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標(biāo)簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個里程碑。
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集成電路制造工藝中的氧化工藝(Oxidation Process)
濕氧氧化化學(xué)反應(yīng)式為H2O(水汽)+ Si = SiO2 +2H2;在濕氧工藝中,可在氧氣中直接攜帶水汽,也可以通過氫氣和氧氣反應(yīng)得到水汽,通過調(diào)節(jié)氫...
TOPCon:轉(zhuǎn)化效率24.5%以上問題不大,良率平均在96%,設(shè)備利用率平均在95%。設(shè)備利用率跟市場接受度和公司的產(chǎn)能計劃有關(guān)系。產(chǎn)能規(guī)劃在200GW以上。
硅片是芯片的起點(diǎn),2021年全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模達(dá)140億美元,行業(yè)高度集中,CR5市場份額接近90%。硅片是用量最大的半導(dǎo)體材料, 90%以上半導(dǎo)體...
半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況
半導(dǎo)體級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)的晶體生長,生成單晶硅棒,這個過程稱為晶體生長。半導(dǎo)體硅片則是指由單晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上進(jìn)行光刻、刻蝕、離子注...
2022-09-29 標(biāo)簽:硅片半導(dǎo)體制造 9.1k 0
2021年全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模為113億美元。預(yù)計到2030 年將達(dá)到 150 億美元,復(fù)合年增長率為 3.6%在預(yù)測期間(2022-2030 年)。...
近日,有媒體報道稱,某企業(yè)在互動平臺回復(fù)投資者提問時表示,用于28納米以下制程的12英寸硅片已納入《瓦森納協(xié)議》。隨后有媒體稱,其董秘在朋友圈做了相關(guān)解...
就在不久前,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)宣布,將超寬帶隙基板半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3),設(shè)計GAAFET架構(gòu)的先進(jìn)芯片EDA軟件工具等列入商業(yè)管...
硅片價格年內(nèi)九連漲,中國光伏龍頭海外被訴違約,光伏產(chǎn)業(yè)如何逆風(fēng)翻盤?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,隸屬于華納旗下的《財富》雜志公布了2022年中國500強(qiáng),其中有82家能源企業(yè),13家光伏企業(yè)榜上有名。據(jù)國家能源局...
2022-07-29 標(biāo)簽:光伏產(chǎn)業(yè)硅片 3.1k 0
晶片清洗和表面處理的重要性 RCA清洗過程的詳細(xì)步驟
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個工藝步驟,這取決于器件的具體類型。在將完整的晶片切割成單個芯片之前,大多數(shù)步驟都是作為單元工藝來執(zhí)行的。大約...
芯片的主要成分是硅。首先芯片的原料是晶圓,而晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所提煉出來的,晶圓便是硅元素加以純化,然后將這些純化的硅制成硅晶棒,就成了制造集...
中環(huán)半導(dǎo)體榮獲“2022全球光伏20強(qiáng)”等四項大獎
6月10日,中環(huán)半導(dǎo)體總經(jīng)理沈浩平受邀出席由365光伏主辦的全球新能源領(lǐng)袖企業(yè)高層論壇,與光伏領(lǐng)袖共話光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與技術(shù)發(fā)展路徑。
寧夏回族自治區(qū)黨委書記一行到中欣晶圓調(diào)研
2022年4月16 日,寧夏回族自治區(qū)黨委書記梁言順一行調(diào)研疫情防控和經(jīng)濟(jì)發(fā)展工作時來到寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司(下簡稱“寧夏中欣晶圓”)。
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比,應(yīng)力更小。 ...
為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片...
200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實驗
在襯底溫度、壓力和紫外暴露等不同工藝條件下,在200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實驗,通過在200?C的襯底溫度下,在150秒內(nèi)去除約20...
利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻,在晶體硅片上生成了錐體分層結(jié)構(gòu),經(jīng)氟化后表現(xiàn)出較強(qiáng)的抗反射和超疏水性,利用紫外輔助壓印光刻技術(shù)將分層硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到NOA63...
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