氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用

了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？

2023-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 1595 0

下一代無(wú)線通信的氮化鎵功率放大器

下一代無(wú)線通信的氮化鎵功率放大器

2022-12-22 標(biāo)簽：功率放大器無(wú)線通信氮化鎵 554 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 3132 0

炸管，探頭也被燒壞了？

在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí)，都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試，這時(shí)大多數(shù)工程...

2022-12-09 標(biāo)簽：功率器件探頭氮化鎵 1265 0

氮化鎵半導(dǎo)體的興起！

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...

2022-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1831 0

中國(guó)采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無(wú)線輸電

氮化鎵不僅受到近距離無(wú)線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無(wú)線充電，而且遠(yuǎn)距離無(wú)線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。

2022-12-08 標(biāo)簽：氮化鎵無(wú)線輸電 2945 0

6吋氮化鎵單晶背后關(guān)鍵核心技術(shù)解析

制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。

2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 2814 0

GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性

報(bào)告內(nèi)容包含： 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

2022-11-17 標(biāo)簽：整流器氮化鎵GaN 570 0

影響Micro LED實(shí)現(xiàn)全彩顯示的因素有哪些

MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場(chǎng)景的...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵Micro LEDAR眼鏡 853 0

淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)

　　Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 　　驅(qū)動(dòng)電源-常規(guī)雙極驅(qū)動(dòng)程序 　　GaN GIT （G...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源 786 0

氮化鎵器件的性能優(yōu)勢(shì)

? ? ? 審核編輯：彭靜

2022-11-02 標(biāo)簽：氮化鎵 837 0

“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計(jì)方案

當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動(dòng)性和極端操作環(huán)境的限制時(shí)，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...

2022-10-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 1057 0

碳化硅SiC和氮化鎵GaN的應(yīng)用

在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。

2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1615 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 5201 0

Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)

兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢(shì)。

2022-09-16 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 1278 0

智融SW1106 65W氮化鎵模塊快充方案評(píng)測(cè)分析

初級(jí)主控芯片來自智融，型號(hào)為SW1106，是一顆支持增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準(zhǔn)諧振控制器，芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)電壓為6V，可直接驅(qū)動(dòng)增...

2022-09-13 標(biāo)簽：氮化鎵 2047 0

氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖分析

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測(cè)以及應(yīng)用。各個(gè)環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻...

2022-09-07 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 3743 0