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標(biāo)簽 > 電容
電容器，通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體（包括導(dǎo)線）間都構(gòu)成一個(gè)電容器。
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過沖是指一個(gè)超過設(shè)定電壓的峰值電壓， 一般以尖峰脈沖形式呈現(xiàn)。在使用電源產(chǎn)品過程中，輸入端開關(guān)接觸不良和輸 入端熱插拔上電都可能會產(chǎn)生輸出過沖，若是輸出...
為什么總是這么燙？ LDO主要的功耗來自于內(nèi)部的MOS管上的壓差與輸出電流的乘積。壓差越大，電流越大，功耗越大，因此芯片就會越燙。
在電壓轉(zhuǎn)換電路中，LDO和DC-DC電路是最常用的兩種方式，本篇主要介紹LDO相關(guān)內(nèi)容。 LDO是線性電源的一種，它可以實(shí)現(xiàn)電源電壓的轉(zhuǎn)換，不過主要用在...
電容的使用在電子硬件中可以說是非常廣泛了，不管是用于旁路，濾波，儲能，耦合，諧振等等。 所以對于電容的認(rèn)識也是非常重要的，下面就通過這些動圖來直觀認(rèn)識一...
電容器的容量是一個(gè)重要的參數(shù)，通常以微法拉（μF）為單位。啟動電容的容量一般較大，而運(yùn)行電容的容量則相對較小。因此，可以通過測量電容器上的標(biāo)注容量來判斷...
對于RC電路的理解，我們舉個(gè)例子說明：我們假設(shè)用12V電源為我們產(chǎn)品的實(shí)際供電電源，和它串聯(lián)的是有效值為10V的交流信號，我們通過改變交流信號的頻率，分...
做硬件的都知道，電容通交流，隔直流；那么這個(gè)怎么簡單理解？我們來舉個(gè)例子？如下圖所示：電路接好后，我們來做個(gè)實(shí)驗(yàn)。
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...
“ 電容是電子學(xué)三大基本無源器件之一。電容種類繁多，知識體系更為龐雜，常有因?yàn)閷﹄娙菡J(rèn)識不深，存在一些不正確的使用，造成失效問題。本文系統(tǒng)講解電容的知識...
“ 本篇介紹瓷片電容，瓷片電容已經(jīng)成為主流、通用的電容，尤其是SMT片狀類型，由于成本低，顯得特別有吸引力。目前，世界上生產(chǎn)的電容器約有80％是貼片型陶...
01 無源晶振和有源晶振 晶振大類分兩種，有源晶振和無源晶振。 無源晶振工作原理簡單的說石英有壓電效應(yīng)，電壓形成了，自然就會產(chǎn)生晶體片形變，再結(jié)合外部電...
對于線間耦合、電源分配網(wǎng)絡(luò)以及電磁干擾問題，電感就是信號沿均勻傳輸線傳播過程中遇到的突變。
一般常用三相交流電動機(jī)接線架上都引出6個(gè)接線柱，當(dāng)電動機(jī)銘牌上標(biāo)為Y形接法時(shí)，D6、D4、D5相連接，D1~D3接電源；為△形接法時(shí)，D6與D1連接，D...
鈉離子電池如何實(shí)現(xiàn)80000次超長循環(huán)？
鈉離子電池（NIB）資源豐富、成本低廉，可以作為鋰離子電池的有益補(bǔ)充。然而，Na+（1.02 ?）的半徑比 Li+（0.76 ?）大，容易導(dǎo)致電極材料在...
在無源晶振應(yīng)用方案中，兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當(dāng)發(fā)生程序啟動慢或不運(yùn)行時(shí)，建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
經(jīng)典的濾波器基礎(chǔ)知識及應(yīng)用實(shí)例
最常用的濾波器是低通跟帶通。低通在混頻器部分的鏡像抑制、頻率源部分的諧波抑制等有廣泛應(yīng)用。帶通在接收機(jī)前端信號選擇、發(fā)射機(jī)功放后雜散抑制、頻率源雜散抑制...
晶圓常用的切割手段有很多，根據(jù)不同的材質(zhì)和芯片設(shè)計(jì)采用不同的方式。常見的有砂輪切割、激光切割、金剛刀劃片劈裂、還有隱形切割等等。其中激光切割應(yīng)用是越來越...
擴(kuò)散電容CD 當(dāng)給二極管加正向偏壓時(shí)，在 PN結(jié)兩側(cè)的少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，都有一定的少數(shù)載流子的積累，而且它們的密度隨電壓而變化，形成一個(gè)附加的電容效應(yīng)，稱為...
我們平時(shí)在選型 TVS 二極管的時(shí)候會遇到一個(gè)寄生電容的參數(shù)，這個(gè)參數(shù)在一些通信類的接口中使用時(shí)，往往限制我們對于 TVS 二極管的選型。 并且這個(gè)寄生...
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