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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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使用碳化硅MOSFET實(shí)現(xiàn)快速直流充電器
世界各國(guó)政府都在推動(dòng)私家車(chē)和商用車(chē)車(chē)主轉(zhuǎn)向更環(huán)保的替代品,例如電動(dòng)汽車(chē) (EV)。但是,進(jìn)行此更改的最大障礙之一是車(chē)輛續(xù)航里程問(wèn)題。大多數(shù)中低檔 EV ...
青銅劍技術(shù)碳化硅MOSFET模塊驅(qū)動(dòng)器2CP0335V33-LV100概述
碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性,發(fā)展勢(shì)頭迅猛?;谔蓟杼匦裕蓟栩?qū)動(dòng)器相較于硅器件驅(qū)動(dòng)器有其特殊要求,面臨不同的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)...
2022-12-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 2k 0
多家產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,瞻芯電子完成數(shù)億元Pre-B輪融資
上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”)宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本(上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái))...
據(jù)了解,東風(fēng)汽車(chē)總投資 2.8 億元的功率模塊二期項(xiàng)目目前正在加速推進(jìn)中。據(jù)悉,該項(xiàng)目一方面優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)線,提高 IGBT 模塊產(chǎn)量,另一方面開(kāi)辟兩條全新...
意法半導(dǎo)體(ST)推出五款新一代SiC MOSFET功率模組
相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅元件尺寸更小,可以處理更高的工作電壓,還有更快的充電速度及卓越的車(chē)輛動(dòng)力性能。除此之外,碳化硅還能提升性能及可靠性并延長(zhǎng)...
碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試
摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了...
2022-12-21 標(biāo)簽:IGBT碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.9k 0
汽車(chē)芯片生產(chǎn)商英飛凌的首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 最近在慕尼黑的一次活動(dòng)中就供應(yīng)發(fā)出了類(lèi)似的警告。“我確實(shí)預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間的短缺,”他說(shuō)。
2022-12-21 標(biāo)簽:碳化硅 2.1k 0
碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試技術(shù)剖析
第二點(diǎn)是,得到的測(cè)試結(jié)果是否滿(mǎn)足需求,或者說(shuō)“測(cè)得對(duì)不對(duì)”,還沒(méi)有判定標(biāo)準(zhǔn)。這主要源自大部分工程師對(duì)碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性還不夠了解,不具備解讀測(cè)試結(jié)果的能力。
2027年SiC晶圓需求量將達(dá)到110萬(wàn)片
Wolfspeed 材料高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 博士表示:“Wolfspeed 在碳化硅領(lǐng)域擁有無(wú)與倫比的經(jīng)驗(yàn)積累,從而在應(yīng)對(duì)快...
2022-12-21 標(biāo)簽:SiC碳化硅半導(dǎo)體芯片 1k 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1
SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場(chǎng)上以選用WOLFSPEED公司的碳化硅為主,但由...
筑波網(wǎng)絡(luò)科技 泰瑞達(dá)Teradyne合作深圳卓越半導(dǎo)體工程(EC)中心開(kāi)幕
筑波網(wǎng)絡(luò)科技與美商泰瑞達(dá)Teradyne合作,于12月15日舉辦深圳辦公室卓越半導(dǎo)體工程(EC)中心開(kāi)幕茶會(huì),將以Eagle Test System (...
碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍
與硅相比,SiC和GaN(不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體,而且作為材料本身)在品質(zhì)因數(shù)(εμeEc3)方面顯示出其出色的性能水平:SiC高440倍,GaN高1130倍。
意法半導(dǎo)體新碳化硅功率模塊提升電動(dòng)汽車(chē)的性能和續(xù)航里程
ST碳化硅解決方案讓主要的汽車(chē)OEM廠商能夠領(lǐng)跑電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)發(fā)競(jìng)賽,我們的第三代 SiC 技術(shù)確保功率晶體管達(dá)到理想的功率密度和能效,讓汽車(chē)實(shí)現(xiàn)出色的性能...
2022-12-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)意法半導(dǎo)體功率模塊 2.2k 0
? 風(fēng)雨兼程,匠心澆筑 產(chǎn)業(yè)巨著,榮耀封頂 2022年12月14日上午 隨著最后一方混凝土的合力澆筑 青銅劍科技大廈順利封頂! 標(biāo)志著項(xiàng)目建設(shè)取得階段性...
基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK
本文推薦基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時(shí)也可以減小變壓...
國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體新品NS62m功率模塊上線
在“雙碳”目標(biāo)背景下,我國(guó)電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)型,儲(chǔ)能作為靈活調(diào)節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔(dān)重任。而儲(chǔ)能逆變器是儲(chǔ)能系統(tǒng)中關(guān)鍵的一環(huán)...
Wolfspeed榮獲2022年度亞洲金選獎(jiǎng)“金選車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商”
我們很高興獲得這一榮譽(yù)。憑借 Wolfspeed 碳化硅(SiC)器件所提供的卓越性能、效率和續(xù)航里程,我們將助力全球朝著全電動(dòng)化交通未來(lái)轉(zhuǎn)型。具備能源...
2022-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)碳化硅Wolfspeed 786 0
碳化硅在車(chē)載領(lǐng)域的應(yīng)用方向及制造工藝流程
PVT法生長(zhǎng)非常緩慢,速度約為0.3-0.5mm/h,7天才能生長(zhǎng)2cm,并且最高也僅能生長(zhǎng)3-5cm,晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸,而硅基72h即可...
第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析
SiC(碳化硅)器件作為第三代半導(dǎo)體,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...
ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)
雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體...
2022-12-08 標(biāo)簽:ST意法半導(dǎo)體襯底 1.1k 0
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