用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物，并添加化學(xué)物質(zhì)來調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤濕性。當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時，蝕刻速率將隨時間而降低。這種變化已經(jīng)建模。這些模型可以延長時間，補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì)，或者兩者兼而有之。

硅蝕刻

硅的各向同性濕蝕刻最常用的化學(xué)方法是硝酸和氫氟酸的結(jié)合。它通常被稱為海航體系(HF:硝酸:乙酸)與醋酸添加作為濕工作臺應(yīng)用的緩沖。硝酸作為氧化劑將表面轉(zhuǎn)化為二氧化硅，然后HF腐蝕(溶解)氧化物。其反應(yīng)過程如下所示

實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)是在SSEC 3300系列單片自旋處理器系統(tǒng)上進(jìn)行的。所采用的化學(xué)方法是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合。化學(xué)再循環(huán)采用SSEC的收集環(huán)技術(shù)。在蝕刻過程中有許多工藝參數(shù)可以改變，從以前的工作中選擇了一個優(yōu)化的工藝來進(jìn)行這項(xiàng)研究。

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

圖1:恒定蝕刻時間下的硅蝕刻深度。

模型

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

　　審核編輯：湯梓紅

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工藝(30167) 工藝(30167)
蝕刻(16534) 蝕刻(16534)
硅片(35644) 硅片(35644)

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2025-08-05 17:05:20

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TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域

2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣，會根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動態(tài)調(diào)整，涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級薄膜

2025-08-05 15:03:08

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濕法刻蝕的主要影響因素一覽

濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細(xì)分析：1.化學(xué)試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學(xué)活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底

2025-08-04 14:59:28

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半導(dǎo)體濕法flush是什么意思

在半導(dǎo)體制造中，“濕法flush”（WetFlush）是一種關(guān)鍵的清洗工藝步驟，具體含義如下：定義與核心目的字面解析：“Flush”意為“沖洗”，而“濕法”指使用液體化學(xué)品進(jìn)行操作。該過程通過噴淋或

2025-08-04 14:53:23

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光阻去除工藝有哪些

光阻去除工藝（即去膠工藝）是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術(shù)方案及其特點(diǎn)：一、濕法去膠技術(shù)1.有機(jī)溶劑溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮

2025-07-30 13:25:43

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晶圓清洗工藝有哪些類型

晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓

2025-07-23 14:32:16

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晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程

晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面

2025-07-15 15:00:22

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晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠

2025-07-15 14:59:01

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半導(dǎo)體哪些工序需要清洗

污染物。方法：濕法化學(xué)清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。硅片拋光后清洗目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序光刻膠涂覆前清洗目的：去除硅

2025-07-14 14:10:02

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研磨盤在哪些工藝中常用

研磨盤在多種工藝中都是不可或缺的工具，主要用于實(shí)現(xiàn)工件表面的高精度加工和成形。以下是研磨盤常用的工藝領(lǐng)域及具體應(yīng)用： ? 一、半導(dǎo)體制造工藝 ? ? 晶圓減薄與拋光 ? 用于硅、碳化硅等半導(dǎo)體晶圓

2025-07-12 10:13:41

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硅片的 TTV，Bow, Warp,TIR 等參數(shù)定義

，明確其在硅片制造和應(yīng)用中的重要意義。 TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化）定義 TTV 指的是在硅片同一表面上，硅片最大厚度與最小厚度的差值，用于表征硅片厚度

2025-07-01 09:55:08

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濕法清洗臺專業(yè)濕法制程

濕法清洗臺是一種專門用于半導(dǎo)體、電子、光學(xué)等高科技領(lǐng)域的精密清洗設(shè)備。它主要通過物理和化學(xué)相結(jié)合的方式，對芯片、晶圓、光學(xué)元件等精密物體表面進(jìn)行高效清洗和干燥處理。從工作原理來看，物理清洗方面，它

2025-06-30 13:52:37

晶圓濕法清洗設(shè)備適配復(fù)雜清潔挑戰(zhàn)

鍵設(shè)備的技術(shù)價值與產(chǎn)業(yè)意義。一、晶圓濕法清洗：為何不可或缺？晶圓在制造過程中會經(jīng)歷多次光刻、刻蝕、沉積等工藝，表面不可避免地殘留光刻膠、金屬污染物、氧化物或顆粒。這些污染

