chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瑞森碳化硅功率器件,國產(chǎn)替代的助推器

jf_19612427 ? 來源:jf_19612427 ? 作者:jf_19612427 ? 2022-08-15 11:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

瑞森半導(dǎo)體經(jīng)多年研發(fā),目前成功推出的第三代碳化硅功率器件產(chǎn)品,擁有強大的抗沖擊能力、優(yōu)良的溫度特性和開關(guān)特性,性能品質(zhì)比肩國外品牌,能大大增強應(yīng)用系統(tǒng)可靠性、顯巨提升效率和節(jié)省空間。

1.半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢

pYYBAGL5uIaADbFwAASPrwg4wBE299.jpg

2.半導(dǎo)體材料參數(shù)對比

需求:應(yīng)用于效率很關(guān)鍵的電力電子設(shè)備中。

優(yōu)勢:禁帶寬度是硅的3倍,臨界擊穿電場強度是硅的7-10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是硅的3倍。

效益:良好的高溫特性,耐高壓,實現(xiàn)電源系統(tǒng)小型化。

poYBAGL5uN2AK0yHAASFODW4SBI352.jpg

3.瑞森碳化硅功率器件產(chǎn)品

瑞森碳化硅功率器件產(chǎn)品包括 碳化硅二極管 和 碳化硅MOS 兩大系列。

碳化硅二極管產(chǎn)品系列

對標(biāo) Cree、Rohm、ST;

已成功量產(chǎn)650V~1700V(國內(nèi)領(lǐng)先); 3300V 試產(chǎn)中;

低VF,高浪涌電流耐量;

極小的反向恢復(fù)電荷,大幅降低開關(guān)損耗;

Trr溫度特性更加穩(wěn)定,利于高溫應(yīng)用;

軍用考核標(biāo)準(zhǔn):GJB33A-1997;民用考核標(biāo)準(zhǔn):GJB 7400-2011;

內(nèi)、外絕緣插件封裝、薄片貼片封裝(TO-252/263,DFN5*6/8*8); 應(yīng)用領(lǐng)域:PFC線路,太陽能/風(fēng)能發(fā)電用的DC/AC逆變器,不間斷電源UPS,植物大棚電源,遠洋漁業(yè)電源,新能源汽車充電樁等。

pYYBAGL5uSuAUOx7AANZYYrOTn8021.png

pYYBAGL5vS2Ae9sKAADWyraagbs1.image

pYYBAGL5vS6AesEHAABDHPCePe40.image

碳化硅MOS產(chǎn)品系列

產(chǎn)品優(yōu)勢 對標(biāo) Cree、Rohm、ST;

已成功量產(chǎn)650V,1200V,1700V;

采用溝道自對準(zhǔn)工藝制作,器件一致性優(yōu)異;

具有競爭力的Ronsp,與1代產(chǎn)品相比,Ronsp減小20%,與2代產(chǎn)品相比也具有競爭力;

產(chǎn)品規(guī)格:650V-1700V 30mΩ-1Ω;

應(yīng)用領(lǐng)域:太陽能逆變器,高壓DC/DC變換器,UPS,新能源汽車充電樁。

poYBAGL5vS6ALQQqAACDX4RT0F80.image

pYYBAGL5vS6AdeIDAABKx91-dik8.image

4.市場前景&應(yīng)用領(lǐng)域


碳化硅功率器件在太陽能光伏、新能源汽車和工業(yè)及商業(yè)電源三個領(lǐng)域已取得了較大進展。
國內(nèi)的通信設(shè)備供應(yīng)商也在基站電源開始采用第三代半導(dǎo)體材料。消費類電源方面,受成本影響,將會出現(xiàn)分化,價格敏感程度較低的應(yīng)用將接受度較高,但整體滲逶速度會比較慢。

pYYBAGL5vS-AQaRbAAILEmOYcPQ0.image

依據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研情況,在新能源汽車領(lǐng)域,每個充電樁需要碳化硅功率器件6只,新能源汽車大約需要碳化硅功率器件13只,到2020年,中國新能源 汽車年保有量按照500萬量計算,分散式充電樁 保有量480萬個。到2020年僅新能源汽車貢獻的碳化硅潛在市場空間就超過百億元。

pYYBAGL5vS-ASgq8AAEBWoDnbn05.image

5.碳化硅器件典型應(yīng)用

poYBAGL5vTCAGWyfAAC0ZgxvTI01.image

6. 瑞森研發(fā)方向

pYYBAGL5vTCAFSS9AASqPkLU6eQ3.image

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路研究院)與瑞森半導(dǎo)體就技術(shù)合作和產(chǎn)品開發(fā)等方面進行深入合作。瑞森半導(dǎo)體作為國家高新技術(shù)型企業(yè),也是少數(shù)幾家成功量產(chǎn)碳化硅二極管和碳化硅 MOS的國內(nèi)企業(yè)之一。通過與湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在功率半導(dǎo)體技術(shù)研究方向上的不斷深入合作,將極大提升瑞森產(chǎn)品的性能和可靠性,全面提升在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響力和市場占有率。

poYBAGL5vTGAPUepAAflroQ44cA5.image


審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2059

    瀏覽量

    94638
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3335

    瀏覽量

    51754
  • 半導(dǎo)體企業(yè)

    關(guān)注

    0

    文章

    11

    瀏覽量

    8842
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    傾佳電子市場報告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子市場報告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?153次閱讀
    傾佳電子市場報告:<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1132次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?704次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?815次閱讀

    深度分析650V國產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

    深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 11:15 ?450次閱讀
    深度分析650V<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的產(chǎn)品力及<b class='flag-5'>替代</b>高壓GaN<b class='flag-5'>器件</b>的潛力

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1015次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1179次閱讀

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1405次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET<b class='flag-5'>替代</b>硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?711次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?698次閱讀

    國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?887次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?1020次閱讀
    高頻電鍍電源<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>模塊<b class='flag-5'>替代</b>富士IGBT模塊損耗對比

    碳化硅功率器件的散熱方法

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:22 ?1195次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
    發(fā)表于 01-04 12:37