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      標(biāo)簽　>　柵極

      柵極

      +關(guān)注1人關(guān)注

      柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

      文章：143個 視頻：29個 瀏覽：21317次 帖子：7個

      柵極技術(shù)

      解析MOS管的三個引腳G、S、D都是什么及含義

      G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

      2018-10-16 標(biāo)簽：MOS管柵極源極 11.7萬 0

      柵極源極漏極怎么區(qū)分

      柵極源極漏極怎么區(qū)分

      一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱...

      2019-06-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管電極柵極 8.2萬 0

      mosfet的三個電極怎么區(qū)分 mos管三個極電壓關(guān)系

      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）有三個主要電極，分別是柵極（Gate）、漏極（Source）和源極（Drain）。這三個電極的區(qū)分方法如下

      2023-09-18 標(biāo)簽：MOSFETMOS柵極 3.9萬 2

      MOS管三個極的判定

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      1、三個極的判定 G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn)。 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。 D極(drain)—...

      2023-11-26 標(biāo)簽：二極管MOS管電平 2.6萬 1

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      四極管種類很多，常見的有：束射四極管，直熱四極管和多子四極管等。四極管，有音色渾厚，具有速度感等特點(diǎn)，實(shí)際上純粹意義的四極管只是在電子管的發(fā)展史上作為驗(yàn)...

      2019-11-15 標(biāo)簽：電壓柵極 1.8萬 0

      MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

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      　　MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...

      2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器MOS管柵極 1.5萬 0

      MOS管參數(shù)解讀

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      極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

      2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.4萬 0

      一文詳解MOS電容器

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      MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件，是構(gòu)成高集成度的基本單元，而MOS電容器是MOSFET的核心，理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

      2023-04-17 標(biāo)簽：電容器MOSFETMOS 1.2萬 0

      NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

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      咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...

      2023-02-16 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體NMOS 1.2萬 0

      既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設(shè)計(jì)驅(qū)動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

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      三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認(rèn)為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...

      2025-01-02 標(biāo)簽：三極管電流MOSFET 1.1萬 0

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      柵極資料下載

      IGBT工作原理及作用立即下載

      類別：電子資料 2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFETIGBT柵極 911 0

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      柵極資訊

      柵極源級漏極分別是什么？模擬電路中柵極源級漏極的工作原理是什么

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      源極簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個高摻雜的...

      2017-11-23 標(biāo)簽：柵極漏極源級 29.8萬 0

      用萬用表去檢測MOS管好壞的方法

      選用管子型號為IRF640，如上圖所示，一般在判斷好壞的時候先對MOS管放電（三極管就不需要，之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān)，這里就不多說了），放電...

      2020-04-04 標(biāo)簽：三極管MOS管柵極 2.5萬 0

      深入剖析MOS管雪崩、SOA失效及發(fā)熱

      本文對MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過...

      2021-06-22 標(biāo)簽：MOSFETMOS柵極 9933 0

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      當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時產(chǎn)生的漏電流

      2022-11-14 標(biāo)簽：電流柵極源極 9256 0

      增強(qiáng)型NMOS管的特性及應(yīng)用電路

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      此文說明：主要以增強(qiáng)型NMOS管的特性來說明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類比。

      2023-03-10 標(biāo)簽：應(yīng)用電路柵極穩(wěn)壓管 7904 0

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      2020-01-16 標(biāo)簽：加速器柵極 7529 0

      19個小技巧教你單片機(jī)5V如何轉(zhuǎn)3.3V電平！

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      方法一：使用LDO穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電 標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V 。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使...

      2021-04-16 標(biāo)簽：MOSFET電壓柵極 4522 0

      芯片制造即將進(jìn)入原子時代！

      場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor）是當(dāng)代計(jì)算機(jī)處理器的核心。自從上世紀(jì)60年代以來，一塊典型處理器中的晶體管的數(shù)量便以摩爾定...

      2021-06-26 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 3167 0

      三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

      目前從全球范圍來說，也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-arou...

      2021-07-02 標(biāo)簽：IC三星電子臺積電 2981 0

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      SOP8貼片SA2601矽塔單相半橋柵極驅(qū)動芯片

      SA2601是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)，可在高達(dá)600V電壓下工作。內(nèi)置VCC和VB...

      2024-04-01 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動芯片 2870 0

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      柵極數(shù)據(jù)手冊

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