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標(biāo)簽 > 電容充放電
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對于數(shù)學(xué)基礎(chǔ)不太好的電子愛好者們,我想說的是,要學(xué)好電子這門技術(shù),不需要掌握高深的數(shù)學(xué)技巧,只要懂得基本的函數(shù),就能完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工作,絲毫不會影響到設(shè)...
在電源管腳上加電解電容可能會引發(fā)一些情況,具體影響取決于電容的性質(zhì)、電源的特點(diǎn)以及電路的設(shè)計(jì)。
變頻驅(qū)動(dòng)下的三相電流會有什么不同?是不是還會保持原來的平衡?
昨天提到了直起電機(jī)三相電流平衡的問題,且在最后提了個(gè)問題,就是若由變頻器來驅(qū)動(dòng)電機(jī),三相電流會有什么不同哪?是不是還會保持原來的平衡哪?
法拉電容與超級電容類似,也是一種高電荷存儲能力強(qiáng)大的電子元件,充放電速度快、高功率密度、使用壽命長、運(yùn)行穩(wěn)定。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)之PWM互補(bǔ)輸出死區(qū)時(shí)間設(shè)定
Q1和Q2兩MOS管組成了一個(gè)橋臂,兩個(gè)管子不能同時(shí)導(dǎo)通。
2023-07-21 標(biāo)簽:示波器MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.2萬 0
寄生電容和開關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間,其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。
MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平 4148 0
模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADCs)將一個(gè)模擬電壓信號轉(zhuǎn)換至一個(gè)二進(jìn)制數(shù)字(一系列的1和0), 最終將其轉(zhuǎn)換至一個(gè)數(shù)值(十進(jìn)制數(shù)),以用來在儀表,監(jiān)視器或者圖表...
2023-07-07 標(biāo)簽:比較器數(shù)字濾波器ADC轉(zhuǎn)換器 1.0萬 0
變頻器的使用,在PLC當(dāng)中大伙應(yīng)該都不會感到陌生,而在使用變頻器時(shí),決不能使用漏電保護(hù)器。這是變頻器應(yīng)用的一大準(zhǔn)則。
如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動(dòng)態(tài)特性呢?
IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進(jìn)行充放電來控制的,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
本文以某單板在調(diào)試過程中的電源紋波過大問題,分析了開關(guān)DC/DC電源中紋波產(chǎn)生的原因、紋波大小的影響因素,在理論上分析了減小紋波的方法,并通過對實(shí)際電路...
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