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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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特氟龍夾具的晶圓夾持方式,相比真空吸附方式,對測量晶圓 BOW 的影響
在半導體制造領域,晶圓作為芯片的基礎母材,其質量把控的關鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW(彎曲度)的精確測量。而在測量過程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真...
測量探頭的 “溫漂” 問題,對于氮化鎵襯底厚度測量的實際影響
在半導體制造這一微觀且精密的領域里,氮化鎵(GaN)襯底作為高端芯片的關鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發(fā)展。然而,氮化鎵襯底厚度測...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領域得到廣泛應用。...
碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術至...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩(wěn)定性,在半導體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。SiC襯底是...
功率器件熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下,節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策,推動能源結構轉型和低碳經(jīng)濟發(fā)展,旨在實現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設定...
測量探頭的 “溫漂” 問題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對于碳化硅襯底厚度測量的影響
在半導體制造這一高精尖領域,碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關鍵基礎材料,其厚度測量的準確性如同精密機械運轉的核心齒輪,容不得絲毫差錯。然而,測量...
測量探頭的 “溫漂” 問題,對于碳化硅襯底厚度測量的實際影響
在半導體制造的微觀世界里,碳化硅襯底作為新一代芯片的關鍵基石,其厚度測量的精準性如同精密建筑的根基,不容有絲毫偏差。然而,測量探頭的 “溫漂” 問題卻如...
不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
在當今蓬勃發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關鍵基礎材料,正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WA...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導體技術的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領域,設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。 本文為白皮...
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個領域展現(xiàn)...
碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討...
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