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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...
2018-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料砷化鎵 4.3萬 0
太陽能光伏發(fā)電在全球取得長足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池,然而由于原材料多晶硅的供應(yīng)能力有限,加上國際炒家的炒作,導(dǎo)致國際市場上多晶硅價格...
2018-03-01 標(biāo)簽:砷化鎵 2.7萬 0
氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...
砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是:硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝(凹刻),可以5-100納米工藝,而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路(凸堆),線...
砷化鎵芯片的制造工藝相對復(fù)雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單,可以使...
砷化鎵芯片的制造工藝要求高,需要精確控制工藝參數(shù),以保證芯片的質(zhì)量;砷化鎵芯片的制造過程中,由于砷化鎵的比表面積較大,容易形成氣泡,影響芯片的質(zhì)量;砷化...
通過砷化鎵制程的PN結(jié)測量建??梢缘贸鯲erilogA模型的正確性和通用性
本文中論述的是二極管的小信號模型,適用于半導(dǎo)體材料組成的PN結(jié)以及金屬半導(dǎo)體組成的肖特基PN結(jié)。另外,論述的二極管的模型參數(shù)適用于GaAs HBT制程的...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項革命性技術(shù),在實現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-08 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體砷化鎵 3218 0
什么是第三代半導(dǎo)體?一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半...
半導(dǎo)體材料都有哪些?半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計、制造和封測等關(guān)鍵步驟,其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料,按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
2023-07-03 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.4萬 0
立昂微IPO解讀:募資17億元,投8英寸硅片以及射頻芯片項目
其次,砷化鎵是繼硅單晶之后第二代新型化合物半導(dǎo)體材料中最重要、用途最廣泛的材料之一,且主要產(chǎn)能均由國外少數(shù)廠商壟斷。通過射頻芯片項目,實現(xiàn)6英寸GaAs...
砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù),因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機、DVD計算機外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外,因其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高...
砷化鎵GaAs在光電和射頻領(lǐng)域中的應(yīng)用與發(fā)展
砷化鎵是發(fā)光材料,加上泵浦源和諧振腔,即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計,典型代表是VCSEL(垂直腔...
半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵(化學(xué)式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料,用來...
2023-02-14 標(biāo)簽:砷化鎵 8982 0
超越摩爾:光學(xué)、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展
目前氮化鎵器件有三分之二應(yīng)用于軍工電子,如軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域;在民用領(lǐng)域,氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。氮化鎵基站PA的功放效...
國外采用柔性砷化鎵薄膜電池設(shè)計出太陽能無人機 實現(xiàn)人類歷史上第一次永續(xù)飛行
11月14日,據(jù)美國專業(yè)媒體Aviation Week & Space Technology報道,波音公司旗下極光飛行科學(xué)公司(Aurora)設(shè)計了一架...
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