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標(biāo)簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個里程碑。
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專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡稱ASIC)是一種針對特定應(yīng)用設(shè)計(jì)和制造的集成電路。與通...
2024-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料硅片數(shù)字信號處理器 767 0
分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機(jī)制不同,分凝吸雜,吸雜區(qū)一般都在器件區(qū)的外邊。
2024-04-01 標(biāo)簽:硅片 1340 0
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個墊面的高...
使用ICP-MS/MS進(jìn)行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實(shí)驗(yàn)過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
如何利用3D激光輪廓傳感器實(shí)現(xiàn)硅片位置度(搭邊)檢測
針對搭邊缺陷檢測,基于相機(jī)采集的深度圖像,導(dǎo)入VM 3D軟件中,依據(jù)mark點(diǎn)定位到每個料盤的四個角點(diǎn),分別在角點(diǎn)料坑上下曲小區(qū)域計(jì)算均值,可取四對或八...
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清...
本文回顧了硅片視覺檢測從EL檢測向PL檢測的技術(shù)轉(zhuǎn)變,詳細(xì)介紹了兩款革命性光源的崛起,包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高...
硅是地殼中第二豐富的元素(氧是第一-) 。它天然存在于硅酸鹽(含Si-O)巖石和沙子中。半導(dǎo)體器件制造中使用的元素硅是由高純度石英和石英巖砂生產(chǎn)的,這...
2023-06-30 標(biāo)簽:硅晶圓硅片半導(dǎo)體器件 1522 0
光伏行業(yè)一直是比拼技術(shù)實(shí)力的戰(zhàn)場。 政策驅(qū)動“中國制造”向“中國智造”的轉(zhuǎn)型之路上,新能源領(lǐng)域中的光伏行業(yè)占比不斷提升,國產(chǎn)化發(fā)展迅猛,這得益于光伏整個...
芯片,又稱微電路、微芯片、集成電路(integrated circuit, IC),是指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分...
光刻技術(shù)簡單來講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22...
將硅錠切成1mm左右一片片的wafer(晶圓)。晶圓尺寸有大有小,比如8inch, 12inch的晶圓,光刻的時候直接刻整個圓,然后切下來好多小芯片。
拋光液必須現(xiàn)場調(diào)配,立即使用。通過測量容積或液位實(shí)時確保各種成分的配比,實(shí)現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計(jì)量法來做配比,采用自動化的高精密...
硅錠生長是一個將多晶硅制成單晶硅的工序,將多晶硅加熱成液體后,精密控制熱環(huán)境,成長為高品質(zhì)的單晶。
2023-02-01 標(biāo)簽:硅片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 9412 0
常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...
2022年硅片需求大漲 2023年行情恐怕會發(fā)生反轉(zhuǎn)
半導(dǎo)體材料市場研究和咨詢公司TECHCET發(fā)布預(yù)測,2022年硅片市場(包括SOI晶圓)將同比增長12%,達(dá)到160億美元,出貨面積將同比增長6%,創(chuàng)歷史新高。
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