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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對SiC功...

2024-04-07 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓功率器件 965 0

碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場景中。

2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器功率器件 783 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

2024-04-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 3922 0

碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析

碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、開關(guān)速度極快、驅(qū)動能力要求相對低等特點(diǎn)，是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。

2024-04-01 標(biāo)簽：MOSFET 變換器電源供電 3333 0

電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系？它如何跟上摩爾定律的步伐？

根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對任何系統(tǒng)（或系統(tǒng)集合）進(jìn)行分析時，將源與負(fù)載分開出來能幫助整個過程。

2024-03-28 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管碳化硅 1142 0

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

2024-03-28 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 安森美 1884 0

探秘功率二極管反向恢復(fù)抑制的三大法寶

為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的...

2024-03-27 標(biāo)簽：二極管功率二極管 emi 2818 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 753 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標(biāo)簽：SiC 晶片光刻機(jī) 1570 0

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。

2024-03-26 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 安森美 2442 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

2024-03-21 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 848 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標(biāo)簽：二極管 IGBT MOS 9244 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

2024-03-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率器件 SiC 946 0

中國碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

國際半導(dǎo)體IDM廠商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC 碳化硅射頻器件 1631 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC Infineon 碳化硅 412 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 738 0

在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動化的滾滾浪潮中，一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅(qū)逆變器。

2024-03-13 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 2402 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的...

2024-03-08 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2256 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2421 0

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件互連技術(shù) 1937 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
超級本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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