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標(biāo)簽 > 硅片

硅片

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 硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個里程碑。

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硅片資訊

集成電路制造工藝中的氧化工藝(Oxidation Process)

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2022-10-27 標(biāo)簽:集成電路硅片 1.5萬 0

TOPCon、HJT、XBC的發(fā)展如何

TOPCon:轉(zhuǎn)化效率24.5%以上問題不大,良率平均在96%,設(shè)備利用率平均在95%。設(shè)備利用率跟市場接受度和公司的產(chǎn)能計劃有關(guān)系。產(chǎn)能規(guī)劃在200GW以上。

2022-10-14 標(biāo)簽:電阻硅片電池 3.3k 0

全球半導(dǎo)體硅片市場發(fā)展趨勢分析

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2022-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅片 3.2k 0

半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況

半導(dǎo)體級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)的晶體生長,生成單晶硅棒,這個過程稱為晶體生長。半導(dǎo)體硅片則是指由單晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上進(jìn)行光刻、刻蝕、離子注...

2022-09-29 標(biāo)簽:硅片半導(dǎo)體制造 9.1k 0

全球半導(dǎo)體硅片市場發(fā)展情況分析

2021年全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模為113億美元。預(yù)計到2030 年將達(dá)到 150 億美元,復(fù)合年增長率為 3.6%在預(yù)測期間(2022-2030 年)。...

2022-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅片 3k 0

了解國產(chǎn)硅片的現(xiàn)狀

近日,有媒體報道稱,某企業(yè)在互動平臺回復(fù)投資者提問時表示,用于28納米以下制程的12英寸硅片已納入《瓦森納協(xié)議》。隨后有媒體稱,其董秘在朋友圈做了相關(guān)解...

2022-09-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅片 1.6k 0

用于28nm以下制程的12英寸硅片納入瓦森納協(xié)定

就在不久前,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)宣布,將超寬帶隙基板半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3),設(shè)計GAAFET架構(gòu)的先進(jìn)芯片EDA軟件工具等列入商業(yè)管...

2022-09-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片14nm 2.5k 0

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硅片價格年內(nèi)九連漲,中國光伏龍頭海外被訴違約,光伏產(chǎn)業(yè)如何逆風(fēng)翻盤?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,隸屬于華納旗下的《財富》雜志公布了2022年中國500強(qiáng),其中有82家能源企業(yè),13家光伏企業(yè)榜上有名。據(jù)國家能源局...

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硅集成電路(IC)的制造需要500-600個工藝步驟,這取決于器件的具體類型。在將完整的晶片切割成單個芯片之前,大多數(shù)步驟都是作為單元工藝來執(zhí)行的。大約...

2022-07-14 標(biāo)簽:集成電路硅片清洗 5.8k 0

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用半導(dǎo)體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。

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中環(huán)半導(dǎo)體榮獲“2022全球光伏20強(qiáng)”等四項大獎

6月10日,中環(huán)半導(dǎo)體總經(jīng)理沈浩平受邀出席由365光伏主辦的全球新能源領(lǐng)袖企業(yè)高層論壇,與光伏領(lǐng)袖共話光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與技術(shù)發(fā)展路徑。

2022-06-12 標(biāo)簽:新能源光伏硅片 1.8k 0

寧夏回族自治區(qū)黨委書記一行到中欣晶圓調(diào)研

2022年4月16 日,寧夏回族自治區(qū)黨委書記梁言順一行調(diào)研疫情防控和經(jīng)濟(jì)發(fā)展工作時來到寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司(下簡稱“寧夏中欣晶圓”)。

2022-04-19 標(biāo)簽:硅片中欣晶圓 3k 0

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為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片...

2022-03-25 標(biāo)簽:裝置蝕刻硅片 4.2k 0

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在襯底溫度、壓力和紫外暴露等不同工藝條件下,在200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實驗,通過在200?C的襯底溫度下,在150秒內(nèi)去除約20...

2022-03-21 標(biāo)簽:工藝參數(shù)硅片 715 0

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利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻,在晶體硅片上生成了錐體分層結(jié)構(gòu),經(jīng)氟化后表現(xiàn)出較強(qiáng)的抗反射和超疏水性,利用紫外輔助壓印光刻技術(shù)將分層硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到NOA63...

2022-03-17 標(biāo)簽:蝕刻硅片儀器 1k 0

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,...

2022-03-16 標(biāo)簽:光纖蝕刻硅片 1.1k 0

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報告

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報告

刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示, 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產(chǎn)量, 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝...

2022-03-15 標(biāo)簽:材料硅片刻蝕 4.1k 0

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  • 半導(dǎo)體行業(yè)
    半導(dǎo)體行業(yè)
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      半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè),屬于硬件產(chǎn)業(yè),以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的一個產(chǎn)業(yè)。
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    華虹集團(tuán)在建設(shè)運(yùn)營我國第一條深亞微米超大規(guī)模8英寸集成電路生產(chǎn)線的同時,逐步發(fā)展成 為以芯片制造業(yè)務(wù)為核心,集成電路系統(tǒng)集成和應(yīng)用服務(wù)、芯片制造工藝研發(fā)、電子元 器件貿(mào)易、海內(nèi)外風(fēng)險投資等業(yè)務(wù)平臺共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
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    WiFi芯片
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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