SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1378 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示L...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 900 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 866 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路 1054 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 726 0

MOS管的米勒效應(yīng)解析

　　在說(shuō)MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測(cè)量的這個(gè)波形。

2023-02-03 標(biāo)簽：示波器MOS管MOS 4690 0

絕緣柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

在電力電子領(lǐng)域，例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的，在開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...

2022-12-22 標(biāo)簽：處理器驅(qū)動(dòng)器IGBT 1776 0

一文詳解正電壓浪涌的對(duì)策和效果

作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。本文將會(huì)通過(guò)示例來(lái)探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果。

2022-03-29 標(biāo)簽：柵極浪涌電壓浪涌 2750 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-07-04 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3191 0

消除與漏極開關(guān)有關(guān)的電路

通過(guò)漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓。控制電路需要將邏輯電平脈沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。

2020-05-29 標(biāo)簽：放大器電平柵極 3459 0

柵極源極漏極怎么區(qū)分

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱...

2019-06-19 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電極柵極 8.2萬(wàn) 0

哪種會(huì)影響柵極泄漏和動(dòng)態(tài)功率密度

大量的新節(jié)點(diǎn)、半節(jié)點(diǎn)，以及在兩者之間的每一個(gè)數(shù)字的產(chǎn)生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數(shù)人認(rèn)為有選擇是好事，但大家并不清楚哪個(gè)或哪些選擇是上策。該IP...

2018-03-13 標(biāo)簽：柵極擴(kuò)展器 3540 0

一種獨(dú)特的柵極脈沖電路，并進(jìn)行了HPA快速開/關(guān)評(píng)估

本文將提出一種獨(dú)特但簡(jiǎn)單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路，為快速開關(guān)HPA提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns，相對(duì)于 1 ...

2018-02-03 標(biāo)簽：柵極脈沖電路漏極 5182 0

高介電常數(shù)柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)

高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。...

2012-05-04 標(biāo)簽：柵極介電常數(shù) 7719 0