氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結

?氧化鎵（Ga2O3）以其禁帶寬度大、擊穿場強高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，有望成為未來半導體電力電子領域的主力軍。相比于目前常見的寬禁帶半導體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質因數(shù)更大、預期生長成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。西安電子科技大學微電子學院何云龍、鄭雪峰教授團隊針對Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結，展望了Ga2O3在未來的應用與發(fā)展前景。

編輯：黃飛

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功率二極管(15182) 功率二極管(15182)
功率器件(94771) 功率器件(94771)
功率晶體管(19142) 功率晶體管(19142)
氧化鎵(10852) 氧化鎵(10852)

氧化鎵功率器件動態(tài)可靠性測試方案

在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規(guī)模落地階段。

2025-07-11 09:12:48

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氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期

2023-11-27 17:15:09

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氮氧化鎵材料的基本性質和制備方法

氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質可通過調控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調整，兼具寬禁帶半導體特性與靈活的功能可設計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。

2025-05-23 16:33:20

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氧化鎵射頻器件研究進展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領域具有重要的應用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件

2025-06-11 14:30:06

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8英寸！第四代半導體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產業(yè)化再進一步

成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發(fā)展潛力巨大

2023-03-15 11:09:59

IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開

車、工業(yè)電機等領域具有巨大的發(fā)展潛力。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性等。本屆

2018-11-05 09:51:35

MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢

`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年

2017-09-04 15:02:41

PXI技術最新發(fā)展與應用是什么

PXI技術由那幾部分組成？PXI規(guī)范的最新發(fā)展趨勢是什么

2021-05-11 06:24:37

PXI規(guī)范概述及最新發(fā)展

本文將對PXI規(guī)范進行概述并介紹一些最新發(fā)展。

2021-05-07 06:28:53

RS232接口的新發(fā)展

DN4-RS232接口的新發(fā)展

2019-06-13 07:19:27

mcu具有什么功能？未來的創(chuàng)新發(fā)展趨勢是什么？

什么？MCU具有什么功能？在未來又將有哪些創(chuàng)新發(fā)展呢？這篇文章將會為大家詳細解答。一、什么是MCU，具有什么功能？ MCU是Microcontroller Unit 的簡稱，中文叫微控制器，俗稱單片機

2023-04-10 15:07:42

【華秋×薩科微】2023年半導體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機

市場的銷售份額將進一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機中國半導體產業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩(wěn)定經濟增長及產業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從

2023-03-17 11:08:33

不同襯底風格的GaN之間有什么區(qū)別？

氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣

2019-07-31 07:54:41

中國半導體市場份額進一步提升，2023年將迎全新發(fā)展良機

2023-03-17 11:13:35

為什么氮化鎵(GaN)很重要？

的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40

2023-06-15 15:47:44

人臉識別技術最新發(fā)展與研究

人臉識別技術最新發(fā)展與研究 2013年全國圖形圖像技術應用大會將在十一月初召開，本次大會大會將邀請國內圖像圖形處理技術領域的著名專家，就圖像圖形處理技術的應用和最新動態(tài)做特邀報告。并邀請圖像圖形技術

2013-09-25 16:08:41

什么是氮化鎵功率芯片？

氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到

2023-06-15 14:17:56

什么是氮化鎵功率芯片？

通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out

2023-06-15 16:03:16

什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時

2019-07-08 04:20:32

傳感器技術的新發(fā)展

傳感器技術的新發(fā)展傳感器象人的五官一樣，是獲取信息的重要工具。它在工業(yè)生產、國防建設和科學技術領域發(fā)揮著巨大的作用。但與飛速發(fā)展的計算機相比較，作為“五官”的傳感器遠遠趕不上作為“大腦”的計算機

2009-08-11 20:20:54

嵌入式系統(tǒng)的最新發(fā)展

嵌入式系統(tǒng)的最新發(fā)展及技術有哪些？誰能幫助我嗎

2015-03-15 10:50:01

氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢

時間。更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。

2023-06-15 15:32:41

氮化鎵發(fā)展評估

滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造

2017-08-15 17:47:34

用于5V供電的RS232接口新發(fā)展

用于5V供電的RS-232驅動器/接收器的RS232接口的新發(fā)展，片上電源發(fā)生器產生超過LT1080要求的過剩功率

2020-06-11 14:39:31

電子元器件+AI創(chuàng)新發(fā)展論壇

`物聯(lián)網時代下，基于大數(shù)據(jù)和人工智能算法實現(xiàn)的萬物互聯(lián)，重構了新業(yè)態(tài)、新模式、新發(fā)展，為智造業(yè)注入新鮮血液。就此，我們特邀知名元器件電商平臺、方案商和芯片商一起探討分享在新的時代背景下，如何通過AI

