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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景

自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后,整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒有停過,也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用,從而提高充電速度...

2022-09-02 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵碳化硅 2.3k 0

?碳化硅器件如何助力新能源汽車800V快速發(fā)展

新能源汽車800V時(shí)代的超強(qiáng)風(fēng)口到來 碳化硅器件市場(chǎng)需求上量“雙碳”成為各個(gè)國家的主要發(fā)展戰(zhàn)略,新能源汽車的節(jié)能減排成為落實(shí)“雙碳”的主要抓手之一,因此...

2022-09-02 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅電路控制 2.1k 0

新能源汽車800V高壓超充風(fēng)口將至!重金投資160億,三安光電碳化硅產(chǎn)線快速推進(jìn)

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 今年,標(biāo)配800V高壓充電的新能源汽車成為市場(chǎng)主流,小鵬G9配備了800V超充,充電5分鐘就可以跑200KM,技術(shù)上又進(jìn)步了,...

2022-09-02 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅三安光電 4.3k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅B1M080120HC助力光伏逆變器設(shè)計(jì)

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基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設(shè)計(jì)

2022-08-27 標(biāo)簽:逆變器光伏逆變器科銳 1.2k 0

800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益?

800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益?

汽車電動(dòng)化趨勢(shì)正在不斷加快。過去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場(chǎng)整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...

2022-08-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 2.9k 0

國內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國內(nèi)在碳化硅車型上,我們...

2022-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體比亞迪碳化硅 3.1k 0

國奧科技搶跑第三代半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)的兩大關(guān)鍵

第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯,市場(chǎng)需求加大,先進(jìn)封裝工藝及封測(cè)設(shè)備升級(jí)是降低成本、確保良率‘搶跑’封測(cè)市場(chǎng)的兩大關(guān)鍵。

2022-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅封測(cè) 2.7k 0

SiC正成為電動(dòng)汽車的“香餑餑”

理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地是理想汽車自研核心部件的戰(zhàn)略布局之一,主要專注于第三代半導(dǎo)體SiC車規(guī)功率模塊的自主研發(fā)及生產(chǎn),旨在打造汽車專用功率模塊...

2022-08-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.2k 0

安森美再一次明確了亞洲市場(chǎng)的重要性

吳桐表示,安森美未來的工作重點(diǎn)將放在電動(dòng)汽車和工業(yè)兩個(gè)領(lǐng)域。以電動(dòng)汽車為例,無論是主驅(qū)、充電、智能駕駛和車機(jī)娛樂系統(tǒng),或是域控制器等新概念,都需要基于相...

2022-08-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美碳化硅 1.4k 0

森國科碳化硅MOSFET-KM040120R的優(yōu)勢(shì)

2022世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國際半導(dǎo)體博覽會(huì)在南京盛大開幕!本屆大會(huì)廣泛邀請(qǐng)了國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)以及產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、科研、投資界代表出席,共同探討新環(huán)境、...

2022-08-24 標(biāo)簽:集成電路功率器件碳化硅 1.5k 0

SiC功率元件迎來快速發(fā)展期

國內(nèi)的晟光硅研(Lasic)成立于2021年2月,是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項(xiàng)目,技術(shù)團(tuán)隊(duì)包括來自西安電子科技大學(xué)、中國工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...

2022-08-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.5k 0

瑞能新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更快的充電速度

2022年9月6日-7日,瑞能半導(dǎo)體首席執(zhí)行官M(fèi)arkus Mosen先生將出席第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會(huì)(以下簡(jiǎn)稱:CISES)。此番,Markus...

2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1.3k 0

碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

主動(dòng)PFC是服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)(SSI)一致性的要求:供電模塊應(yīng)該采用帶主動(dòng)功率因數(shù)校正的通用電源輸入,從而可以減少諧波,符合EN61000-3-2和JEI...

2022-08-23 標(biāo)簽:肖特基二極管碳化硅 1.2k 0

碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料,引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時(shí)具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢(shì)。1)碳化硅擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 4.6k 0

以產(chǎn)業(yè)論:中國靠第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)換道超車了嗎?能否突破美國“枷鎖”?

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)日前,中國香港媒體的一篇報(bào)道引起了廣泛關(guān)注,文章的原標(biāo)題是《中國三代芯片換道超車,超越美國四方聯(lián)盟圍堵》。文章中有幾句...

2022-08-22 標(biāo)簽:碳化硅第三代半導(dǎo)體 3.6k 0

瑞森碳化硅功率器件,國產(chǎn)替代的助推器

瑞森碳化硅功率器件,國產(chǎn)替代的助推器

瑞森第三代碳化硅MOS 助力雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器高效率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)高達(dá)97%的能源效率

2022-08-15 標(biāo)簽:功率器件碳化硅半導(dǎo)體企業(yè) 1.7k 0

博世碳化硅助力汽車電動(dòng)化發(fā)展

近日,博世出席多個(gè)業(yè)內(nèi)技術(shù)研討會(huì),圍繞碳化硅產(chǎn)品和IP模塊發(fā)表技術(shù)演講,以“創(chuàng)新”為導(dǎo)向,首次公布第二代碳化硅產(chǎn)品信息及IP模塊最新解決方案。

2022-08-12 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅博世 1.7k 0

關(guān)于集成光子應(yīng)用的綜述文章

SiC在集成光量子芯片上研究也取得了重要進(jìn)展。SiC中的固態(tài)自旋色心光源具有優(yōu)異的自旋性質(zhì),近期,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)許金時(shí)團(tuán)隊(duì)利用離子注入制備的PL6色心...

2022-08-12 標(biāo)簽:集成電路晶圓碳化硅 2.2k 0

碳化硅為電力電子技術(shù)帶來了重大改進(jìn)

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體材料顯示出優(yōu)異的性能...

2022-08-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力電子技術(shù)碳化硅 810 0

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

2022-08-17 標(biāo)簽:MOSFET電力SiC 2.7k 0

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