英飛凌收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，仍有數(shù)十億歐元并購金

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）北京時(shí)間3月3日，英飛凌官宣收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，交易總值8.3億美元現(xiàn)金，約合57億元人民幣。 ...

2023-03-06 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵半導(dǎo)體并購 1.6萬 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？

氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。

2023-03-03 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 1095 0

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

2023-03-01 標(biāo)簽：氮化鎵功率模塊汽車 871 0

IN3261G+IN1305M PD 30W內(nèi)置氮化鎵

IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的30W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM 反激式控制...

2023-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源PD氮化鎵 1830 0

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體...

2023-02-28 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體一加手機(jī) 1454 0

關(guān)于氮化鎵功率器件的產(chǎn)品預(yù)覽

在PD快充領(lǐng)域推出了DFN系列產(chǎn)品，在電源適配器領(lǐng)域推出了TO系列產(chǎn)品，在工業(yè)領(lǐng)域則針對(duì)高頻與高可靠性的需求，推出了PIIP系列產(chǎn)品。

2023-02-28 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 843 0

為什么碳化硅和氮化鎵擁有著巨大的市場(chǎng)潛力？

與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 406 0

金剛石有望成為終極半導(dǎo)體材料

該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵金剛石功率半導(dǎo)體 876 0

淺談氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理

氮化鎵（GaN）是極具潛力的第三代半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制，特別是在器...

2023-02-23 標(biāo)簽：光電器件氮化鎵GaN 743 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況 增長(zhǎng)勢(shì)頭過于強(qiáng)勁

氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長(zhǎng)，因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠，這在一...

2023-02-21 標(biāo)簽：晶圓SiC氮化鎵 280 0

GaN價(jià)格及市場(chǎng)規(guī)模的發(fā)展趨勢(shì)

根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費(fèi)類電子市場(chǎng)為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵GaN射頻器件 1443 0

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...

2023-02-17 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵GaN 3465 0

氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在...

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵 1.1萬 0

淺談功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況，增長(zhǎng)勢(shì)頭過于強(qiáng)勁

Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購。整合是我們?cè)谶^去幾年中觀察到的市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面，特別是碳化硅 (SiC)。

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 615 0

VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路

因此，VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN（直接驅(qū)動(dòng)耗盡型氮化鎵）半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用?？焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...

2023-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大功率氮化鎵 1129 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 8624 0

淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)

氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。

2023-02-14 標(biāo)簽：氮化鎵發(fā)光器件功率晶體管 826 0

碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。 硅基氮化鎵器件...

2023-02-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 2555 0