2017-11-15 14:53:52

電源管理創(chuàng)新發(fā)展的熱門趨勢

。具有10ns以下最低脈沖寬度以及更短傳播延遲的器件在實現(xiàn)那些能夠支持更高功率密度發(fā)展趨勢的拓撲方面發(fā)揮了關鍵作用。很多高功率密度演示使用了高性能數(shù)字電源控制器，這些控制器本身不會消耗很多電能，但需要

2018-09-11 14:30:18

電源管理技術的三大創(chuàng)新發(fā)展趨勢

。然而這一趨勢也帶來了諸多挑戰(zhàn)，如全新的拓撲（無橋功率因數(shù)糾正）、更高的開關頻率，當然也包括功效的提高。在輔助器件方面，我們也擁有了全新的技術：諸如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 開關器件等寬

2018-10-08 15:35:33

電調天線有哪些新發(fā)展和創(chuàng)新？

電調天線主要有哪些新發(fā)展和創(chuàng)新？

2019-08-14 07:01:42

誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片？

雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人

2023-06-15 15:28:08

超低功耗隔離器件的應用

在本文中，我們將考察超低功耗隔離領域的最新發(fā)展，其與現(xiàn)有技術的關系，以及其實現(xiàn)方式。同時，我們還將探討可以從這類新器件受益的多種應用。

2021-04-06 07:21:41

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件

被用作絕緣體了，而氧化鎵有一組獨特的特性，它可以作為功率切換和射頻電子器件的半導體從而發(fā)揮巨大作用。它的特點之一是，通過摻雜的方法，可以在氧化鎵中加入電荷載流子，使其更具導電性。摻雜包括向晶體添加

2023-02-27 15:46:36

隔離通道示波器在功率測量中的新發(fā)展

工控電源用戶通常要處理浮動或具有不同接地的器件，經常要測量帶來嚴重危害的高電壓和高電流。另一方面，涉及功率電子器件的設備設計人員必需檢驗電路，保證其符合法規(guī)標準。因此，他們需要測量儀器能夠提供杰出

2017-08-22 09:28:41

固體氧化物燃料電池研究進展和發(fā)展動態(tài)1

固體氧化物燃料電池研究進展和發(fā)展動態(tài)1在已研究發(fā)展的六類固體氧化物燃料電池電解質中，釔穩(wěn)定氧化鋯（YSZ）、稀土金屬摻雜氧化鈰（RDC）、堿土摻雜鎵酸鑭（L

2009-11-09 11:48:04

國外LCC技術研究與應用的最新發(fā)展

本文介紹了國外各有關公司在電力系統(tǒng)開展LCC研究工作的最新發(fā)展，通過和他們的直接聯(lián)系和接觸，了解各公司如何結合電力系統(tǒng)對可靠性要求高的特點把單個設備的LCC和整個系統(tǒng)

2009-12-24 13:35:09

國外永磁傳動技術的新發(fā)展

摘要:綜述了國外永磁傳動技術的最新發(fā)展。應用領域拓寬、技術性能提高；出現(xiàn)一些新技術、新工藝、新結構；應用先進制造技術與管理，使磁力泵更加高效、可靠與耐用

2009-12-29 16:14:18

Modbus通信最新發(fā)展

Modbus通信最新發(fā)展 OPC為OLE for Process Control的縮寫。是工業(yè)界最先進的資料交換標準?；仡欁詣涌刂葡到y(tǒng)的發(fā)展，無論是DCS、PLC、監(jiān)控套裝或控制器等系統(tǒng)，都會

2010-04-01 14:40:13

紐約時報：iPad自主A4芯片標志蘋果新發(fā)展方向

紐約時報：iPad自主A4芯片標志蘋果新發(fā)展方向

2010-02-02 17:43:10

849

IR推出高效率氮化鎵功率器件

IR推出高效率氮化鎵功率器件目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發(fā)展這個改善的空間已經不大了

2010-05-10 17:50:57

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功率電子技術的最新發(fā)展狀況和發(fā)展趨勢

上海舉辦的PCIM Asia (電力轉換與智能運動)展會上發(fā)表演說，闡釋功率電子技術的最新發(fā)展狀況和未來發(fā)展趨勢。

2011-06-27 22:24:11

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世界OLED技術產品最新發(fā)展深入剖析

本文核心提示：本文是關于OLED最新發(fā)展的深入剖析。主要闡述OLED技術的現(xiàn)狀、OLED技術的優(yōu)勢、OLED技術的發(fā)展趨勢、各廠商OLED技術的應用等。OLED技術在近幾年大放異彩，大家可以在手

