揚(yáng)杰科技：積極布局第三代半導(dǎo)體，已成功開(kāi)發(fā)多款碳化硅器件產(chǎn)品

圍繞第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)成果，揚(yáng)杰科技近日在互動(dòng)平臺(tái)上回應(yīng)稱：在碳化硅業(yè)務(wù)板塊，公司已組建高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，成功開(kāi)發(fā)出多款碳化硅器件產(chǎn)品，其中部分產(chǎn)品處...

2020-10-14 標(biāo)簽：碳化硅揚(yáng)杰科技第三代半導(dǎo)體 8236 1

長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂

據(jù)公告介紹，該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

2020-10-13 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 3830 0

上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式順利舉行

近日，由華大半導(dǎo)體和復(fù)旦大學(xué)共建的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲、上海市科委、復(fù)旦大學(xué)和華大...

2020-10-10 標(biāo)簽：功率器碳化硅華大半導(dǎo)體 3461 0

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)前景良好，將催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)

在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會(huì)專家紛紛表示，近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快，基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)...

2020-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 4047 0

三安集成：碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺(tái)，助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展

三安集成副總經(jīng)理?xiàng)罱　⒔瘕埿履茉纯偨?jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。

2020-09-29 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)功率器件碳化硅 1219 0

英飛凌 CoolSiC? 技術(shù)助力光寶科技推出80 PLUS 鈦金認(rèn)證的 SMPS 交換式電源供應(yīng)器

為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求，在 50% 負(fù)載條件下，115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率，另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。

2020-09-28 標(biāo)簽：MOSFET電源供應(yīng)器碳化硅 1114 0

Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體...

2021-01-09 標(biāo)簽：GaN碳化硅功率晶體管 3367 0

露笑科技借百億項(xiàng)目“進(jìn)軍”第三代半導(dǎo)體？

同時(shí)，露笑科技表示，公司承諾與相關(guān)投資方在雙鳳經(jīng)開(kāi)區(qū)內(nèi)注冊(cè)成立一家獨(dú)立核算的法人公司。該新公司在長(zhǎng)豐縣辦理工商注冊(cè)登記、銀行開(kāi)戶以及納稅、統(tǒng)計(jì)等，注冊(cè)資...

2020-09-22 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 2739 0

UnitedSiC與益登科技簽署分銷(xiāo)協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)

UnitedSiC宣布與益登科技（TWSE： 3048）簽署代理協(xié)議，將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車(chē)、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...

2020-09-17 標(biāo)簽：碳化硅益登科技UnitedSiC 2447 0

納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)即將召開(kāi)

來(lái)自中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)通知，10月28-30日，一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將隆重召開(kāi)！ 不管您是來(lái)自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...

2020-09-16 標(biāo)簽：納米技術(shù)mems碳化硅 2765 0

科銳正在推進(jìn)從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型

在科銳 (Cree, Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼: CREE)，我們正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...

2020-09-15 標(biāo)簽：科銳碳化硅 2713 0

汽車(chē)、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力，模塊化是其主要發(fā)展趨勢(shì)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，到2022年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10億美元。電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...

2020-09-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC碳化硅 8530 0

科銳在美國(guó)紐約建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠

美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進(jìn)從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...

2020-09-02 標(biāo)簽：LEDSic碳化硅 2724 0

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。

2020-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 1763 0

Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動(dòng)器和功率模塊工具包，助力開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)投產(chǎn)

Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開(kāi)發(fā)人員從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的步伐。

2020-09-01 標(biāo)簽：microchip逆變器功率模塊 1881 0

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1184 0

羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件

通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。

2020-08-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器碳化硅羅姆 1259 1