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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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近日，中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員劉曉迪等與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授李傳鋒、教授許金時(shí)、研究員王俊峰（現(xiàn)四川大學(xué)）等合作，在國際上首次實(shí)現(xiàn)了...
晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些？晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些？
晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢，它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...
銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來自清華大學(xué)，以新材料新工藝新產(chǎn)品推動(dòng)公司發(fā)展，掌握國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...
碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)...
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...
碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？
碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...
碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢
隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 標(biāo)簽：MOSFET逆變器芯片設(shè)計(jì) 1797 0
在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下，車載功率半導(dǎo)體需求量激增，其中，碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1139 0
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)...
GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1438 0
碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和...
2023-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 895 0
為什么不用SiC來做IGBT？未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢？
IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 1565 0
氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
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