2025-06-25 10:26:37

半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備滿足產(chǎn)能躍升需求

半導(dǎo)體濕法清洗是芯片制造過程中的關(guān)鍵工序，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物等），確保后續(xù)工藝的良率與穩(wěn)定性。隨著芯片制程向更小尺寸（如28nm以下）發(fā)展，濕法清洗設(shè)備

2025-06-25 10:21:37

金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合

2025-06-24 10:58:22

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硅熔融鍵合工藝概述

硅片鍵合作為微機(jī)械加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其工藝分類與應(yīng)用場景的精準(zhǔn)解析對行業(yè)實(shí)踐具有重要指導(dǎo)意義。

2025-06-20 16:09:02

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微加工激光蝕刻技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)

特殊工藝(如高溫鍵合、濺射、電鍍等)形成金屬導(dǎo)電層(通常為銅箔)，并經(jīng)激光蝕刻、鉆孔等微加工技術(shù)制成精密電路的電子封裝核心材料。它兼具陶瓷的優(yōu)異物理特性和金屬的導(dǎo)電能力，是高端功率電子器件的關(guān)鍵載體。下面我們將通過基本原理及特性、工藝對比、工藝價值等方向進(jìn)行拓展。

2025-06-20 09:09:45

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MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對準(zhǔn)精度。

2025-06-18 11:30:49

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預(yù)清洗機(jī) 多種工藝兼容

預(yù)清洗機(jī)（Pre-Cleaning System）是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前，對晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等

2025-06-17 13:27:16

全自動mask掩膜板清洗機(jī)

一、產(chǎn)品概述全自動Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆

2025-06-17 11:06:03

精密傳感技術(shù)驅(qū)動半導(dǎo)體未來：明治傳感器在CMP/量測/減薄機(jī)的應(yīng)用

化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）、量測設(shè)備與減薄機(jī)的關(guān)鍵工位，為芯片良率與生產(chǎn)效率提供底層支撐。從納米級的精度控制，到全流程的質(zhì)量守護(hù)，本文將通過15大經(jīng)典應(yīng)用場景，揭示明治

2025-06-17 07:33:23

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一文詳解銅互連工藝

銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Damascene）工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是：在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔，然后在溝槽或通孔中沉積銅，并通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）去除多余的銅，從而形成嵌入式的金屬線。

2025-06-16 16:02:02

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光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)

2025-06-09 15:51:16

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蘇州濕法清洗設(shè)備

蘇州芯矽電子科技有限公司（以下簡稱“芯矽科技”）是一家專注于半導(dǎo)體濕法設(shè)備研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，成立于2018年，憑借在濕法清洗領(lǐng)域的核心技術(shù)積累和創(chuàng)新能力，已發(fā)展成為國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域

2025-06-06 14:25:28

激光劃刻工藝革新：20.24%高效鈣鈦礦組件的長期穩(wěn)定性突破

，傳統(tǒng)組件制備中的激光劃刻工藝（尤其是P3頂電極隔離步驟）會引發(fā)鈣鈦礦材料熱降解，但機(jī)制不明。本文通過調(diào)控激光脈沖重疊度，結(jié)合美能鈣鈦礦在線PL測試機(jī)評估激光刻劃過程引起的材料缺陷和界面狀態(tài)

2025-06-06 09:02:54

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wafer清洗和濕法腐蝕區(qū)別一覽

在半導(dǎo)體制造中，wafer清洗和濕法腐蝕是兩個看似相似但本質(zhì)不同的工藝步驟。為了能讓大家更好了解，下面我們就用具體來為大家描述一下其中的區(qū)別： Wafer清洗和濕法腐蝕是半導(dǎo)體制造中的兩個關(guān)鍵工藝

2025-06-03 09:44:32

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晶圓減薄工藝分為哪幾步

“減薄”，也叫 Back Grinding（BG），是將晶圓（Wafer）背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前（即晶圓仍然整體時），是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。

2025-05-30 10:38:52

1658

MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對晶圓 TTV 厚度的影響機(jī)制及測量優(yōu)化

與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測量方法意義重大。影響機(jī)制工藝應(yīng)力引發(fā)變形在金屬陽極像素制作時，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過程會因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對晶圓表面的作用若不均

2025-05-29 09:43:43

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一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。

2025-05-28 16:42:54

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優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量

2025-05-22 10:05:57

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減薄對后續(xù)晶圓劃切的影響

完成后，晶圓才會進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。晶圓為什么要減薄封裝階段對晶圓進(jìn)行減薄主要基于多重考量。從劃片工藝角度，較厚晶圓硬度較高，在傳統(tǒng)機(jī)械切割時易出現(xiàn)劃片不均、

