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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

+關(guān)注8人關(guān)注

  柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

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柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

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氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì);電動(dòng)汽車充電;加熱,通風(fēng)和空調(diào); 電器;和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中,氮化鎵取...

2022-07-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析

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在中國電動(dòng)兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ摺kS著電動(dòng)自行車國家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn),電動(dòng)自行車向著低速、高安全性和長續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...

2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET控制器功率器件 1.6k 0

?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

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UCC27624V-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型...

2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.6k 0

速騰速騰RS-Helios的拆解案例分析

激光雷達(dá)里面還有一個(gè)數(shù)字適配器板,主要包含包含ST的MCU,可用作激光雷達(dá)的連接和電源管理。主要元器件包括On Semiconductor的穩(wěn)壓器、Di...

2022-07-21 標(biāo)簽:LDO穩(wěn)壓器激光雷達(dá)柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

德州儀器白皮書:GaN將能源效率推升至新高度

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GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去,這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而,隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加,挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上

2020-08-04 標(biāo)簽:德州儀器GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

UCC21520 5.7kVRMS 4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有雙輸入和禁用引腳數(shù)據(jù)手冊

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UCC21520 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT...

2025-05-19 標(biāo)簽:電源電壓峰值電流灌電流 1.6k 0

安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:NCx575y0系列的深度解析

安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:NCx575y0系列的深度解析

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的應(yīng)用極為廣泛,而其柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討安森美(on...

2025-12-05 標(biāo)簽:IGBT雙通道隔離式 1.6k 0

固態(tài)繼電器方案的功能優(yōu)勢及應(yīng)用

Littelfuse IXYS 固態(tài)繼電器屬于業(yè)內(nèi)最廣泛的繼電器產(chǎn)品系列,這些器件使用分立的半導(dǎo)體元件和獲得專利的 OptoMOS 架構(gòu),能夠以緊湊的設(shè)...

2022-07-29 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器Littelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

用于電力電子器件的柵極驅(qū)動(dòng)器

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柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)...

2023-03-23 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電力電子 1.6k 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT寄生電容 1.6k 0

?MCP8027三相無刷直流電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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Microchip Technology MCP8027三相無刷直流(BLDC)電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器包括三個(gè)集成式半橋驅(qū)動(dòng)器。三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器可在12V峰值輸出...

2025-09-30 標(biāo)簽:BLDC半橋驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器選型指南

電隔離式(GI)柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...

2024-11-11 標(biāo)簽:MOSFET功率放大器安森美 1.6k 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動(dòng)電壓的影響以及驅(qū)動(dòng)...

2025-05-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1.6k 0

?UCC34141-Q1 汽車級(jí)隔離式DC/DC電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)

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UCC34141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 SiC 和 IGBT 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器供電。其專有的集成變壓器、倒裝...

2025-09-26 標(biāo)簽:電池電壓IGBT電源模塊 1.6k 0

IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能

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BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟...

2025-03-06 標(biāo)簽:IGBTIPM柵極驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0

ADI Trinamic TMC6140-LA 3相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

ADI Trinamic TMC6140-LA 3相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices Inc. TMC6140三相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化用于永磁同步電機(jī) (PMSM) 和無刷直流 (BLDC) ...

2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET永磁同步電機(jī)Analog 1.5k 0

UCC57108 低側(cè) 3A/3A 驅(qū)動(dòng)器,具有去飽和保護(hù)(DESAT)和 8V 欠壓鎖定數(shù)據(jù)手冊

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UCC5710x 是一款單通道、高性能低側(cè) IGBT/SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 PTC 加熱器、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統(tǒng)等高功率汽車應(yīng)用...

2025-05-15 標(biāo)簽:控制器逆變器電源電壓 1.5k 0

onsemi NCP51313高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器:高效電源設(shè)計(jì)的理想之選

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在當(dāng)今追求高效和緊湊的電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。onsemi的NCP51313高側(cè)驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的特性,成為了DC - DC電源和逆變器...

2025-12-01 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估

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電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiC 1.5k 0

UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...

2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.5k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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