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一種新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)

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2022-03-04 15:03:503354

晶片清洗及其對后續(xù)紋理過程的影響

殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅,這些殘留物可以通過鋸切過程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面,為了去除這些殘留物,需要選擇正確的化學(xué)物質(zhì)來補(bǔ)充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37882

新型化學(xué)晶片清洗技術(shù)詳解

本文介紹了新興的化學(xué)晶片清洗技術(shù),研究它們提供更低的水和化學(xué)消耗的能力,提供了每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益和考慮因素、環(huán)境、安全和健康(ESH)效益和考慮因素、技術(shù)狀態(tài)和供應(yīng)商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57943

單片SPM系統(tǒng)的清洗技術(shù)

單片SPM系統(tǒng)使用了大量的化學(xué)物質(zhì),同時(shí)滿足28nm以下的清潔規(guī)格。 本文描述了在集成系統(tǒng)Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統(tǒng)和單晶片清洗,結(jié)果達(dá)到了技術(shù)規(guī)范,使用了不到單晶片系統(tǒng)中使用的80%的SPM化學(xué)物質(zhì)。
2022-04-01 14:22:552107

一種提高晶片干燥效率的馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)

晶片干洗系統(tǒng),更詳細(xì)地說,是一種能夠提高對晶片干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。
2022-04-08 14:51:041388

一種除去晶片表面有機(jī)物的清洗方法

、封閉系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。另方面,動態(tài)自旋清洗法解決了現(xiàn)在普遍使用的靜態(tài)分批清洗法中存在的交叉污染、藥液使用量的減少化、清洗時(shí)間的縮短化問題,而且還可以抑制自然氧化膜的生成,因此受到了人們的關(guān)注。將自旋清洗
2022-04-13 15:25:213124

濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明,表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性:隨著硅基底的微粗糙度的增加,氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:201074

一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法

本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域,使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:571071

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標(biāo)是討論一種技術(shù),它可以在保持競爭力的首席運(yùn)營官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對晶
2022-05-07 15:11:111355

溢流晶片清洗工藝中的流場概述

引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于項(xiàng)倡議,其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場。大部分的水無助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461876

使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片的工藝研究

表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中,使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明,振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效,并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37737

降低超薄柵氧化層漏電流的預(yù)氧化清洗方法

本發(fā)明涉及一種在集成電路制造中減少漏電流的方法,更具體地說,涉及一種在集成電路制造中通過新的預(yù)氧化清洗順序減少超薄柵氧化物漏電流的方法。 根據(jù)本發(fā)明的目的,實(shí)現(xiàn)了一種預(yù)氧化清洗襯底表面的新方法。我們
2022-06-17 17:20:401625

單次清洗晶圓的清洗方法及解決方案

本文講述了我們?nèi)A林科納的一種在單個(gè)晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法,該方法涉及在單晶片模式下使用清洗溶液,并且清洗溶液包括至少包括氫氧化銨(NH-OH)、過氧化氫(HO)、水(HO)和螯合劑
2022-06-30 17:22:114125

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:232658

晶片清洗技術(shù)

的實(shí)驗(yàn)和理論分析來建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理,并提出了清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:451911

臭氧清洗系統(tǒng)的制備及其在硅晶片清洗中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體和太陽能電池制造過程中,清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù),如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液,會產(chǎn)生大量廢水,因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問題。
2023-06-02 13:33:212934

激光清洗技術(shù)的原理、類型及應(yīng)用

激光清洗技術(shù)是激光技術(shù)在工程領(lǐng)域的一種成功應(yīng)用,其基本原理是利用激光能量密度高的特點(diǎn),使激光與工件基底上附著的污染物相互作用,以瞬間受熱膨脹、熔化、氣體揮發(fā)等形式與工件基底分離。激光清洗技術(shù)具有高效
2023-10-29 08:07:495391

一種新型光學(xué)智能光譜儀

近日,北京理工大學(xué)光電學(xué)院許廷發(fā)教授科研團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)林星助理教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種新型光學(xué)智能光譜儀(Opto-Intelligence Spectrometer, OIS)。
2024-07-31 06:18:53974

碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法

引言 碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,在SiC晶片的制備和加工過程中,表面金屬殘留成為了個(gè)
2025-02-06 14:14:59395

碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中,硅面貼膜是道關(guān)鍵步驟,用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317

SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法

引言 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延片的制造過程中,表面污染物的存在會嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414

文看懂全自動晶片清洗機(jī)的科技含量

好奇,臺“清洗機(jī)”究竟有多重要?本文將帶你了解:全自動半導(dǎo)體晶片清洗機(jī)的技術(shù)原理、清洗流程、設(shè)備構(gòu)造,以及為什么它是芯片制造中不可或缺的核心裝備。、晶片為什么要反
2025-06-24 17:22:47688

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