半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...

2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1822 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 611 0

氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)...

2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 759 0

氮化鎵的市場(chǎng)在哪些領(lǐng)域？封裝技術(shù)是怎樣的？

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開(kāi)關(guān)頻率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 其中，高開(kāi)關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...

2023-09-07 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵GaN 625 0

安規(guī)貼片Y電容有什么優(yōu)勢(shì)？

傳統(tǒng)的安規(guī)Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時(shí)還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個(gè)難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...

2023-09-06 標(biāo)簽：電容電路板氮化鎵 518 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流？

氮化鎵（GaN）功率芯片將多個(gè)電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進(jìn)...

2023-09-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵快充 830 0

氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優(yōu)點(diǎn)？

在以前，很多手機(jī)充電器都會(huì)用到安規(guī)Y電容，不過(guò)用的都是插件形式的，現(xiàn)在情況明顯不一樣

2023-08-29 標(biāo)簽：電容器安規(guī)電容手機(jī)充電器 1227 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3697 0

氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...

2023-08-22 標(biāo)簽：功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 4760 1

氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體氮化鎵 947 0

電腦電源為什么不用氮化鎵 氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前，GaN的制造...

2023-08-17 標(biāo)簽：充電器功率器件氮化鎵 1.2萬(wàn) 0