基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...

2021-04-06 標(biāo)簽：電磁干擾SiC氮化鎵 3839 0

基于無芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-04-12 標(biāo)簽：變壓器MOSFET碳化硅 2662 0

SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案

本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出，出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。

2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET監(jiān)控電路SiC 6337 0

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標(biāo)簽：變壓器功率器件Rohm 4482 0

SiC對電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過程

由于SiC具有高導(dǎo)熱性，因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運(yùn)行，并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。

2021-05-13 標(biāo)簽：SiC碳化硅 2807 0

C2000?實時微控制器 （MCU）應(yīng)對GaN 開關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2021-05-17 標(biāo)簽：mcu氮化鎵碳化硅 3420 0

面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng)，例如用于主逆變器電機(jī)，泵，HVAC壓縮機(jī)，制動...

2021-05-18 標(biāo)簽：電動汽車二極管IGBT 2439 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵碳化硅 4907 0

碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

隨著云計算的概念越來越流行，數(shù)據(jù)量越來越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源，而 UPS（不間斷電源）...

2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅SiC MOSFET 3131 0

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢分析

碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強(qiáng)、三倍的帶...

2021-06-15 標(biāo)簽：碳化硅肖特基勢壘二極管 1.1萬 0

碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計方案

對于可再生能源設(shè)備，如太陽能逆變器和儲能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻晶體管 3896 0

如何有效地檢測Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非?？焖俚幕謴?fù)時間，這可提高開關(guān)速率，并減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

2021-01-06 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2841 0

一款雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計方案解析

電池供電的便攜設(shè)備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。 這些...

2020-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池超級電容器電感器 5338 0

碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。

2020-10-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 4640 0

碳化硅材料的特點和應(yīng)用

碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。

2020-10-02 標(biāo)簽：硅材料碳化硅 1.4萬 0

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因為...

2020-09-07 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅氮化鎵晶體管 2.0萬 0

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場份額預(yù)計將在未來幾年加速增長，主要推動因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動力傳動牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽：MOSFET肖特基二極管碳化硅 2081 0