絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)
1.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)營(yíng)的結(jié)構(gòu)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖16-6 所示。它和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)上的主要不同之處在于，它的柵極是從Si02上
2009-08-22 15:53:46
10092 小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)
2009-08-22 16:02:384456 米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段
2018-09-28 08:02:0021643 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開關(guān)電路中，延長(zhǎng)開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 09:26:073860 上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處，希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Miller效應(yīng)，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會(huì)分幾篇來(lái)探討。
2023-02-01 10:18:413166 從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng)，針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們?cè)俸痛蠹乙黄?，結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺(tái)。
2023-02-14 09:25:4614627 前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號(hào)，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對(duì)MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個(gè)二級(jí)效應(yīng)。
2023-04-25 14:24:317076 
對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:535662 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。
2023-05-08 09:08:545235 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:344059 
通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來(lái)改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:369974 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:342529 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:553731 
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號(hào)模型。
2023-10-02 17:36:007785 
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言，開通速度越快，開通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩，震蕩波形（GS之間，這個(gè)震蕩與MOS管
2025-04-09 19:33:021694 
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體資料
2018-10-29 22:20:31
也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時(shí)間，也就是積分那段時(shí)間，叫米勒平臺(tái)，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺(tái)，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩：因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個(gè)電容足夠大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振蕩可以認(rèn)為是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵。A、減緩驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 1、提高MOS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關(guān)速度越緩。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一節(jié)講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設(shè)計(jì)中，米勒振蕩是一個(gè)很核心的一環(huán)，尤其是超過100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應(yīng)加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開始下降，Id開始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)
2021-01-27 15:15:03
）
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段
2025-03-25 13:37:58
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫
2011-06-08 10:43:25
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就問】看到TI的一個(gè)三相逆變器設(shè)計(jì)資料中，關(guān)于有源米勒鉗位的設(shè)計(jì)這是一段原話“開關(guān)IGBT過程中，位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導(dǎo)通原因是，當(dāng)逆變器的上管導(dǎo)
2017-12-21 09:01:45
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒
2019-07-26 07:00:00
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 橋電路，它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
開始上升，此時(shí)MOS管進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)ld已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOS管進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)
2018-12-19 13:55:15
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
三極管會(huì)不會(huì)存在米勒效應(yīng)
2019-09-10 04:37:38
請(qǐng)問各路大神，場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路，存在米勒效應(yīng)，階躍時(shí)間變得很長(zhǎng)，是不是需要增大前級(jí)驅(qū)動(dòng)電流，就能減小階躍時(shí)間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應(yīng)都在開關(guān)狀態(tài)下來(lái)講解，但在放大狀態(tài)依然有米勒平臺(tái)，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
近年來(lái)，MOS半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，使MOS功率型場(chǎng)效應(yīng)管的研制及生產(chǎn)取得成功。由于MOS功率型場(chǎng)效應(yīng)管具有截止頻率高、開關(guān)特性好、功耗小、增益高、激勵(lì)功率小，不存在二次熱
2010-05-28 09:01:47
204 MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為M
2006-04-16 23:41:351076 MOS管
發(fā)表與 2006-2-6 9:12:17
線性電子電路教案第三章 場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)要點(diǎn)：場(chǎng)效應(yīng)管原理、場(chǎng)效應(yīng)管
2006-10-07 09:17:1212172 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng): MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:501219 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231215 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-09-05 15:17:181525 
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2009-11-06 17:21:001149 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031797 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理。
2016-03-14 11:31:070 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2016-08-16 19:49:200 米勒效應(yīng)解決
2017-06-09 09:56:4049 很多人對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、基本結(jié)構(gòu)和檢測(cè)方法不是很了解，尤其對(duì)于電工來(lái)說，如果有一個(gè)直觀的概念可能在日常工作中能節(jié)省很多時(shí)間，而小編今天就搜集了整個(gè)對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)介紹，希望對(duì)各位電工朋友有所幫助。
2017-07-25 18:27:0930889 
本文介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的分類及金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管相關(guān)知識(shí)的詳解。
2017-11-22 19:54:1335 下面是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫為FET?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們平常主板中常見使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識(shí)
2017-12-21 11:17:5113685 
本文首先介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的四個(gè)區(qū)域，其次介紹了mos場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)和工作原理，最后介紹了它的作用。
2018-08-24 14:38:3062043 在描述米勒平臺(tái)（miller plateau）之前，首先來(lái)看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0071146 
貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管，因其價(jià)格低、體積小、驅(qū)動(dòng)電流大，現(xiàn)已廣泛用于各種開關(guān)電源、逆變器、鋰電池保護(hù)板及低壓LED驅(qū)動(dòng)器中。
2019-11-02 10:41:3927916 MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因而具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)10l5Ω）。它分為N溝道管和P溝道管，如圖2-54所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一同。
2019-11-30 11:01:396817 
場(chǎng)效應(yīng)管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡(jiǎn)單解釋一下MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。
2020-09-15 08:00:008 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:0011884 場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。
2020-10-02 17:42:0028182 MOS管的等效模型 我們通常看到的MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3731522 
如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T＝20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
2020-12-24 15:45:44987 MOS管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或被稱為金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。那么MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管兩者之間存在怎樣的關(guān)系？
2022-03-11 11:22:0412070 
Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2022-02-09 11:55:4112 MOS管的細(xì)節(jié)
2022-02-11 16:33:054 MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:466666 
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:188635 
米勒電容器寄生導(dǎo)通效應(yīng)的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以同期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
2022-03-29 13:56:161 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2022-05-27 14:36:374631 從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變。
2022-08-22 09:11:434963 米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。
2022-08-30 15:34:143533 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，英文簡(jiǎn)稱是MOSFET，一般也簡(jiǎn)稱為MOS管。
2022-09-23 15:14:424125 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開關(guān)電路中，延長(zhǎng)開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:322584 
MOS管是 金氧半場(chǎng)效晶體管 它的原理是怎么樣的？ 他又有哪些特性？ 視頻詳解來(lái)了 MOS管比三極管好在哪里？ ? MOS管的工作原理 ? MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) ? MOS管的米勒平臺(tái) ? 更多MOS管
2022-12-14 11:34:521616 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見的問題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10 14:05:5012292 
了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵
場(chǎng)效
2023-02-24 10:36:266 在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對(duì)各階段做了定量分析，相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
2023-03-26 13:40:486205 關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話題至關(guān)重要：抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:199760 。雖然一般密勒效應(yīng)指的是電容的放大，但是任何輸入與其它高放大節(jié)之間的阻抗也能夠通過密勒效應(yīng)改變放大器的輸入阻抗。米勒效應(yīng)是以約翰·米爾頓·米勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三極管時(shí)發(fā)現(xiàn)了這個(gè)效應(yīng)，但是這個(gè)效應(yīng)也適用于現(xiàn)代的半導(dǎo)體三極管。說白了就是通過電容輸出對(duì)輸入產(chǎn)生了影響。
2023-05-15 16:11:3211545 
IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫
2023-05-17 15:11:542484 之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:2511354 
三極管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管是否可替換使用，一般情況下MOS場(chǎng)效應(yīng)管和三極管是不能直接代換，從全面了解三極管的基本工作原理及功能特性的相似之處，以及不同功能特性后，在電子線路板上配置驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流很少的情況下，往往應(yīng)正確的選用MOS場(chǎng)效應(yīng)管。
2022-03-22 14:29:176662 
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！1、什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:517172 搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時(shí)不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來(lái)看IGBT開通時(shí)的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:065928 
要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。 MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見， 是電力電子的核心
2023-08-26 19:35:021959 
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 MOS管的靜態(tài)電流增大對(duì)它的密勒電容有影響嗎？? MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常見的晶體管，因其功耗低、高速
2023-09-05 17:29:342010 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補(bǔ)償電容，但這么做也會(huì)帶來(lái)其他
2023-09-05 17:29:392463 米勒電容效應(yīng)怎么解決？? 米勒電容效應(yīng)是指在一個(gè)帶有放大器的電路中，負(fù)載電容會(huì)產(chǎn)生一種反饋效應(yīng)，使得整個(gè)電路的增益降低或者不穩(wěn)定。這種效應(yīng)的產(chǎn)生會(huì)影響到很多電路的穩(wěn)定性和性能，是電子設(shè)計(jì)中必須面對(duì)
2023-09-18 09:15:454515 為什么MOS管又稱為場(chǎng)效應(yīng)管呢？ MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的半導(dǎo)體器件，由于其結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用
2023-09-20 17:05:412442 MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓MOS管和低壓MOS管。
2023-10-16 17:21:518363 MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系？對(duì)于初學(xué)者來(lái)說，這兩個(gè)名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場(chǎng)效應(yīng)管？
2023-11-13 17:23:053120 
MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
2023-11-27 17:52:434792 
在電子工程領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其中，功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）因其獨(dú)特的性能
2024-05-31 17:30:102861 增強(qiáng)型MOS管（Enhancement MOSFET）是一種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。以下是對(duì)增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。
2024-07-24 10:51:073843 放大器的米勒效應(yīng)（Miller Effect），也稱為密勒效應(yīng)或反饋電容倍增效應(yīng)，是電子學(xué)中的一個(gè)重要概念，尤其在模擬電路設(shè)計(jì)中具有顯著影響。它主要涉及到放大器中反饋電容對(duì)電路性能的影響，特別是在
2024-08-16 17:05:597222 在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就有可能會(huì)導(dǎo)致上下兩個(gè)管直通。這是MOS管的固有現(xiàn)象，只能減小，不能消除。下面分析原因。
2024-10-08 17:08:411386 
MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對(duì)MOS管的工作性能和穩(wěn)定性具有深遠(yuǎn)的影響。以下是對(duì)MOS管閾值電壓的詳細(xì)解析，包括其定義、影響因素、測(cè)量方法以及在實(shí)際應(yīng)用中的考慮。
2024-10-29 18:01:137690 場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:470 MOS管，即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515043 
在高頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，很多工程師都會(huì)遇到這樣的問題，明明給MOS管柵極加了足夠的電壓，MOS管卻要延遲一段時(shí)間才能完全導(dǎo)通，甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實(shí)和MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管特有的米勒平臺(tái)有關(guān)
2025-12-03 16:15:531146 
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