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標(biāo)簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。
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芯片,又稱(chēng)微電路、微芯片、集成電路(integrated circuit, IC),是指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分...
光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22...
前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類(lèi),主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片,本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱(chēng)硅單晶拋...
2022年硅片需求大漲 2023年行情恐怕會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)研究和咨詢(xún)公司TECHCET發(fā)布預(yù)測(cè),2022年硅片市場(chǎng)(包括SOI晶圓)將同比增長(zhǎng)12%,達(dá)到160億美元,出貨面積將同比增長(zhǎng)6%,創(chuàng)歷史新高。
使用ICP-MS/MS進(jìn)行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實(shí)驗(yàn)過(guò)程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
Fe和Cu污染對(duì)硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析
在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問(wèn)題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會(huì)大大降低硅器件的產(chǎn)量。...
2021-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片有機(jī)半導(dǎo)體 2806 0
能源被認(rèn)為是未來(lái)五十年人類(lèi)面臨的頭號(hào)問(wèn)題。據(jù)估計(jì),太陽(yáng)能在一小時(shí)內(nèi)顯示出供給的潛力,其能量足以滿(mǎn)足世界一年的能源需求總量。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是以...
常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通過(guò)注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...
近年來(lái),作為取代SPM(硫酸/過(guò)氧化氫)清洗的有機(jī)物去除法,通過(guò)添加臭氧的超純水進(jìn)行的清洗受到關(guān)注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實(shí)現(xiàn)清洗工序的...
在本研究中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷,我們還提出了300m...
半導(dǎo)體硅太陽(yáng)能電池基板的濕化學(xué)處理及電子界面特性
引言 硅(Si)在半導(dǎo)體器件制造中的大多數(shù)技術(shù)應(yīng)用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過(guò)簡(jiǎn)單的氧化方法在硅表面制備,其特點(diǎn)是高化學(xué)...
通道的導(dǎo)通電阻(rDS(on))是由通道的橫向和縱向電場(chǎng)控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當(dāng)VGS超過(guò)門(mén)限電壓(VGS(th)),F(xiàn)ET開(kāi)始導(dǎo)通。...
70年代以來(lái)制成了周邊固定支撐的電阻和硅膜片的一體化硅杯式擴(kuò)散型壓力傳感器。它不僅克服了粘片結(jié)構(gòu)的固有缺陷,而且能將電阻條、補(bǔ)償電路和信號(hào)調(diào)整電路集成在...
在關(guān)鍵尺寸的在線(xiàn)量測(cè)環(huán)節(jié),所運(yùn)用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical critical dimention,光學(xué)關(guān)鍵尺寸)量測(cè)設(shè)備。
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
如何利用3D激光輪廓傳感器實(shí)現(xiàn)硅片位置度(搭邊)檢測(cè)
針對(duì)搭邊缺陷檢測(cè),基于相機(jī)采集的深度圖像,導(dǎo)入VM 3D軟件中,依據(jù)mark點(diǎn)定位到每個(gè)料盤(pán)的四個(gè)角點(diǎn),分別在角點(diǎn)料坑上下曲小區(qū)域計(jì)算均值,可取四對(duì)或八...
壓阻式傳感器的結(jié)構(gòu)與產(chǎn)品推薦
當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí),各電阻值將發(fā)生變化,電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。?用作壓阻式傳感器的基片(或稱(chēng)膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感?...
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