硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類(lèi)型。一般來(lái)說(shuō)，MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.3k 0

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車(chē)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 509 0

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無(wú)源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?，再到更?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1.5k 0

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車(chē)驅(qū)動(dòng)...

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC 717 0

駐波效應(yīng)是什么？如何產(chǎn)生的？有什么危害？如何抑制駐波效應(yīng)？

駐波效應(yīng)，在先進(jìn)光刻制程中一個(gè)不可忽視的現(xiàn)象，能引發(fā)一系列的光刻質(zhì)量問(wèn)題，以至于嚴(yán)重影響著圖案的精度。

2023-10-13 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 3.1k 1

碳化硅二極管優(yōu)于同行的8個(gè)原因

SiC的導(dǎo)熱性比Si好近3.5倍，使其每單位面積可以耗散更多的功率（熱量）。雖然封裝可能是連續(xù)運(yùn)行期間的限制因素，但SiC提供的顯著額外裕量為易受瞬態(tài)熱...

2023-10-12 標(biāo)簽：二極管功率轉(zhuǎn)換器碳化硅 2.1k 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 1.6k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 6.4k 1

中國(guó)新能源汽車(chē)高壓控制器芯片白皮書(shū)

　我們的研究顯示，早期市場(chǎng)的發(fā)展多由政策推動(dòng)，隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持，新能源汽車(chē)產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比得到了極大的提升?！袄m(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗(yàn)”的雙...

2023-10-09 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)控制器功率器件 723 0

陽(yáng)光電動(dòng)力混合動(dòng)力雙電機(jī)控制器四大關(guān)鍵

針對(duì)整車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)艙裝配空間有限的痛點(diǎn)，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計(jì)，應(yīng)用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結(jié)構(gòu)更加緊湊，實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)控制器電機(jī)控制器 2.2k 0

碳化硅器件“上車(chē)”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1.2k 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...

2023-09-27 標(biāo)簽：新能源MOSFETMOS 2.4k 0

電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)核心技術(shù)是什么

基于第1部分，電機(jī)動(dòng)力對(duì)多數(shù)用戶(hù)已經(jīng)夠用甚至過(guò)剩的前提，下圖是某電機(jī)能效Map圖，可以清楚看到，在多數(shù)日常使用轉(zhuǎn)速區(qū)間內(nèi)，電機(jī)的能效都是在90%以上的。...

2023-09-27 標(biāo)簽：電機(jī)控制減速器碳化硅 1.2k 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 8.4k 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：BGASiC芯片封裝 1.1k 0