在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:04
1532 工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢,主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)近日,著名調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》顯示,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(SiC)和氮化
2020-11-18 09:40:57
6941 功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵,而使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型寬帶隙(WBG) 類型有望取得重大進(jìn)展。讓我們詳細(xì)研究一下這些優(yōu)勢。
2022-07-29 08:07:58
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第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-06 15:26:41
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超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件,我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:24
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)在綠色低碳的發(fā)展背景下,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體成為市場的焦點(diǎn)和話題。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole的預(yù)測,到2025年全球以半絕緣型襯底制備
2023-08-11 00:11:00
1484 基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
范圍的高性能硅方案,也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng),為設(shè)計(jì)人員提供針對不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
,從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
具有7A直流和脈沖電流能力,已為高功率材 料、器件和模塊特性分析和測試而優(yōu)化,如碳化硅 (SiC)、 氮化鎵(GaN)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET、太陽電池 和面板、LED與照明系統(tǒng)、電化學(xué)
2019-05-30 14:42:53
地學(xué)習(xí)、更智能地工作和更輕松地發(fā)明。2470 具有 1100V 和 10fA 的能力,經(jīng)過優(yōu)化,可用于表征和測試高壓、低泄漏器件、材料和模塊,例如碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN)、功率 MOSFET
2022-03-02 15:00:33
碳化硅 (SiC)、氮化鎵(GaN)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET、太陽電池和面板、LED與照明系統(tǒng)、電化學(xué)電池與電池組,等等。這些新的能力加上企業(yè)數(shù)十年開發(fā)高精密、高精度源測量單元(SMU)儀器
2018-11-17 18:45:16
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車半導(dǎo)體技術(shù)的一個全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個公認(rèn)的佼佼者。此外,公司的廣泛電源方案組合,包括模塊和碳化硅(SiC)/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容,包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG(碳化硅SiC和氮化鎵GaN)、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
,從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
范圍的高性能硅方案,也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng),為設(shè)計(jì)人員提供針對不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
,而且實(shí)現(xiàn)學(xué)習(xí)曲線最小化,幫助工 程師和科學(xué)家更迅速學(xué)習(xí)、更聰明工作、更容易發(fā)明。 2460型儀器具有7A直流和脈沖電流能力,已為高功率材 料、器件和模塊特性分析和測試而優(yōu)化,如碳化硅 (SiC
2021-09-27 14:34:33
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案,并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā),用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
)與電容式觸摸屏技術(shù),讓您可直觀地執(zhí)行測試、減少學(xué)習(xí)曲線,以協(xié)助工程師和科學(xué)家能「快速掌握,靈活操作,輕松創(chuàng)新」。2460擁有 7A 直流和脈沖電流能力,并針對如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、直流
2021-08-11 11:28:51
全球八大LED制造商簡介
1,CREE著名LED芯片制造商,美國CREE公司,產(chǎn)品以碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN),硅(Si)及相關(guān)的化合物為基礎(chǔ),
2009-11-13 09:31:28
2389 安森美半導(dǎo)體作為汽車功能電子化的領(lǐng)袖之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案,并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā),用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2017-09-18 18:42:50
3 5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 18:48:00
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5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:12
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5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:52:50
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雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐,但世易時移,新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:20
5129 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ),具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:51
5860 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢,成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:00
8001 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢,成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-09 16:59:44
4664 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:00
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新興市場碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到近10億美元,推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:23
3544 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:09
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基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器和牽引電機(jī)逆變器)。
2019-06-13 11:45:00
3995 第三代半導(dǎo)體,又稱寬禁帶半導(dǎo)體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導(dǎo)體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:31
7739 的尺寸上忍耐高得多的運(yùn)行溫度,也激發(fā)了新型應(yīng)用的出現(xiàn)。目前流行的WBG應(yīng)用材料是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。
2019-08-28 12:31:06
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智能化依托能效化,英飛凌在功率領(lǐng)域不斷創(chuàng)新,已成功量產(chǎn)最新一代氮化鎵功率產(chǎn)品,突破更高的功率轉(zhuǎn)化效率,致力于探索當(dāng)前半導(dǎo)體材料無法企及的應(yīng)用領(lǐng)域。至此,英飛凌成為了市場上唯一一家提供覆蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司,為業(yè)界樹立了下一代功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新標(biāo)桿!
