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柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

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柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

如何在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)

帶雙輸出反激變換器的半橋電路，為隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器供電。在這里，12v軌為隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主側(cè)和副側(cè)供電。

2021-03-04 標(biāo)簽：隔離電源場效應(yīng)晶體管反激變換器 3.1k 0

源極驅(qū)動(dòng)器未集成VGH和VGL電源軌的設(shè)計(jì)

為5英寸以上的汽車LCD顯示器進(jìn)行的設(shè)計(jì)工作可能非常錯(cuò)綜復(fù)雜。顯示器源極驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)電壓范圍為10V至15V、被稱做模擬電壓器件漏極（AVDD）的電源...

2022-02-06 標(biāo)簽：顯示器柵極驅(qū)動(dòng)器電壓器 3k 0

大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案通?？梢杂梅浅５偷墓ぷ麟妷禾峁?shù)百瓦的功率。在這些應(yīng)用中，為確保整個(gè)系統(tǒng)的能效和可靠性，必須正確管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流。

2021-12-21 標(biāo)簽：逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0

羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案

工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域，沒有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線，由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格，設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...

2020-12-17 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0

ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與APTGT75A120 IGBT的結(jié)合使用

絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源（SMPS）應(yīng)用。

2019-08-16 標(biāo)簽：adi IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 2.9k 0

安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來，工業(yè)及消費(fèi)市場對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。

2024-05-06 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 2.9k 0

如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì)，包括更快的開關(guān)和更高的效率，但它也帶來了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 2.9k 0

?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供三個(gè)器件，每個(gè)器件均能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOS...

2025-09-08 標(biāo)簽：MOSFET 三相 BLDC 2.9k 0

MCT8329A高速無傳感器梯形控制三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments MCT8329A三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供單芯片、無代碼、無傳感器梯形解決方案，用于需要高速運(yùn)行或極快啟動(dòng)的應(yīng)用。該...

2025-08-28 標(biāo)簽：三相 BLDC 柵極驅(qū)動(dòng)器 2.7k 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器充放電中的能量轉(zhuǎn)換過程

在MOSFET開關(guān)中，柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)承擔(dān)著為其充電與放電的關(guān)鍵任務(wù)，而這背后的能量轉(zhuǎn)換過程，直接影響驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率與熱設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)功...

2025-08-19 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路寄生電感 2.7k 0

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在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代，電子元件是塑造我們生活的無數(shù)技術(shù)奇跡的支柱。從智能手機(jī)到電動(dòng)汽車以及介于兩者之間的所有產(chǎn)品，電子元件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。稱為柵極驅(qū)...

2023-12-06 標(biāo)簽：光耦柵極驅(qū)動(dòng)器 2.7k 0

三星和小米原裝充電器內(nèi)置芯片案例

消費(fèi)者在購買手機(jī)充電器時(shí)會(huì)更傾向選擇原裝充電器，雖說現(xiàn)在第三方充電器的品質(zhì)足夠優(yōu)秀，并且相較部分手機(jī)原裝充電器而言，其支持的協(xié)議更全面，性能更強(qiáng)，但還是...

2024-01-04 標(biāo)簽：充電器柵極驅(qū)動(dòng)器小米 2.6k 0

HL型柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

　　引言：在多相電源控制器里，PWM波輸出最為常見，但是HL型也使用較多，與PWM型相比，HL型控制更為獨(dú)立，更為靈活，抗干擾能力也較好，唯獨(dú)就是需要兩...

2023-11-13 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器控制器 2.6k 0

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2024-02-25 標(biāo)簽：汽車電子電源管理芯片柵極驅(qū)動(dòng)器 2.6k 0

為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源？

在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前，不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí)，即使 PWM 信號(hào)處于...

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STMicroelectronics STEVAL-LVLP01電機(jī)控制探索套件基于STDRIVE101三相柵極驅(qū)動(dòng)器和STL8N10F7功率MOSFE...

2025-10-22 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)控制三相 2.6k 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電...

2025-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 2.5k 0

高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析

Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊，設(shè)計(jì)用于為I...

2025-09-03 標(biāo)簽：隔離電壓 IGBT SiC 2.5k 0

?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)

該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-10-11 標(biāo)簽：MOSFET 可編程 IGBT 2.5k 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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