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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

+關(guān)注8人關(guān)注

  柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

文章:893個(gè) 瀏覽:40233 帖子:53個(gè)

柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

借助TI DRV8162智能單半橋柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化機(jī)器人系統(tǒng)設(shè)計(jì)

借助TI DRV8162智能單半橋柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化機(jī)器人系統(tǒng)設(shè)計(jì)

隨著制造業(yè)的自動(dòng)化程度不斷提高,以及消費(fèi)者在家中安裝這些自動(dòng)化系統(tǒng),機(jī)器人市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)。公司紛紛開(kāi)始在其工廠和倉(cāng)庫(kù)中實(shí)現(xiàn)制造系統(tǒng)的自動(dòng)化,并適應(yīng)未來(lái)機(jī)...

2024-12-17 標(biāo)簽:mcu機(jī)器人德州儀器 2.2k 0

分立元件成就一切:如何簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變器設(shè)計(jì)

您正在設(shè)計(jì)伺服、計(jì)算機(jī)數(shù)控(CNC)或機(jī)器人應(yīng)用的下一個(gè)功率級(jí)。這種情況下,功率級(jí)是低壓直流饋電三相逆變器,電壓范圍為12 VDC到60 VDC ,額定...

2019-03-15 標(biāo)簽:分立元件三相逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器 2.2k 0

?STEVAL-LVLP01電機(jī)控制探索套件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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STMicroelectronics STEVAL-LVLP01電機(jī)控制探索套件基于STDRIVE101三相柵極驅(qū)動(dòng)器和STL8N10F7功率MOSFE...

2025-10-22 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制三相 2.2k 0

基于DC/DC 轉(zhuǎn)換器的柵極驅(qū)動(dòng)器電源方案

基于DC/DC 轉(zhuǎn)換器的柵極驅(qū)動(dòng)器電源方案

為開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇合適的 MOSFET 或 IGBT 器件是設(shè)計(jì)過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。此外,還要選擇相關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器,用于控制開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)和關(guān)的狀態(tài)之間...

2022-07-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電磁干擾dcdc轉(zhuǎn)換器 2.1k 0

穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用領(lǐng)域

穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用領(lǐng)域

低功率隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器尺寸小巧,適用于通信設(shè)備、儀器儀表和工業(yè)電子領(lǐng)域,可以為對(duì)空間要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景提供理想的解決方案。RECOM 提供廣泛...

2023-09-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器ldo柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0

淺析半橋柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)電源芯片U5402的主要特點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有0.3A拉電流和1A灌電流能力,專用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFETs或IGBTs。

2024-04-18 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源芯片拉電流柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0

如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器

如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器

在開(kāi)關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見(jiàn)圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...

2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0

如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——第二部分:高速柵極驅(qū)動(dòng)器

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在此系列的第一部分中,討論過(guò)高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器也可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。

2017-03-01 標(biāo)簽:mosfet德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0

IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)(一)

大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。

2022-11-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.1k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么?柵極驅(qū)動(dòng)器有什么用?

柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠...

2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 2k 0

通過(guò)分布式架構(gòu)驅(qū)動(dòng)下一代電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)

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電動(dòng)汽車(chē)需要高標(biāo)準(zhǔn)的可靠性和安全性,而這種要求會(huì)滲透到各個(gè)功率轉(zhuǎn)換電子設(shè)備上。元件必須以受控且經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的方式在125°C及以上的環(huán)境溫度下運(yùn)行。

2021-10-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)變壓器電磁干擾 2k 0

UCC57102 低側(cè)3A/3A驅(qū)動(dòng)器,具有去飽和保護(hù)(DESAT)和 12V 欠壓鎖定數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC57102 低側(cè)3A/3A驅(qū)動(dòng)器,具有去飽和保護(hù)(DESAT)和 12V 欠壓鎖定數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5710x 是一款單通道、高性能低側(cè) IGBT/SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 PTC 加熱器、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統(tǒng)等高功率汽車(chē)應(yīng)用...

2025-05-15 標(biāo)簽:逆變器電源電壓PTC 2k 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述

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拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...

2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET逆變器功率器件 2k 0

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Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車(chē)直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊,設(shè)計(jì)用于為I...

2025-09-03 標(biāo)簽:隔離電壓IGBTSiC 2k 0

影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的因素有哪些?

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2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 2k 0

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近年來(lái)的,無(wú)刷直流電機(jī)(Brushless DC Motor, BLDC)在工業(yè)、汽車(chē)、家電、醫(yī)療器械等各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

2024-04-30 標(biāo)簽:MOSFETQFN封裝無(wú)刷直流電機(jī) 2k 0

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摘要:CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無(wú)...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOS管IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 2k 0

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

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SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多,必...

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFET安森美SiC 2k 0

電容隔離如何解決交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)使用由電壓和電流反饋測(cè)量值組成的閉環(huán)控制系統(tǒng)來(lái)控制交流電機(jī)的速度和扭矩。由于電壓和電流反饋需在高壓側(cè)測(cè)量,因此信號(hào)必須與低壓控制器側(cè)隔離。

2019-10-16 標(biāo)簽:交流電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器電容隔離 1.9k 0

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介

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MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...

2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.9k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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