2012-08-30 09:41:48

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PXI技術最新發(fā)展與應用

PXI平臺的出現(xiàn)為自動化測試提供了一種新的思路。全球各地的用戶基于PXI平臺在多個領域實現(xiàn)各種不同的應用。本文將對PXI規(guī)范進行概述并介紹一些最新發(fā)展及應用。

2013-01-21 11:24:22

2087

PLC的最新發(fā)展趨勢 (1)

電子發(fā)燒友網站提供《PLC的最新發(fā)展趨勢 (1).doc》資料免費下載

2017-04-19 16:40:00

引領新發(fā)展：在云時代實現(xiàn)_IT_與業(yè)務的統(tǒng)一

引領新發(fā)展：在云時代實現(xiàn)_IT_與業(yè)務的統(tǒng)一

2016-12-28 11:13:11

一圖了解各國5G頻率最新發(fā)展現(xiàn)狀

各國5G頻率最新發(fā)展現(xiàn)狀

2018-01-19 16:01:17

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工業(yè)互聯(lián)網平臺創(chuàng)新發(fā)展白皮書你了解嗎全文PPT觀看

近日，在“2018年產業(yè)互聯(lián)網與數(shù)據(jù)經濟大會——首屆工業(yè)互聯(lián)網平臺創(chuàng)新發(fā)展暨兩化融合推進會”上，國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心尹麗波主任發(fā)布并解讀了《工業(yè)互聯(lián)網平臺創(chuàng)新發(fā)展白皮書（2018）》。

2018-12-23 11:18:51

5296

氧化鎵成超寬禁帶功率半導體新寵

美國佛羅里達大學、美國海軍研究實驗室和韓國大學的研究人員在AIP出版的《應用物理學》上發(fā)表了研究有關，展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵（Ga2O3）的特性、能力、電流限制和未來發(fā)展前景。

2018-12-28 16:30:11

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超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件專刊

西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發(fā)展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發(fā)展前景進行了展望。

2019-01-10 15:27:10

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氧化鎵在電子器件應用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展

氧化鎵應用范圍從實現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場基礎設施等各個方面。但Ga2O3還是存在一個重要的直接缺點：它的導熱率很低（10-30 W/m-K，對比SiC 330 W/m-K

2019-01-24 11:47:11

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技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

關鍵詞：gan , SiC , 導通電阻 , 功率元件 , 氧化鎵技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件.pdf(930.95 KB, 下載次數(shù): 5) 2012-4-21 09

2019-02-11 11:08:01

1450

服務機器人的新發(fā)展與新突破

天津大學副校長王樹新教授作了主題為《服務機器人的新發(fā)展與新突破》的報告，為大家?guī)砹岁P于新工科、水下機器人和醫(yī)療機器人發(fā)展的新思路。

2019-06-26 09:02:34

3480

智能汽車創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略出爐未來市場將迎來巨大發(fā)展潛力

近日，國家發(fā)改委等11個國家部委聯(lián)合印發(fā)《智能汽車創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》?！吨悄芷噭?chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》指出，智能汽車已成為全球汽車產業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略方向，我國擁有智能汽車發(fā)展的戰(zhàn)略優(yōu)勢。

2020-02-27 15:13:24

1742

關于支持人工智能產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策的通知

建設合肥綜合性國家科學中心人工智能研究院，開展基礎研究、應用基礎研究、技術創(chuàng)新和應用示范，為人工智能產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展提供強大知識儲備和技術支撐。

2020-03-19 10:02:51

3383

成都積極推動國家數(shù)字經濟創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)

在提到今年重點工作時，羅市長指出，將大力發(fā)展新經濟培育新動能，積極推動國家數(shù)字經濟創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)、國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)建設，加快發(fā)展區(qū)塊鏈、5G、8K、人工智能等產業(yè)

2020-06-11 14:43:42

2702

中國在氧化鎵功率器件領域的現(xiàn)狀如何?

