清洗來(lái)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的工藝

摘要 本文展示了一種通過(guò)兩步濕化學(xué)表面清洗來(lái)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的簡(jiǎn)易結(jié)合工藝。在200℃后退火后，獲得沒(méi)有缺陷或微裂紋的強(qiáng)結(jié)合界面。在詳細(xì)的表面和結(jié)合...

2022-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.9k 0

半導(dǎo)體濕法中臭氧溶液去除有機(jī)/無(wú)機(jī)污染

本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開(kāi)發(fā)了擁有低成本的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒，僅經(jīng)過(guò)商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍...

2022-05-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.3k 0

PVA刷擦洗對(duì)CMP后清洗過(guò)程的影響

介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過(guò)程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類，根據(jù)其接觸類型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 2k 0

利用馬蘭戈尼效應(yīng)的晶片干洗系統(tǒng)

本發(fā)明涉及一種晶片干洗系統(tǒng)，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種能夠提高對(duì)晶片的干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)，可以...

2022-04-11 標(biāo)簽：晶片清洗干燥系統(tǒng) 1.2k 0

如何成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染

為了成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染，有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機(jī)理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米...

2022-04-06 標(biāo)簽：晶片清洗顆粒 1.7k 0

濕蝕刻在硅片晶薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外，垂直系統(tǒng)集...

2022-04-01 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 580 0

過(guò)氧化氫在SC1清潔方案中的作用說(shuō)明

介紹 RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、...

2022-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 4k 0

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化...

2022-03-25 標(biāo)簽：晶片模型刻蝕 5.2k 0

晶硅晶片表面組織工藝優(yōu)化研究

本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太...

2022-03-25 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 937 0

利用臭氧去離子水開(kāi)發(fā)成本低的新型清洗工藝

本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開(kāi)發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒，僅經(jīng)過(guò)商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍...

2022-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶片 808 0

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的新一代清洗技術(shù)

VLSI制造過(guò)程中，晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對(duì)設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時(shí)的門(mén)。在典型的半...

2022-03-22 標(biāo)簽：電路半導(dǎo)體晶片 5.4k 0