日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HV...

2023-10-12 標(biāo)簽：晶體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1332 0

面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFETSBDSiC 979 0

IDM龍頭降價(jià)！晶圓代工大廠最新解讀

近日，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵和半導(dǎo)體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領(lǐng)投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

2023-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓IDM 1296 0

三菱電機(jī)加速開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性...

2023-08-02 標(biāo)簽：晶圓三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 1351 0

外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制

外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對此我國外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制是中方...

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵光刻機(jī) 2187 0

碳化硅：最近比較煩！

碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小，性能越來越好，所以近年來電動(dòng)汽車廠商都對它青睞有加，使其成為HEV電力驅(qū)動(dòng)裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅(qū)...

2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件碳化硅氧化鎵 856 0

第四代半導(dǎo)體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競爭？

此外，氧化鎵的導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強(qiáng)約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。數(shù)據(jù)顯示...

2023-03-20 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅氧化鎵 1481 0

西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率器件硅片外延片 777 0

國內(nèi)氧化鎵半導(dǎo)體又有新進(jìn)展，距離量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構(gòu)體，其中β-Ga...

2022-12-28 標(biāo)簽：氧化鎵 2357 0

國產(chǎn)氧化鎵研究，取得新進(jìn)展

如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。

2022-12-21 標(biāo)簽：肖特基二極管氧化鎵 1081 0

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

本文通過導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認(rèn)晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

2022-11-24 標(biāo)簽：晶體單晶氧化鎵 4118 0

什么是第四代半導(dǎo)體？

第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個(gè)方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點(diǎn)幾電子伏特（eV），比超窄...

2022-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氧化鎵 1.8萬 0