2019-09-23 16:44:29
1016 日前,華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野,引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。
2019-09-05 15:57:04
6423 5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:57
4129 集微網(wǎng)消息,現(xiàn)如今是人工智能、無人駕駛汽車、5G等高新技術(shù)的發(fā)展浪潮,在汽車電子、5G基站和智能芯片的推動下,第三代半導(dǎo)體材料(尤其是碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN))的發(fā)展異常迅猛。
2020-03-01 18:36:10
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以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場重視,半導(dǎo)體企業(yè)正在競相加速布局。日前,意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。
2020-03-10 11:22:19
2670 第三代半導(dǎo)體包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料,可廣泛應(yīng)用于發(fā)光、通訊、電能變換等領(lǐng)域。而近日,華燦光電就獲批浙江省第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,將致力于第三代半導(dǎo)體材料和器件等領(lǐng)域的研究。
2020-04-08 16:24:39
3413 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料,是未來5G時代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:14
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文章來源:電子技術(shù)設(shè)計(jì) 作者:廖均 電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術(shù)解決方案
2020-10-16 10:47:47
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電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
2020-10-17 11:01:06
8239 第三代半導(dǎo)體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。它在新能源車、光伏風(fēng)電、不間斷電源、家電工控等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。
2020-12-10 11:00:56
2053 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的的第三代半導(dǎo)體材料主要用于電力電子、微波射頻和光電子器件的制造。其中,電力電子器件主要應(yīng)用于消費(fèi)類或工業(yè)、商業(yè)電源的制造,未來隨著新能源汽車的廣泛應(yīng)用
2021-01-04 15:25:21
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) ? ? 眾所周知,硅元素因其獨(dú)特的穩(wěn)定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展,越來越多的化合物半導(dǎo)體材料走上歷史舞臺。近年來,碳化硅(SiC
2021-06-04 18:21:23
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眾所周知,與硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:54
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在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的能量差,與硅(Si
2022-04-26 11:09:48
2012 對更高效電子產(chǎn)品的追求集中在功率器件上,而半導(dǎo)體材料處于研發(fā)活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在多年前取代鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,硅正在將其在功率器件中的主導(dǎo)地位讓給兩種效率更高的替代品:碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。
2022-07-27 09:08:23
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使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是最近推出的寬帶
2022-07-29 08:06:46
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半導(dǎo)體材料從以鍺(Ge)和硅(Si)為代表的第一代到以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代,再到目前熱門的以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代,家族在不斷壯大。而在汽車領(lǐng)域,碳化硅將發(fā)揮怎樣的重要作用?
2022-07-29 10:32:41
1496 近年來,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現(xiàn)在是不可否認(rèn)
2022-08-05 14:51:33
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碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 09:28:32
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隨著直流電流隨著電動汽車和混合動力汽車等應(yīng)用中開關(guān)頻率的增加而增加,對直流電源總線的性能要求不僅僅是 IR 降(即電壓降)和熱考慮。由于設(shè)計(jì)需求和以碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 開關(guān)為代表的寬帶隙器件 (WBG) 的使用增加,該總線現(xiàn)在必須在數(shù)百千赫茲的更高頻率下具有非常低的電感。
2022-08-08 09:52:04
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碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計(jì)提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持續(xù)增長。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN
2022-08-08 09:52:41
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寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體材料顯示出優(yōu)異的性能,允許功率器件在高壓下工作,尤其是在高溫和開關(guān)頻率下。電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。
2022-08-17 14:43:02
313 隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統(tǒng),使用特殊的驅(qū)動器已成為必要。通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,隔離式柵極驅(qū)動器專為碳化硅 (SiC) 和氮化
2022-08-10 15:22:11
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在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅(Si)的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限,高頻性能和能量密度不斷下降,功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后,正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的應(yīng)用之門。
2022-09-06 15:06:56
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有類似的高寬帶隙能量,從而使它們在開關(guān)能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導(dǎo)體更具優(yōu)勢。
2022-09-21 14:40:36
547 ? ? ? 針對要求最嚴(yán)苛的功率開關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢,從而引入改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙類型,將顯著提高功率開關(guān)應(yīng)用的性能,尤其是汽車牽引逆變器
