氧化鎵射頻器件研究進展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...

2025-06-11 標簽：半導體GaN射頻器件 653 0

氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導...

2023-11-27 標簽：二極管半導體氮化鎵 3693 0

氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標簽：半導體晶圓晶圓蝕刻 1008 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料

2023-10-11 標簽：半導體信號處理光譜儀 2065 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，寬禁帶半導體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。

2023-08-24 標簽：處理器功率二極管導通電阻 1421 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。

2023-08-17 標簽：接觸器半導體芯片DFT算法 1541 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領(lǐng)域的研究熱點。

2023-08-09 標簽：二極管MOSFET電阻器 1131 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標簽：二極管晶體管功率半導體 1135 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

半導體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體，GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。

2023-08-07 標簽：半導體光電探測器氧化鎵 1317 0

基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-07 標簽：探測器晶體管光電探測器 1278 0

氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標簽：探測器半導體技術(shù)肖特基二極管 1327 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

2023-08-04 標簽：太陽能電池探測器MOCVD 2323 0

浪涌與雪崩高魯棒性氧化鎵功率二極管

反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導體功率器件在高電場和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動力學的基本特征，也是所有元器件在電動汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能...

2023-07-30 標簽：電動汽車功率二極管半導體 1950 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標簽：場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2609 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制

　　商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告

2023-07-04 標簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 449 0

中山大學王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對β-Ga2O3雙極型器...

2023-06-30 標簽：功率器件半導體材料氧化鎵 2529 0

利用機器學習結(jié)合實驗揭示非晶氧化鎵原子結(jié)構(gòu)與熱輸運的關(guān)系

非晶(無定形)材料指原子排列缺乏長程周期性的固體材料，普遍存在于自然界中，也是工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中使用最為廣泛的一類材料。非晶氧化鎵具有超寬的禁帶寬度和...

2023-06-27 標簽：熱管理原子機器學習 1436 0

氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關(guān)研究進展

Ga2O3技術(shù)成熟的一個主要障礙是器件過熱。對于Ga2O3溝槽器件，盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比，[100]溝槽側(cè)壁的熱導率（kT[010]）更高，但具...

2023-06-21 標簽：二極管氧化鎵 1488 0

氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越來越得?..

2023-05-24 標簽：石墨烯氧化鎵氮化硼 995 0