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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅MOSFET并聯(lián)運(yùn)作提升功率輸出
碳化硅(SiC)MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個(gè)設(shè)備的電流更大,那么它就會(huì)加熱,相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣,過(guò)...
高壓800V充電系統(tǒng)如上所說(shuō)的 需要增加外部主動(dòng)的液冷系統(tǒng),傳統(tǒng)風(fēng)冷無(wú)論是主動(dòng)還是被動(dòng)冷卻均無(wú)法滿足要求,對(duì)于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高,...
2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車動(dòng)力電池充電系統(tǒng) 5.4k 0
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
華為2024年部署將超過(guò)10萬(wàn)個(gè)全液冷超快充充電樁
隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體與高倍率動(dòng)力電池的日益成熟,電動(dòng)汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級(jí)車走向A級(jí)車及商用車,...
2023-12-18 標(biāo)簽:動(dòng)力電池華為MOS 1.2k 0
與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...
2023-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 4.2k 0
隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器...
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),...
碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...
使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機(jī)OBC設(shè)計(jì)
電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(On Board Charger,OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從微型電動(dòng)汽車應(yīng)用中的2KW,到高端電動(dòng)汽車中...
2023-12-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 2.4k 0
碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
一是可以直接利用,特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域;二是它足夠多:據(jù)計(jì)算,海平面上,每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力,如果考慮日/夜周期,入射角,季節(jié)性等因素,每天...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來(lái)趨勢(shì)
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長(zhǎng)的性能需求,碳化硅(SiC)...
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2.5k 0
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...
碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能,不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...
碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時(shí)需注意的事項(xiàng)有哪些?
技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時(shí),通常需要采取一些措施保障來(lái)處理可能會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題。
2023-12-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器散熱器 1.5k 0
碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而,隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展,傳統(tǒng)...
有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過(guò)熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過(guò)早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...
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