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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 3439 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關(guān)效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標(biāo)簽：電阻 MOSFET SiC 1188 0

硬開關(guān)和軟開關(guān)的主要區(qū)別

? 在功率轉(zhuǎn)換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的...

2024-06-13 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器軟開關(guān)碳化硅 2.4萬 0

電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程

摘要本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...

2024-06-04 標(biāo)簽：模塊逆變器 IGBT 764 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1470 0

碳化硅器件的基本特性都有哪些？

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表，近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。

2024-05-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 2266 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1365 0

R24C2T25可簡化SiC的選擇和評估過程

毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

2024-05-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 GaN 686 0

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 992 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。

2024-04-26 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 892 0

碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動力

隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運輸領(lǐng)域的變革，因為我們需...

2024-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅汽車 1251 0

什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。

2024-04-18 標(biāo)簽：SiC 熱處理碳化硅 3484 0

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢！

在追求能源效率和對高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1667 0

碳化硅在新型電力體系中的應(yīng)用

目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關(guān)。如IGCT其耐壓可達6.5kV，通斷電流可達4000A。但在輸電系統(tǒng)中，其電壓電...

2024-04-16 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT 配電系統(tǒng) 1461 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個重要進展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件 SiC 1102 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽：變壓器電感器功率器件 728 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1853 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M...

2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 SiC 1705 0

碳化硅器件在車載充電機（OBC）中的性能優(yōu)勢

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上...

2024-04-10 標(biāo)簽：電動汽車功率器件碳化硅 922 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 543 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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