昨天，國產(chǎn)氮化鎵實現(xiàn)了新的突破——廣東致能科技有限公司成功推出了1200V的氮化鎵器件，具有幾個突出優(yōu)勢：

1、? 電壓裕量大——本征擊穿已經(jīng)達到2400V。

2、? 高可靠性——通過嚴苛的動態(tài)導通電阻測試。

3、?采用獨特的外延技術，器件成本更低，有望幫助工業(yè)電源、電信電源、數(shù)據(jù)中心乃至新能源汽車降低系統(tǒng)成本。

4、? 基于國內自有晶圓線，交期和研發(fā)配合更有保障。

5、? 采用常用的柵極驅動器，更易于使用。

致能科技1200V氮化鎵擊穿電壓達到2400V

致能科技：

推出2款1200V 氮化鎵

11月8日，致能科技宣布，他們完成了首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺，在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達到2400V，可廣泛用于工業(yè)、新能源、以及汽車等領域。

據(jù)了解，致能科技是由海外歸國專家于2018年12月聯(lián)合創(chuàng)辦，公司專注于新型硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件研發(fā)生產(chǎn)。該公司產(chǎn)品主要為涵蓋不同電流等級及封裝形式的650V和1200V氮化鎵功率器件及氮化鎵基電力電子先進應用解決方案，專注于車規(guī)、新能源、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心、大功率消費等市場。

根據(jù)公告，致能科技已經(jīng)開發(fā)出了2款1200V的氮化鎵器件，其中ZN120C1R070W 采用TO-247 封裝，導通電阻為70mΩ ；ZN120C1R300P 采用 TO-220 封裝，導通電阻為300mΩ。

這兩個型號產(chǎn)品均結合了致能最新的高壓氮化鎵 HEMT 和低壓硅 MOSFET技術，具有卓越的可靠性和性能。

1200V具備高可靠性?

還實現(xiàn)3300V突破

眾所周知，GaN 功率晶體管的關鍵問題之一是它們在開關操作期間的動態(tài)導通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。

據(jù)致能科技介紹，他們的1200V氮化鎵器件具有幾個關鍵優(yōu)勢，例如：通過JEDEC認證和嚴苛的動態(tài)導通電阻測試，具有非常寬的柵極安全裕度、反向傳導能力以及較低的柵極電荷。并且他們還透露，基于下一代技術持續(xù)挑戰(zhàn)3300V平臺，已經(jīng)實現(xiàn)了重大突破。

致能科技1200V氮化鎵的可靠性數(shù)據(jù)

現(xiàn)階段，主流的氮化鎵開關器件的電源為650V左右，部分廠商推出了900V器件，但普遍停留在低壓應用。像工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和光伏等新能源領域通常使用的三相電力系統(tǒng)，這些應用的PFC電路輸出電壓達到800V，需要1200V的開關器件，目前能夠滿足需求的GaN開關器件并不多。

因此，致能科技的1200V氮化鎵器件具有標志性意義，這些應用可以受益于1200V GaN 器件更高的功率密度和可靠性，以更合理的成本獲得更好的性能。

并且，1200V氮化鎵器件未來也有望應用新能源汽車領域，尤其是能夠滿足800V充電電壓的發(fā)展趨勢，1200V氮化鎵平臺非常適合車載充電器、DC-DC 轉換器、驅動逆變器。

據(jù)“行家說三代半”了解，致能科技可以提供2種襯底（硅和藍寶石）的1200V氮化鎵器件，器件成本優(yōu)勢明顯。而且2022年5月，致能的徐州氮化鎵生產(chǎn)線已經(jīng)滿線開工，自主產(chǎn)線能夠為客戶提供更好的產(chǎn)能保障。

審核編輯：黃飛

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