柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動電源的要求。
2025-05-06 15:54:46
1465 
碳化硅（SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保
2025-06-24 09:20:47998 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:003615 
。與客戶的看法形成鮮明對比的是，這些故障通常不是SiC MOSFET技術(shù)的固有弱點，而是圍繞柵極環(huán)路的設(shè)計選擇。特別是，對高端設(shè)備和低端設(shè)備之間的導(dǎo)通交互作用缺乏關(guān)注會導(dǎo)致因錯誤的電路選擇而引發(fā)的災(zāi)難性故障。在本文中，我們表明，在柵極電路環(huán)路中使用柵極源電容器進(jìn)行經(jīng)典的阻尼工作
2021-03-11 11:38:033365 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:0719900 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計、驅(qū)動電阻選擇、死區(qū)時間等注意事項。
2025-04-24 17:00:432035 
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動
2025-12-16 06:02:32
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
，基于 Si-IGBT 設(shè)計的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應(yīng)用場合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結(jié)構(gòu)的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導(dǎo)出關(guān)斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
（MPS）結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保持最佳場分布，但通過結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強浪涌能力。如今，SiC二極管非?？煽浚鼈円呀?jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
的產(chǎn)生機理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個極間均存在結(jié)電容，柵極輸入端相當(dāng)于一個容性網(wǎng)絡(luò)，驅(qū)動電路存在著分布電感和驅(qū)動電阻，此時的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例，當(dāng)下管V2已經(jīng)完全
2018-08-27 16:00:08
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導(dǎo)通時的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
，降低了88%。還有重要的一點是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進(jìn)行兩級驅(qū)動Mosfet管。而驅(qū)動的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時，也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
，而且結(jié)構(gòu)簡單 ?？娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅(qū)動電路調(diào)整等 設(shè)計和評估工時 。 內(nèi)置各種保護(hù)功能 ，基本上只需根據(jù)要設(shè)計的電源規(guī)格設(shè)置外置元器件的常數(shù)即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
柵極電壓變?yōu)楸?VCC 更正或比 VEE 更負(fù)的情況下保護(hù) IGBT 柵極免受過壓的影響。二極管D3可防止柵極驅(qū)動器OUTP輸出在電流低于VCC時將電流排放到集電極中。這種技術(shù)很少用于MOSFET
2023-02-27 09:52:17
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時導(dǎo)通?！ ‘?dāng)以0V關(guān)閉SiC MOSFET時，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時，這種影響可能會出現(xiàn)問題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動的不同之處。主要的不同點是SiC-MOSFET在驅(qū)動時的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計的范疇。但是，柵極驅(qū)動電壓
2018-11-27 16:54:24
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET漏源電壓和柵極電壓
測試難點 ：普通無源探頭和常規(guī)差分電壓探頭的寄生參數(shù)較大。由于SiC MOSFET具有極快的開關(guān)速度（高dv/dt），探頭的寄生電感和寄生電容會與測試電路耦合，導(dǎo)致測得
2025-04-08 16:00:57
Analysis of a Self Turn-on Phenomenon on the Synchronous Rectifier in a DC-DC Converter:In the buck
2009-11-26 11:21:42
9 controller IC. Due to the turn-off nature of the diode, turn-on switching loss of the main switch (Q1) depends on the switching frequency, th
2009-04-29 11:41:242294 
由于SiC MOSFET開關(guān)速度較快，使得橋式電路中串?dāng)_問題更加嚴(yán)重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關(guān)速度的提升，也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:223 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行了解說。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:582279 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:173263 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
板布局注意事項。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:011520 
是兩個重要的參數(shù)，它們對電流的影響非常顯著。 首先，我們來討論MOSFET柵極電路電壓對電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動。當(dāng)柵極電路的電壓為零時，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒有電流通過MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時，會形成一
2023-10-22 15:18:123845 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動 為了補
2023-11-02 19:10:011454 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
2023-12-05 16:35:571015 
SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:381285 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:402429 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能，今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時，對柵極施加負(fù)電壓。 對于部分SiC MO
2025-03-06 19:24:014005 
用于SiC MOSFET的帶可配置浮動雙極性輔助電源的隔離柵極驅(qū)動IC 作為電子工程師，在功率電子設(shè)計中，碳化硅（SiC）MOSFET的應(yīng)用越來越廣泛。然而，要充分發(fā)揮其性能，合適的柵極驅(qū)動解決方案
2025-12-19 15:00:09147 .pdf 產(chǎn)品概述 ACPL - 355JC是一款10A智能柵極驅(qū)動光耦合器，具有高峰值輸出電流和寬工作電壓范圍，非常適合在電機控制和逆變器應(yīng)用中直接驅(qū)動IGBT或SiC MOSFET。它不
2025-12-30 15:40:03325
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