砷化鎵

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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵技術(shù)

電磁量子標(biāo)準(zhǔn)扁平化應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)

約瑟夫森效應(yīng)和量子化霍爾電阻效應(yīng)對(duì)應(yīng)的h/2e和h/e2，剛好可以導(dǎo)出基本電荷e，在微觀上形成量子三角形（見圖5）。另外，國(guó)際上也正在積極探索基于單電子...

2024-01-08 標(biāo)簽：電磁石墨烯砷化鎵 1895 0

伯努利吸盤的應(yīng)用場(chǎng)景、原理及優(yōu)勢(shì)

伯努利吸盤是一種基于伯努利原理而工作的非接觸式吸盤。伯努利原理是流體動(dòng)力學(xué)中的一個(gè)基本概念，由18世紀(jì)的瑞士科學(xué)家丹尼爾·伯努利提出。伯努利原理指出，在...

2023-12-27 標(biāo)簽：晶圓砷化鎵半導(dǎo)體制造 4146 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備（三）

我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。

2023-12-25 標(biāo)簽：砷化鎵半導(dǎo)體晶圓 1387 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備（二）

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 1080 0

太陽(yáng)能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能等離子體 2129 0

太陽(yáng)能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲方案

延長(zhǎng)光路的常見方法是在電池中集成背反射器，或使用光捕獲結(jié)構(gòu)多次散射光線，使其進(jìn)入活性吸收層。在電池表面添加防反射涂層或在電池表面進(jìn)行紋理處理，可以減少陽(yáng)...

2023-12-02 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池石墨烯砷化鎵 1517 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 605 0

半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系

為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命，彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來的負(fù)面效應(yīng)，業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。

2023-08-21 標(biāo)簽：晶體管 MOS 砷化鎵 1457 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1355 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 445 0

砷化鎵（GaAs）芯片和硅（Si）芯片的區(qū)別

砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使...

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路光電器件砷化鎵 9462 0

為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...

2023-07-03 標(biāo)簽：光電器件功率器件砷化鎵 9928 0

無(wú)線時(shí)代的RF半導(dǎo)體工藝你知道多少？

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

2023-06-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管砷化鎵 890 0

硅基外延量子點(diǎn)激光器及其摻雜調(diào)控方面獲得重要進(jìn)展

硅基光電子集成芯片以工藝成熟、集成度高、低成本的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息傳輸和處理能力...

2023-06-27 標(biāo)簽：激光器砷化鎵光學(xué)系統(tǒng) 466 0

緊湊型砷化鎵相位正交（I/Q）混頻器HMC525ALC4概述

采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的雙平衡混頻器單元和一個(gè)90°混合器，在砷化鎵、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MES）中制造。金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造的90...

2023-05-24 標(biāo)簽：集成電路混頻器砷化鎵 1404 0

半導(dǎo)體之離子注入工藝簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體材料最重要的特性之一是導(dǎo)電率可以通過摻雜物控制。集成電路制造過程中，半導(dǎo)體材料（如硅、錯(cuò)或1E-V族化合物砷化鎵）不是通過N型摻雜物就是利用P型摻...

2023-05-04 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體砷化鎵 4649 0

LED屏的七大分類方式關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識(shí)

雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級(jí)灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...

2023-04-11 標(biāo)簽：led 氮化鎵 GaN 4821 0

淺談激光的發(fā)展歷史激光在發(fā)展中的關(guān)鍵歷史節(jié)點(diǎn)

各種學(xué)科和技術(shù)應(yīng)用激光并形成了許多重要的交叉學(xué)科：如光電子學(xué)、激光光譜學(xué)、激光化學(xué)、非線性光學(xué)、激光全息術(shù)、激光生物醫(yī)學(xué)、激光計(jì)量、超快光電子學(xué)、激...

2023-02-24 標(biāo)簽：激光器砷化鎵 2605 0

砷化鎵芯片和硅芯片區(qū)別砷化鎵芯片的襯底是什么

　砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線...

2023-02-20 標(biāo)簽：電路板電子元件砷化鎵 9927 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 7881 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

TOF

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角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

L298

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DMD

DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體工藝

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機(jī)械臂

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MPSoC

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Genesys

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說話人識(shí)別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
ATmega16單片機(jī)

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緩沖電路

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LPC2368

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Buck-Boost

Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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砷化鎵

砷化鎵技術(shù)

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