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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵 853 0

碳化硅MOSFET并聯(lián)運作提升功率輸出

碳化硅（SiC）MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個設(shè)備的電流更大，那么它就會加熱，相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣，過...

2023-12-19 標(biāo)簽：MOSFET 元器件碳化硅 1.2k 0

聊聊800V充電樁的充電原理

高壓800V充電系統(tǒng)如上所說的需要增加外部主動的液冷系統(tǒng)，傳統(tǒng)風(fēng)冷無論是主動還是被動冷卻均無法滿足要求，對于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高，...

2023-12-19 標(biāo)簽：電動汽車動力電池充電系統(tǒng) 5.4k 0

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析

碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SBD 1.3k 0

華為2024年部署將超過10萬個全液冷超快充充電樁

隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體與高倍率動力電池的日益成熟，電動汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級車走向A級車及商用車，...

2023-12-18 標(biāo)簽：動力電池華為 MOS 1.2k 0

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 4.2k 0

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器...

2023-12-16 標(biāo)簽：太陽能半導(dǎo)體功率器件 2k 0

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，...

2023-12-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用現(xiàn)狀

　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.3k 0

使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機OBC設(shè)計

電動汽車車載充電機（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動汽車應(yīng)用中的2KW，到高端電動汽車中...

2023-12-13 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 2.4k 0

碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力，如果考慮日/夜周期，入射角，季節(jié)性等因素，每天...

2023-12-13 標(biāo)簽：太陽能逆變器光伏 1.5k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。

2023-12-12 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2.5k 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4.7k 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1.9k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.3k 0

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結(jié)技術(shù)

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓燒結(jié) 6.4k 0

碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時需注意的事項有哪些？

技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時，通常需要采取一些措施保障來處理可能會出現(xiàn)的問題。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器散熱器 1.5k 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2.4k 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 M...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 熱管理 1.2k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅技術(shù)

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