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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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杰華特進(jìn)軍無(wú)線充行業(yè):推出首款無(wú)線充電芯片JW7951,JW3651
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2022-04-18 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵無(wú)線充電 4077 0
氮化鎵市場(chǎng)前景光明,快充技術(shù)越來(lái)越平民化
由于對(duì)設(shè)計(jì)、制造業(yè)者來(lái)說(shuō),資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗(yàn),因此早期多由歐美IDM業(yè)者開(kāi)始發(fā)展,如今,已演變?yōu)闃I(yè)界擴(kuò)大合作,加快產(chǎn)業(yè)...
解決方案 | 全氮化鎵65W充電器充電寶二合一 大容量 大功率
智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一,所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多,協(xié)議支持全面,內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管等控制邏輯,支持?jǐn)?shù)...
在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以類似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN(氮化鎵)功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)試出器件在長(zhǎng)期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū),如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
四大潛力應(yīng)用助力GaN市場(chǎng)騰飛,易用和可靠性是關(guān)鍵
近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?;馃幔瑖?guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì),2021全球...
自去年下半年以來(lái),全球半導(dǎo)體因?yàn)樾枨蠖顺掷m(xù)低迷而進(jìn)入下行通道,到目前為止,這樣的趨勢(shì)仍未改變,在這樣的形勢(shì)下,很多公司選擇停止擴(kuò)張,收縮抗寒 ,不過(guò)也有...
2023-06-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵功率半導(dǎo)體 962 0
功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的?
隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲(chǔ)等服務(wù)提供支持,處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大,電力需求也隨之增長(zhǎng)。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下,如何...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器IGBT 673 0
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),因此廣泛用于以下領(lǐng)域: 1. 發(fā)光二極管(LED):氮化鎵是LED的主要工藝材料之一...
當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)入成熟周期,在制造端實(shí)現(xiàn)極致節(jié)能、極致提效、極致降本,成為中國(guó)動(dòng)力電池企業(yè)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力及全球話語(yǔ)權(quán)的必經(jīng)之路。
2023-05-30 標(biāo)簽:鋰電池動(dòng)力電池電源模塊 3369 0
Mojo Vision開(kāi)發(fā)300mm藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
Mojo Vision 表示,Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢(shì),這對(duì)于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費(fèi)電子和高...
新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無(wú)金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用...
英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體?GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)?
GaN 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率,在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號(hào),使其成為 5G 基站...
2023-05-15 標(biāo)簽:氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 667 0
永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用
隨著氮化鎵技術(shù)的逐漸成熟,越來(lái)越多的AC/DC轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵作為開(kāi)關(guān)元件,以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術(shù)的應(yīng)用中,導(dǎo)電性電容器也扮演著重要的角色。
2023-05-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC氮化鎵 1191 0
高頻驅(qū)動(dòng)下的第三代半導(dǎo)體服務(wù)器電源對(duì)磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對(duì)話通過(guò)行業(yè)內(nèi)權(quán)威教授、服務(wù)器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對(duì)...
氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性,氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如LED照明、電力電子、無(wú)線通信、智能家...
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