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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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采用Wolfspeed E-系列碳化硅MOSFET的電動(dòng)汽車充電解決方案
電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司于近日宣布,將在 AMP 電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。
2022-11-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車DC-DC碳化硅 575 0
Wolfspeed SiC TOLL MOSFET榮獲2022年全球電子成就獎(jiǎng)
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì),適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、電池...
碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?;仡櫫薙iC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)
11月4-7日,2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀...
Qorvo?與SK Siltron CSS宣布達(dá)成長(zhǎng)期碳化硅供應(yīng)協(xié)議
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltr...
碳化硅功率器件的封裝關(guān)鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇
目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式首先通過(guò)焊錫將芯片背部焊接在基板上,再通過(guò)金屬鍵合線引出正面電極...
森國(guó)科助力新能源領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展
2022年11月2日,一年一度的能源思享匯在蘇州盛大舉辦,來(lái)自新能源行業(yè)內(nèi)頂尖企業(yè)高管、專家學(xué)者及高端媒體代表等數(shù)百位嘉賓云集一堂,共話能源“熵減”,聚...
碳化硅器件制造工藝與傳統(tǒng)硅基制造工藝有什么區(qū)別
碳化硅作為一種化合物半導(dǎo)體,在自然界中極其稀有,以礦物莫桑石的形式出現(xiàn)。目前世界上銷售的碳化硅幾乎都是人工合成的。碳化硅具有硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好...
碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論Si...
芯片研發(fā)過(guò)程中的可靠性測(cè)試——碳化硅功率器件
作為高尖精的產(chǎn)品,芯片的可靠性測(cè)試貫徹始終,從設(shè)計(jì)到選材再到最后的出產(chǎn),那研發(fā)過(guò)程中具體需要做哪些測(cè)試呢?金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家了解一下。
瑤芯微完成數(shù)億元C輪融資,促進(jìn)高端功率器件及碳化硅產(chǎn)品研發(fā)
近日,瑤芯微電子科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瑤芯微”)完成數(shù)億元C輪融資。本輪融資由盛石資本、同創(chuàng)偉業(yè)聯(lián)合領(lǐng)投,參與資本方包括基石資本、美的投資等,...
Wolfspeed將向捷豹路虎下一代電動(dòng)車供應(yīng)SiC器件
Wolfspeed 先進(jìn)碳化硅(SiC)技術(shù)將在汽車逆變器中重點(diǎn)采用,管理從電池到電機(jī)的功率傳輸。首批采用 Wolfspeed 先進(jìn)碳化硅(SiC)技術(shù)...
今天開關(guān)的選擇多種多樣:IGBT 因其低傳導(dǎo)損耗而在非常高的功率下受到青睞,而 MOSFET 在中低功率下占主導(dǎo)地位,其快速開關(guān)可最大限度地減少相關(guān)組件...
2022-11-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 546 0
基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究,SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而,...
采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問(wèn)題,提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量,是“長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚、長(zhǎng)大”的核心技術(shù)方向之一。為了推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展,解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴,恒普...
IEGT是耐壓達(dá)4kV以上的IGBT系列電力電子器件,通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓,使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。
2022-11-02 標(biāo)簽:電力電子器件碳化硅功率半導(dǎo)體器件 2667 0
電動(dòng)汽車充滿了需要電力的電子設(shè)備,從牽引逆變器到車載充電器和輔助電源。在所有情況下,為了實(shí)現(xiàn)高效率,開關(guān)模式技術(shù)都用于生成電壓軌,這依賴于以高頻運(yùn)行的半導(dǎo)體。
2022-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體IGBT 877 0
漢京半導(dǎo)體完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,加速半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品研發(fā)
近日,遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“漢京半導(dǎo)體”)宣布完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,由浙商創(chuàng)投獨(dú)家投資。本輪融資將主要用于半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品的研發(fā)...
2022-11-01 標(biāo)簽:碳化硅漢京半導(dǎo)體 2543 0
第三代化合物半導(dǎo)體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大,它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源,汽車以及工業(yè)電力電子,在大功率轉(zhuǎn)換...
用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡(jiǎn)單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個(gè)傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器...
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