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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個工程術(shù)語,通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。
車載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動車內(nèi)的零部件,它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電,給整車高壓動力電池充電。
2023-09-21 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2101 0
碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展
無論是 1 級還是 2 級充電器,都是為電動汽車提供交流電,因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來為電池充電的關(guān)鍵。目前,市面部署的大多數(shù)充電器都是...
2023-09-20 標(biāo)簽:混合動力汽車電力系統(tǒng)碳化硅 601 0
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下,預(yù)計(jì)到45年,電動汽車將達(dá)到新車總銷量的...
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
太陽能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 480 0
碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用前景
碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,其能使系統(tǒng)效率更高,質(zhì)量更輕,結(jié)構(gòu)更緊湊。如今,碳化硅技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場景來助...
? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下,預(yù)計(jì)到45年,電動汽車將達(dá)到新車總銷...
納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲能方式
電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國,由于儲能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)有限,利用電力儲存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。
在上周的推文中,我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
2023-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1957 0
緯湃科技開發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊,將采用傳遞模塑工藝制造
據(jù)悉,該功率模塊由三個包覆成型的半橋組成,構(gòu)成逆變器系統(tǒng)的核心,控制高壓電動汽車的驅(qū)動能量和能量回收。
SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基...
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
隨著新能源汽車市場的爆發(fā),電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場,行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。
相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
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