基于GaN微絲陣列的UV金屬半導體探測器

華南師范大學和北京大學在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）探測器。

2018-12-07 標簽：半導體氮化鎵 4.3k 0

5G發(fā)展帶動硅基氮化鎵產業(yè),硅基氮化鎵應用發(fā)展廣泛

與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數，從而降低整體...

2018-11-10 標簽：功率放大器氮化鎵5G 9.9k 0

基于GaN的開關器件驅動是關鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側/低側的應用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關重要...

2018-10-19 標簽：功率器件氮化鎵GaN 2.3萬 0

移動通信標準5G開發(fā)基于氮化鎵（GaN）的經濟高效的高性能技術

基站是蜂窩網絡的連接點。它們記錄無線電小區(qū)的傳輸數據并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內的數據泛濫，基站技術需要滿足兩個標準：輸出功率需要提高，同時保持...

2018-09-20 標簽：移動通信氮化鎵5G 6k 0

氮化鎵技術研究新進展，如何作為“電力電子應用中敏感探針”使用？

美國康奈爾大學，IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...

2018-09-09 標簽：晶體管電力電子氮化鎵 6.1k 0

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應用及優(yōu)勢介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應用及優(yōu)勢

2018-08-17 標簽：二極管氮化鎵碳化硅 7.9k 0

一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動力汽車中的作用

歐盟制定了一個雄心勃勃的目標，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實現該目標，汽車行業(yè)的貢獻將非常重要。美國企業(yè)平均燃油經濟性（CAF...

2018-03-25 標簽：混合動力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

3.4GHz-3.8GHz寬帶基站功放解決方案詳細過程

中國首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產企業(yè)蘇州能訊高能半導體有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），發(fā)布適合5G移動通信的寬...

2018-05-08 標簽：功率放大器氮化鎵5g 1.1萬 0

GaN功率電子分立器件產品類型的簡介以及其特點和優(yōu)勢分析

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質...

2018-01-18 標簽：二極管mosfet分立器件 1.4萬 0

在氮化鎵技術中，熱設計與電氣設計同等重要

為管理今天的熱設計，電路設計人員讓熱量在半導體表面擴散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因為...

2018-01-04 標簽：氮化鎵電氣設計熱設計 6.5k 0

詳細剖析新型氮化鎵功率器件的技術特性

最近，麻省理工學院（MIT）、半導體公司IQE、哥倫比亞大學、IBM以及新加坡MIT研究與技術聯盟的科研人員展示出一項新型設計，讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標簽：功率轉換晶體管氮化鎵 1.2萬 0

基于GaN固態(tài)放大器可實現的應用設計

以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應用的首選技術； 現在，GaN已被部署到機載電子戰(zhàn)領域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。

2017-09-18 標簽：氮化鎵毫米波 8.6k 0

實現超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731

該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。

2017-08-30 標簽：放大器氮化鎵qpd2731 8.8k 0

解讀射頻GaN市場的機遇及未來發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場異?；钴S，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。 GaN已經在大部分高功率軍事應用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了...

2016-12-14 標簽：射頻氮化鎵gan 4.9k 0

TI分享五大妙招，輕松應對電源挑戰(zhàn)

“設計人員必須知道如何正確且安全地構建這些產品，這也需要更高的專注度和更加嚴格的要求，因為通常設計人員面臨的不僅僅是一個電氣問題，”TI的電源管理專家D...

2016-07-21 標簽：TI氮化鎵電源管理設計 1k 0

安森美半導體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于功率因數...

2016-06-28 標簽：安森美氮化鎵GaN 3k 0

大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標簽：LCD氮化鎵GaN 2.9k 0