從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質因子要比SiC高出二十倍。對于各種應用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導通電阻也更低。

2020-10-12 15:58:03

5651

神經網絡最新發(fā)展綜述

神經網絡最新發(fā)展綜述。

2021-04-21 09:48:06

DN4-RS232接口的新發(fā)展

DN4-RS232接口的新發(fā)展

2021-04-27 16:57:27

LED照明技術創(chuàng)新發(fā)展綜述

LED照明技術創(chuàng)新發(fā)展綜述

2021-07-22 10:37:49

日本氧化鎵的新進展

FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結構更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。

2022-07-28 11:22:55

2411

前照燈領域技術新發(fā)展

前照燈領域技術新發(fā)展

2022-11-01 08:26:23

ADAS 系統(tǒng)的新發(fā)展

ADAS 系統(tǒng)的新發(fā)展

2022-11-04 09:51:59

ADAS 系統(tǒng)的最新發(fā)展

ADAS 系統(tǒng)的最新發(fā)展

2022-11-04 09:52:45

SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)！

碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點

2022-11-04 09:56:01

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國產氧化鎵研究，取得新進展

如何開發(fā)出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。

2022-12-21 10:21:58

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氮化鎵功率器件分類氮化鎵充電器為什么充電快

　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。

2023-02-19 14:32:39

3120

氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點氮化鎵功率器件的可靠性分析

氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調節(jié)器、電源濾波器等應用。

2023-02-19 17:20:48

11077

氧化鎵的性能、應用和成本氧化鎵的應用領域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應，外延、器件環(huán)節(jié)產業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。

2023-02-22 10:59:33

4889

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。

2023-04-14 15:42:06

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氧化鎵薄膜外延及電子結構研究

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展潛力，越來越得到國內外的重視。

2023-05-24 10:44:29

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氧化鎵異質集成和異質結功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢，在功率電子和微波射頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。

2023-07-27 10:24:02

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三菱電機加速開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體

三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。

2023-08-02 10:38:18

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三菱電機入局氧化鎵，加速氧化鎵功率器件走向商用

三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發(fā)優(yōu)質節(jié)能功率半導體，以支持全球脫碳。

2023-08-08 15:54:30

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高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領域的研究熱點。

2023-08-09 16:14:42

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氧化鎵薄膜外延與電子結構研究

氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。

2023-08-17 14:24:16

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氮化鎵功率器件結構和原理功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。

2023-08-24 16:09:15

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氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領域的應用越來越廣泛，寬禁帶半導體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。

2023-08-24 17:43:50

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功率半導體器件氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴大

調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。

2023-09-04 15:13:24

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氮化鎵功率器件的工藝技術說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構

2023-09-19 14:50:34

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5G應用創(chuàng)新發(fā)展白皮書

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2023-10-13 14:45:42

氮化鎵功率芯片功率曲線分析氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應用。

2023-10-16 14:52:44

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上海人工智能創(chuàng)新發(fā)展探索與實踐案例集.zip

上海人工智能創(chuàng)新發(fā)展探索與實踐案例集

2023-01-13 09:06:27

論文研究氮化鎵GaN功率集成技術.zip

論文研究氮化鎵GaN功率集成技術

2023-01-13 09:07:47

ADI公司PLL產品系列的最新發(fā)展

電子發(fā)燒友網站提供《ADI公司PLL產品系列的最新發(fā)展.pdf》資料免費下載

2023-11-24 11:45:29

氮化鎵功率器件結構和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。一、氮化鎵功率器件結構氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率

2024-01-09 18:06:41

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航裕電源登陸CIAS2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會

2024年4月23-24日，CIAS2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會在江蘇省蘇州市舉行。

2024-04-28 11:23:33

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宏微科技亮相CIAS 2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會

由宏微科技聯(lián)合冠名，主題為“新能源芯時代”的CIAS 2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會于2024年4月23-24日在蘇州圓滿舉行。

2024-04-28 18:27:41

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氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星

超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領域的未來應用潛力。本文總結了氧化鎵材料的一些固有

2024-06-18 11:12:31

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【ISES China 2024精彩回顧】半導體精英齊聚，共促產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展

2024國際汽車半導體創(chuàng)新發(fā)展交流會（ISESChina2024）日前在無錫圓滿落幕。本次活動匯聚了全球汽車半導體行業(yè)的頂尖企業(yè)與精英領袖，共同探索行業(yè)新趨勢，推動技術創(chuàng)新發(fā)展，為汽車半導體產業(yè)帶

2024-09-26 08:09:09

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ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

風電等功率模組應用需求。然而氧化鎵熱導率極低，限制了氧化鎵高功率器件的發(fā)展。近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所（以下簡稱為上海微系統(tǒng)所）異質集成XOI課題組與哈爾濱工業(yè)大學孫華銳教授課題組通過“萬能離子刀”剝離轉移技術制備了

2024-11-13 11:16:27

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黑芝麻智能亮相2024高端芯片產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會

2024高端芯片產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會順利召開，黑芝麻智能創(chuàng)始人兼CEO單記章受邀出席大會作主旨演講，并作為高端芯片產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟理事單位代表出席高端芯片產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟啟動儀式。

2024-11-22 17:21:32

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