chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

jf_09965798 ? 來源:jf_09965798 ? 作者:jf_09965798 ? 2023-03-22 16:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。

pYYBAGQav2iAXt1rAAgHaYgFUdQ978.png

這款SiC MOSFET是專為汽車電子而設(shè)計(jì)的高可靠性、高品質(zhì)和高性能器件,具有高耐壓、大電流、低導(dǎo)通電阻等特點(diǎn),最大電流(Ids)為111A@25℃,工作溫度范圍是-55℃-175℃,非常適合新能源汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng),能顯著提高主驅(qū)系統(tǒng)的功率密度,減少磁性組件體積和重量,簡化電路設(shè)計(jì),從而顯著減少系統(tǒng)總成本。

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證,同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。

poYBAGQav6eAGzv1AAJXajMBN3s633.png

分立器件的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,主要參照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),約有 23項(xiàng)測試內(nèi)容,其中多項(xiàng)要求在高溫、高濕度等惡劣環(huán)境下,通過 1000 小時(shí)的嚴(yán)格測試后仍可正常工作,這表明產(chǎn)品能適應(yīng)復(fù)雜惡劣的車載應(yīng)用環(huán)境。

面向車載應(yīng)用市場,瞻芯電子已開發(fā)了一系列按車用標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SiC MOSFET,SiC SBD和柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品,如下表,其中標(biāo)藍(lán)色的5款產(chǎn)品已通過車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,還有部分產(chǎn)品大批量“上車”應(yīng)用。

poYBAGQav9iANSyyAAA617tKtl0442.png

pYYBAGQav72Adp2bAAAZ2A9oI8k166.png

此外,在近期上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的《長三角汽車電子芯片產(chǎn)品手冊(2022年)》中,有3款瞻芯電子開發(fā)的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品被收錄,包括:IV1Q12080T3Z, IV1D12040U3Z, IVCR1402DPQR。該手冊征集共收集了69家企業(yè)、13個(gè)大類符合車規(guī)級(jí)要求的215款產(chǎn)品。

瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司,建成了一座按車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SiC晶圓廠,將持續(xù)創(chuàng)新,放眼世界,致力于打造中國領(lǐng)先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9680

    瀏覽量

    233664
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9254

    瀏覽量

    148678
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3727

    瀏覽量

    69446
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52377
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    規(guī)級(jí)單通道低邊驅(qū)動(dòng)器SiLM27531M,助力GaN/SiC功率系統(tǒng)高效運(yùn)行

    ,SiLM27531M規(guī)級(jí)低邊單通道門極驅(qū)動(dòng)器。該產(chǎn)品支持30V供電,提供5A強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流與納秒級(jí)傳輸延遲,具備優(yōu)異的抗噪特性與負(fù)壓耐受能力,可高效、可靠地驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 01-07 08:07

    Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎(jiǎng)

    作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領(lǐng)者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)與 1200V 工業(yè)級(jí)、
    的頭像 發(fā)表于 12-22 17:32 ?649次閱讀

    1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

    1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 作為電子工程師,我們總是在尋找性能更優(yōu)、效率更高的器件和評(píng)估平臺(tái),以滿足不斷發(fā)展的電子系統(tǒng)需求。今天就來深入探討一下英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 12-21 10:45 ?598次閱讀

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:25 ?1990次閱讀

    又一國產(chǎn)SiC MOSFET上車!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,湖南三安半導(dǎo)體舉行了碳化硅芯片上車儀式,標(biāo)志著國產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)?;b車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-09 09:25 ?5310次閱讀

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:19 ?698次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

    1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?1218次閱讀

    加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,三安光電在投資者平臺(tái)上表示,其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在國內(nèi)頭部電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:18 ?8432次閱讀

    華為海思入局碳化硅!推出1200V規(guī)級(jí)SiC單管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品,ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4,導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和3
    發(fā)表于 07-27 07:12 ?2809次閱讀
    華為海思入局碳化硅!<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V</b>工<b class='flag-5'>規(guī)</b>級(jí)<b class='flag-5'>SiC</b>單管

    瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1267次閱讀
    瞻芯電子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量產(chǎn)交付應(yīng)用

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?903次閱讀
    基本股份B3M013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的產(chǎn)品力分析

    聞泰科技推出規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1309次閱讀

    AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生

    (Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品,旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比,該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí),其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
    發(fā)表于 05-07 10:56 ?834次閱讀
    AOS<b class='flag-5'>推出</b>第三代<b class='flag-5'>1200V</b> aSiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,專為高<b class='flag-5'>功率</b>應(yīng)用能效優(yōu)化而生

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 10:11 ?1439次閱讀

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性,還采用了先進(jìn)的表面貼
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?1162次閱讀
    Nexperia<b class='flag-5'>推出</b>高效耐用的<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)