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標簽 > 氧化鎵
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氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
重點從器件工藝、結(jié)構(gòu)和邊緣終端技術(shù)等角度評述了優(yōu)化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對 Ga2O3基 SBD 的進一步發(fā)展趨勢進行了展望。
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來的應(yīng)用與發(fā)展前景。
2023-03-30 標簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 625 0
四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀，氧化鎵新進展介紹
半導(dǎo)體內(nèi)部的價電子通常被共價鍵束縛，無法自由移動，自然也就無法參與導(dǎo)電。所有價電子所處的能帶區(qū)域被稱為價帶，價電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時
氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點，是日盲紫外探測理想的...
相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃...
一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域
氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃...
氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團隊已在實驗室實現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2023-02-27 標簽：氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 3.2k 0
Ga2O3與硅(Si)相比具有耐壓高、功耗低、大尺寸單晶比較容易制作等特點。因此，作為搭載于電動汽車等的功率半導(dǎo)體材料的候補材料而備受矚目。
第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 標簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 5.5k 0
氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域
我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4.6k 0
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過不斷探索，通過插入合適的寬帶隙材料...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過不斷探索，通過插入合適的寬帶隙材料...
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺，...
使用導(dǎo)模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析
晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。
由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優(yōu)勢在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過，相對來說，這些缺點對功...
氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展
氧化鎵應(yīng)用范圍從實現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場基礎(chǔ)設(shè)施等各個方面。但Ga2O3還是存在一個重要的直接缺點：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W...
2019-01-24 標簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬 0
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長、高性能二極管以及場效應(yīng)晶體...
β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能，在深紫外光電探測以及超高壓功率器件方面優(yōu)勢非常明顯。β-Ga2O3禁帶寬度為4.9eV，吸收截止邊位于250 nm...
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