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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵 853 0

碳化硅MOSFET并聯(lián)運(yùn)作提升功率輸出

碳化硅（SiC）MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個(gè)設(shè)備的電流更大，那么它就會(huì)加熱，相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣，過(guò)...

2023-12-19 標(biāo)簽：MOSFET 元器件碳化硅 1.2k 0

聊聊800V充電樁的充電原理

高壓800V充電系統(tǒng)如上所說(shuō)的需要增加外部主動(dòng)的液冷系統(tǒng)，傳統(tǒng)風(fēng)冷無(wú)論是主動(dòng)還是被動(dòng)冷卻均無(wú)法滿足要求，對(duì)于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高，...

2023-12-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車動(dòng)力電池充電系統(tǒng) 5.4k 0

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析

碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SBD 1.3k 0

華為2024年部署將超過(guò)10萬(wàn)個(gè)全液冷超快充充電樁

隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體與高倍率動(dòng)力電池的日益成熟，電動(dòng)汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級(jí)車走向A級(jí)車及商用車，...

2023-12-18 標(biāo)簽：動(dòng)力電池華為 MOS 1.2k 0

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 4.2k 0

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器...

2023-12-16 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體功率器件 2k 0

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，...

2023-12-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.3k 0

使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機(jī)OBC設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動(dòng)汽車應(yīng)用中的2KW，到高端電動(dòng)汽車中...

2023-12-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 2.4k 0

碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力，如果考慮日/夜周期，入射角，季節(jié)性等因素，每天...

2023-12-13 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器光伏 1.5k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來(lái)趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長(zhǎng)的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。

2023-12-12 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2.5k 0

碳化硅的優(yōu)勢(shì)和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4.7k 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1.9k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.3k 0

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結(jié)技術(shù)

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓燒結(jié) 6.4k 0

碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時(shí)需注意的事項(xiàng)有哪些？

技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時(shí)，通常需要采取一些措施保障來(lái)處理可能會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器散熱器 1.5k 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2.4k 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過(guò)熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過(guò)早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 熱管理 1.2k 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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