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基本半導(dǎo)體碳化硅B1M080120HC助力光伏逆變器設(shè)計

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2025-07-15 15:00:19960

博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1月,在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測試實(shí)驗(yàn)室,旨在面向本土市場,提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測試及驗(yàn)證能力,助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
2025-06-27 11:09:561064

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14

傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命

傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合逆變器和儲能變流器(PCS)已成為新能源系統(tǒng)
2025-06-25 06:45:05693

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28492

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步,具體體現(xiàn)在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixabay、Pexels單晶方面,碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57974

Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能

面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性,是電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、逆變器以及電機(jī)驅(qū)動的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
2025-06-13 09:34:061290

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54831

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體憑借其卓越的物理特性,正逐步取代
2025-06-09 07:07:17728

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單
2025-06-08 11:13:471096

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為碳化硅(SiC)領(lǐng)域的先驅(qū),Wolfspeed
2025-05-21 09:49:401086

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面向光、儲能等
2025-05-09 11:45:401019

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

破浪前行 追而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬

致以崇高的敬意!是你們的智慧與汗水,讓中國在第三代半導(dǎo)體變革浪潮中勇立潮頭;是你們的堅守與創(chuàng)新,為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,
2025-05-06 10:42:25490

深度分析650V國產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
2025-05-04 11:15:49525

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

蔓延,國產(chǎn)碳化硅逆變焊機(jī)或重蹈逆變器早期“價格戰(zhàn)自毀”覆轍,最終淪為技術(shù)史上的失敗案例。唯有通過強(qiáng)制可靠性標(biāo)準(zhǔn)(如嚴(yán)格的TDDB和HTGB)、建立全生命周期質(zhì)量追溯體系,并引導(dǎo)資本投向已驗(yàn)證技術(shù),才能挽救這一戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)。 1. 技術(shù)性能崩塌:SiC碳化硅
2025-04-14 07:02:35650

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:041275

麥科信隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進(jìn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在移動應(yīng)用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415534

東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價暴跌(單日跌幅超50%)、財務(wù)困境與德國30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競爭中
2025-03-31 18:03:08982

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較 特性 Si 4H-SiC GaN 禁帶能量(eV) 1.12
2025-03-12 11:31:09897

瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

近日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為、儲能和充電樁等應(yīng)用場景,提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。
2025-03-11 15:22:521250

安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發(fā)展歷程,不難看出國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強(qiáng)與突圍之路:從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291400

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 ? 圖
2025-02-22 13:55:371075

國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計方案

國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
2025-02-13 21:56:24914

碳化硅戶用工商業(yè)50kW并網(wǎng)逆變器設(shè)計方案

傾佳電子楊茜介紹全國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件(如BASiC基本股份)50kW逆變器設(shè)計方案: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)
2025-02-13 12:17:11731

PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 16:09:580

BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745

碳化硅MOSFET在家庭儲能(雙向逆變,中大充)的應(yīng)用優(yōu)勢

傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對比,并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M040065L在家庭儲能(雙向逆變,中大充
2025-02-09 09:55:56854

納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234

MPPT設(shè)計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比

系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)設(shè)計中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
2025-02-05 14:41:381157

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位錯、堆垛層錯等,會嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142515

碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
2025-01-24 09:15:483085

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032590

碳化硅半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiC)是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導(dǎo)體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132593

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢來襲

、高頻和高溫性能,正在成為逆變器、電動汽車充電樁等領(lǐng)域的核心技術(shù)。今天,我們?yōu)槟鷰硪豢铑嵏矀鹘y(tǒng)的產(chǎn)品——基本半導(dǎo)體面向工業(yè)應(yīng)用開發(fā)的PcoreTM2E2B工業(yè)級
2025-01-21 16:39:42787

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇,將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個步驟。
2025-01-09 10:31:47916

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。
2025-01-07 10:18:48917

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