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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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正海集團(tuán)與羅姆已同意組建合資公司,創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”,將于2021年12月在中國成立,正海集團(tuán)旗下的上海正海半導(dǎo)體科技...
在過去的幾十年中,全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
基本半導(dǎo)體為客戶開發(fā)具有兼容性汽車級碳化硅功率模塊
為提升新能源汽車整體性能,全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊,碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率,在降低電池...
2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅基本半導(dǎo)體 1.6k 0
相對于傳統(tǒng)硅(Si)元器件,碳化硅(SiC)技術(shù)的性能得到全面提升,包括:更低的功率損耗、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更高的功率密度、更高的整體效率。
瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器中的作用
國際能源署(IEA)估計,電機(jī)功耗占世界總電力的45%以上。因此,找到最大化其運(yùn)行能效的方法至關(guān)重要。能效更高的驅(qū)動裝置可以更小,并且更靠近電機(jī),從而減...
2022-08-02 標(biāo)簽:二極管電機(jī)驅(qū)動器碳化硅 597 0
碳化硅在汽車領(lǐng)域?qū)l(fā)揮怎樣的重要作用
半導(dǎo)體材料從以鍺(Ge)和硅(Si)為代表的第一代到以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代,再到目前熱門的以碳化硅(SiC)、氮化鎵(Ga...
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
雖然硅幾乎達(dá)到了它的理論極限,但碳化硅功率器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高度的可靠性和成熟度,在汽車領(lǐng)域提供了快速開關(guān)和前所未有的效率水平。本文基于PGC Consul...
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN,芯片...
降低半導(dǎo)體制造成本的一個關(guān)鍵方法是采用更大直徑的晶圓。Si CMOS 制造在 90 年代經(jīng)歷了 150 毫米到 200 毫米的轉(zhuǎn)變,隨后在十年左右的時間...
Sun to Wheels:用 SiC 為可再生未來提供動力
隨著世界朝著可持續(xù)、更綠色的未來邁進(jìn),許多國家正在減少化石燃料發(fā)電,轉(zhuǎn)而使用可再生能源。2010 年至 2020 年間,新的公用事業(yè)規(guī)模太陽能光伏 (P...
碳化硅器件正在幾個大容量功率應(yīng)用中取代其現(xiàn)有的硅對應(yīng)物。隨著 SiC 市場份額的持續(xù)增長,該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后一道障礙,包括高于 Si 器件...
我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 就這個不斷增長的市場進(jìn)行了交談。 使用電力驅(qū)動的車輛而不是化石燃料...
系統(tǒng)制造商對提高其設(shè)計的電源效率越來越感興趣。能源效率和降低成本的結(jié)合對于市場領(lǐng)導(dǎo)地位變得至關(guān)重要。從半導(dǎo)體材料的角度來看,這一領(lǐng)域已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)...
碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化...
不久前,SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的,但到了2018年,這些技術(shù)的優(yōu)勢開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項新技術(shù)成功背后的原因是什么? SiC 和 ...
CoolSiC MOSFET 電機(jī)驅(qū)動評估板
英飛凌科技為電機(jī)控制應(yīng)用開發(fā)了一款評估板,其中包括一個三相 SiC 模塊。特別是,它在電力驅(qū)動器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 C...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動碳化硅 2.1k 0
寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來,WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...
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