2025-05-16 16:58:44

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簡單認(rèn)識晶圓減薄技術(shù)

英寸晶圓厚度約為670微米，8英寸晶圓厚度約為725微米，12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行。直至芯片前制程完成后，晶圓才會進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。

2025-05-09 13:55:51

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半導(dǎo)體封裝工藝流程的主要步驟

半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢查、成品測試和包裝出庫，涵蓋了前段（FOL）、中段（EOL）、電鍍（plating）、后段（EOL）以及終測（final test）等多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

2025-05-08 15:15:06

4324

請問如何檢查CYUSB3014的硅片版本？

你好，如何獲取 CYUSB3014 的硅片修訂版本？USBIF 需要這些信息，謝謝。

2025-04-30 06:30:24

半導(dǎo)體清洗SC1工藝

半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學(xué)清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點(diǎn)

2025-04-28 17:22:33

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質(zhì)量流量控制器在薄膜沉積工藝中的應(yīng)用

聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么？簡單來說：薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。薄膜沉積（Thin Film Deposition）是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜，再配合蝕刻和拋光等工藝

2025-04-16 14:25:09

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最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料，涵蓋晶圓工藝到后端封測

。第1章半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹第2章半導(dǎo)體材料特性第3章器件技術(shù) 第4章硅和硅片制備第5章半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品第6章硅片制造中的沾污控制第7章測量學(xué)和缺陷檢查第8章工藝腔內(nèi)的氣體控制

2025-04-15 13:52:11

晶圓高溫清洗蝕刻工藝介紹

晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場需求的增長情況下，我們來給大家介紹一下詳情。一、工藝原理清洗原理高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用

2025-04-15 10:01:33

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【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】芯片怎樣制造

。光刻工藝、刻蝕工藝在芯片制造過程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個半導(dǎo)體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。首先準(zhǔn)備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一

2025-04-02 15:59:44

晶圓濕法清洗工作臺工藝流程

晶圓濕法清洗工作臺是一個復(fù)雜的工藝，那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是，既然是復(fù)雜的工藝每個流程都很重要，為此我們需要仔細(xì)謹(jǐn)慎，這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達(dá)到最佳效果。晶圓濕法清洗

2025-04-01 11:16:27

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【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺。光掩模版:基板，不透光材料光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。正性和負(fù)性。光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻工藝

2025-03-27 16:38:20

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。

2025-03-27 09:21:33

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CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請教下用于光電信號放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片， CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

2025-03-25 06:23:13

什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制

2025-03-12 17:02:49

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濕法刻蝕：晶圓上的微觀雕刻

在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)

2025-03-12 13:59:11

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等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問題的影響，從而影響集成電路可靠性。

2025-03-01 15:58:15

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想做好 PCB 板蝕刻？先搞懂這些影響因素

影響 PCB 板蝕刻的因素電路板從發(fā)光板轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復(fù)雜。當(dāng)前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電路圖形部分），預(yù)先涂覆一層鉛錫耐腐蝕層，隨后

2025-02-27 16:35:58

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半導(dǎo)體濕法清洗有機(jī)溶劑有哪些

在半導(dǎo)體制造的精密世界里，濕法清洗是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在這一過程中，有機(jī)溶劑的選擇至關(guān)重要。那么，半導(dǎo)體濕法清洗中常用的有機(jī)溶劑究竟有哪些呢？讓我們一同來了解。半導(dǎo)體濕法清洗中常

2025-02-24 17:19:57

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半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝解析

半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而

2025-02-20 10:13:13

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背金工藝的工藝流程

。 ? 2，grinding ：將硅片背面研磨，減薄到適宜厚度，采用機(jī)械拋光的方法 ? 3，Si etch：在背面減薄之后，硅片背面會有很

2025-02-12 09:33:18

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深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方法。在本博客中，我們將詳細(xì)探討化學(xué)蝕刻工藝及其

2025-01-25 15:09:00

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蝕刻基礎(chǔ)知識

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etched sidewall）提供增益波導(dǎo)或折射率波導(dǎo)效果，同時靠近活性層的高鋁含量砷化鋁鎵層也才

2025-01-22 14:23:49

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干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用。 ? 1干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當(dāng)器件尺寸進(jìn)入亞微米級（化學(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強(qiáng)度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法蝕刻通常需要在高溫或特定條件下進(jìn)行，

2025-01-22 10:59:23

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