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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應(yīng)用的潛力
紫外(UV)光譜可分為UV-A(315~400?nm)、UV-B(280~315?nm)和UV-C(200~280?nm)頻段。由于敏感光譜帶寬很寬,因...
2022-11-03 標(biāo)簽:帶寬碳化硅CMOS技術(shù) 3k 0
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...
富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案
該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺(tái),融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...
2022-10-31 標(biāo)簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 1k 0
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...
2022-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅 9.9k 0
在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器;3)在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。
2022-10-19 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1.8k 0
淺析5G系統(tǒng)對(duì)蜂窩無(wú)線的功率放大器設(shè)計(jì)
盡管 5G 提升了帶寬,但其更高的頻率更容易造成信號(hào)衰減。由于更高的帶寬會(huì)導(dǎo)致更低的信噪比(SNR),增加帶寬并不會(huì)導(dǎo)致容量的線性增加。解決這一問(wèn)題的一...
介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過(guò)程
相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究
作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...
近年來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)和...
全新沉積技術(shù)SPARC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計(jì)
使用 SPARC 或單個(gè)前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅(jiān)固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...
一文解析SMPD封裝設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設(shè)計(jì)人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
近幾年,碳化硅作為一種無(wú)機(jī)材料,其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論,它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外,因其獨(dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到其...
測(cè)量DBC陶瓷基板在功率模塊的散熱和熱穩(wěn)定性功能
碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,也是被認(rèn)為要求更高功率和更高溫度的電力電子應(yīng)用最佳材料。由于這些WBG半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,如寬禁帶(>3...
碳化硅成本何時(shí)下降?超充與換電方案孰優(yōu)孰劣?
續(xù)航以及補(bǔ)能問(wèn)題一直是困擾電動(dòng)汽車發(fā)展的因素,當(dāng)前主流電動(dòng)汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動(dòng)...
對(duì)于多數(shù)電動(dòng)汽車用戶來(lái)說(shuō),在家或是在公司進(jìn)行目的地充電應(yīng)該是更常用,也是更理想的方式,這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機(jī) OBC(On-b...
如今碳化硅陶瓷基板,在功率模塊下高溫汽車逆變器應(yīng)用中提供出色的熱性能和高可靠性。與傳統(tǒng)的引線鍵合功率模塊相比,卓越的開關(guān)性能降低了開關(guān)的損耗性,因此可以...
金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過(guò)使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒(méi)有形成化學(xué)氧化物,這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對(duì)金...
碳化硅MOS四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)
瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過(guò)多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場(chǎng)和客戶認(rèn)可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)...
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