2022-11-16 10:57:40
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一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。
2022-12-13 10:01:35
8944 S32K39高性能MCU為實(shí)現(xiàn)牽引逆變器的智能、高精度控制而進(jìn)行了優(yōu)化,可將電動汽車電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,驅(qū)動現(xiàn)代化牽引電機(jī)。該系列MCU既支持傳統(tǒng)的絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT),也支持新推出的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)。
2022-12-15 15:31:05
397 技術(shù)的角度,帶您走近碳化硅。 ? 點(diǎn)擊圖片,持續(xù)打卡學(xué)習(xí)! 工業(yè)和汽車是中功率和大功率電子元器件的兩個大市場。隨著諸如IGBT的現(xiàn)有技術(shù)與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)相結(jié)合,工業(yè)、汽車和其他電氣化趨勢正在重塑其應(yīng)用的
2022-12-20 12:20:06
453 第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-31 10:28:21
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在這種情況下,第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強(qiáng)等方面的優(yōu)勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點(diǎn)
2023-02-01 14:39:43
392 在這種情況下,第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強(qiáng)等方面的優(yōu)勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點(diǎn)
2023-02-03 11:09:46
1127 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙半導(dǎo)體具有更高的擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:34
1220 隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:15
676 隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應(yīng)用,電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開始。這些新組件仍然比傳統(tǒng)硅組件昂貴得多,但它們的性能指標(biāo),如開關(guān)速度和開關(guān)損耗,很難與之匹配。
2023-02-05 14:41:09
2704 第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。
2023-02-20 14:10:34
509 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子
密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-02-27 14:49:13
8 NI宣布收購 SET GmbH(簡稱“SET”)。SET是長期專注于航空航天和國防測試系統(tǒng)開發(fā)的專家,也是功率半導(dǎo)體可靠性測試領(lǐng)域的創(chuàng)新者。加入NI后,將共同縮短關(guān)鍵的、高度差異化的解決方案的上市時間,并以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等功率電子材料為切入點(diǎn),加速從半導(dǎo)體到汽車的供應(yīng)鏈融合。
2023-03-15 17:42:56
917 電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊,在熱導(dǎo)率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材料起到了極大的作用。
2023-03-24 13:58:28
1323 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:29
12686 半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN
2023-05-05 17:46:22
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功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視,尤其是以碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:55
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「碳化硅」(SiC)和「氮化鎵」(GaN)。寬能隙半導(dǎo)體中的「能隙」(EnergyGap),以白話方式說明,便是代表著(一個單位能量的差距),意思就是讓一個半導(dǎo)體「從絕
2022-11-21 16:07:51
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第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-03-13 17:42:58
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具體到三星方面,在今年三月,有報(bào)道指出,三星已支出約2,000億韓元(約1.54億美元),準(zhǔn)備開始生產(chǎn)碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體,用于電源管理IC,而且計(jì)劃采用8吋晶圓來生產(chǎn)這類芯片,跳過多數(shù)功率半導(dǎo)體業(yè)者著手的入門級6吋晶圓。
2023-06-29 15:03:09
440 根據(jù)研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。 第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素半導(dǎo)體為代表。
2023-09-28 12:57:43
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點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)
2023-10-08 19:15:02
262 SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):
2023-10-09 14:24:36
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近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06
694 設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù),從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù),從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:00
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清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè),專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品,
2023-12-05 14:54:38
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碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51
741 第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)等,因其禁帶寬度較大,又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04
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2月20日,福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會召開,大會進(jìn)行了重大項(xiàng)目集中簽約儀式,長樂區(qū)簽約落地16個重大項(xiàng)目,其中之一為天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目。
2024-02-23 10:44:43
700 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,提供硅難以企及的差異化優(yōu)勢。
2024-03-18 12:31:28
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