清洗技術
單晶硅清洗廢液處理方法有哪些
很多人接觸過,或者是存在好奇與疑問,很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些?那今天就來給大家解密一下,主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾:可...
2025-06-30
標簽:晶硅清洗
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使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法
金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學氧化物,這種化學穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...
2022-09-08
標簽:清洗RCA碳化硅
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紫外光表面清洗技術與UV光清洗機(下)
本次接觸角測試是在普通工作間進行的,光清洗后的ITO玻璃在空氣中會受到二次污染。接觸角測試法是一種半定量檢測方法。從圖2可以看出光清洗后接觸角下降了24...
2022-08-18
標簽:紫外光清洗
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紫外光表面清洗技術與UV光清洗機
低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后,與有機污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能,從而提高物體表面的浸潤性和粘合強...
2022-08-18
標簽:紫外光清洗
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探秘半導體制造中單片式清洗設備
隨著集成電路制造工藝不斷進步,半導體器件的體積正變得越來越小,這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求...
2022-08-15
標簽:集成電路半導體清洗
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污染和清洗順序對堿性紋理化的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中,以研究它們對堿性紋理化過程的影響,由此可見,無機污染對金...
2022-05-18
標簽:晶片清洗刻蝕
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不同清洗方法對納米顆粒表征的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究不同清洗方法(離心和透析)對15納米檸檬酸鈉穩(wěn)定納米顆粒表面化學和組成的影響,關于透析過程,核磁共振分析表明,經(jīng)過9個清洗周期...
2022-05-12
標簽:納米清洗
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三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用
我們?nèi)A林科納研究了三種化學溶液,用于在分布反饋激光器應用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學物質(zhì)是濃縮的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液...
2022-05-12
標簽:光柵激光器清洗
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用于光刻膠去除的單晶片清洗技術
本文的目標是討論一種新技術,它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合,導致了用于光...
2022-05-07
標簽:清洗單晶片
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光致抗蝕劑剝離和清洗對器件性能的影響
退火后對結特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預期和一致的器件性能至關重要,發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導致:結蝕刻、摻雜劑漂白和結氧化,植入條件可以增強這些效應,令...
2022-05-06
標簽:蝕刻晶片清洗
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超臨界二氧化碳在精密清洗中的應用
超臨界二氧化碳(CO2)由于其低成本、低毒性、不燃性和環(huán)境可接受性,已被確定為各種精密清潔應用中氟氯化碳的有前途的溶劑替代品。本文介紹了最近使用CO2作...
2022-04-22
標簽:CO2清洗
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一種新型的全化學晶片清洗技術
本文介紹了新型的全化學晶片清洗技術,研究它們是否可以提供更低的水和化學消耗的能力,能否提供每種技術的工藝應用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...
2022-04-21
標簽:工藝晶片清洗
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用于硅晶圓的全新RCA清洗技術
RCA清洗技術是用于清洗硅晶圓等的技術,由于其高可靠性,30多年來一直被用于半導體和平板顯示器(FPD)領域的清洗。其基礎是以除去顆粒為目的的氨水-過氧...
2022-04-21
標簽:硅晶圓清洗RCA
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關于PVA刷摩擦表面的清洗技術
本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結果。在摩擦分析中,刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外,我們還介紹了P...
2022-04-21
標簽:PVA清洗
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詳解硅片的研磨、拋光和清洗技術
在半導體和LED的制造中,需要研磨以使晶片的厚度變薄,以及拋光以使表面成為鏡面。在半導體器件的制造中,半導體制造工藝包括:(1)從晶體生長開始切割和拋光...
2022-04-20
標簽:SiC硅片清洗
1.6萬
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