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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬...
來源：湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室 ? 2023年11月，九峰山實(shí)驗(yàn)室基于氮化鎵（GaN）材料的太赫茲肖特基二極管（SBD）研制成功。經(jīng)驗(yàn)證，該器件性能已達(dá)到國際前...
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會(huì)上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...
清軟微視周繼樂：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和...
根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù)，2022 年通富微電是全球第四，中國大陸第二 OSAT 廠商，全球市占率 6.51%。公司收購 AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
硅是最常見的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2165 0
GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成，進(jìn)一步降低用戶的使用門檻，并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì)，很有...
2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1490 0
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Comp...
什么是氮化鎵合封芯片科普，氮化鎵合封芯片的應(yīng)用范圍和優(yōu)點(diǎn)
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動(dòng)設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度...
美國政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
隨著國防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35萬美元新資金，GF計(jì)劃購買額外的工具，以擴(kuò)大開發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力...
2023-11-24 標(biāo)簽：芯片氮化鎵半導(dǎo)體制造 1306 0
國產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們?cè)陂_關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2130 0
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵（GaN）MOS管時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...
2023-11-22 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2555 0
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對(duì)于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非...
雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域?？紤]到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
2023-11-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 847 0
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1148 0
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)...
氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢(shì)，比如高...
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