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使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

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2025-09-09 21:07:471000

傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動因

、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力
2025-09-07 14:57:042117

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對IGBT模塊的全面替代

、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子
2025-09-05 08:36:442199

傾佳電子行業(yè)洞察:中國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點與技術(shù)路線

傾佳電子行業(yè)洞察:中國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點與技術(shù)路線 一些曾被視為行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵瓶頸和熱點議題的技術(shù)挑戰(zhàn),例如柵氧可靠性問題以及作為過渡方案的SiC-IGBT混合器件,其在
2025-09-04 16:07:46583

BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹

BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
2025-09-01 16:16:110

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析

鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!
2025-09-01 11:32:272688

基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動板技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用價值深度分析

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表,其物理特性,如寬禁帶、高臨界電場和高熱導(dǎo)率,從根本上超越了傳統(tǒng)硅(Si)基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅實基礎(chǔ),尤其是在高壓、大功率和高頻應(yīng)用中。
2025-08-30 10:03:114774

深度分析SiC MOSFET在下一代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用價值

設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和
2025-08-26 07:34:301288

碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子市場推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略

國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET比如BASiC基本半導(dǎo)體代理商銷售經(jīng)理在電力電子市場推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略:國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET比如BASiC基本半導(dǎo)體代理商銷售經(jīng)理的角色從產(chǎn)品
2025-08-25 18:17:232582

碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢

,正逐漸取代硅(Si器件,在工業(yè)自動化、電力電子、能源轉(zhuǎn)換等多領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。本文將深入分析碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢、主要應(yīng)用場景及未來發(fā)展趨勢,幫助讀者全面了解SiC在工業(yè)領(lǐng)域的巨大潛力。
2025-08-25 14:10:301466

詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)

電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體,正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級,功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展,推動著封裝技術(shù)向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:122526

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競爭最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過對比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143565

森國科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

在如今的科技發(fā)展浪潮中,電力電子器件的性能對眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺的蓬勃發(fā)展,高壓兆充的快速布局,森國科及時推出
2025-08-16 15:44:473020

SiC+Si,全球8大混碳技術(shù)方案揭秘

知識星球,歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語:在2025年上海車展上,混合碳化硅(SiC)與硅(Si)基器件的混碳方案多次出現(xiàn)在我們的視野。這一技術(shù)通過巧妙的拓?fù)鋬?yōu)化與芯片級混合布局
2025-08-16 07:00:002374

SiC+Si混碳融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于SiC+Si多變量融合逆變器·從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析-原創(chuàng)文章,僅用于SysPro內(nèi)部使用,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇節(jié)選,完整內(nèi)容在知識
2025-08-15 08:32:323852

PPEC電源DIY套件:圖形化算法編程,解鎖電力電子底層算法實踐

PPEC 開關(guān)電源 DIY 套件是森木磊石推出的一種電力電子教學(xué)與實踐工具,專為高校教學(xué)、學(xué)生實踐及電子愛好者設(shè)計,旨在解決電力電子教學(xué)中“理論脫離實際”的痛點,深化電力電子教學(xué)改革,培養(yǎng)出更多
2025-08-14 11:30:35

SiSiC與GaN,誰更適合上場?| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng),素材來源:TMC現(xiàn)場記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
2025-08-07 06:53:441553

深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

SiC功率模塊在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用與優(yōu)勢

SiC功率模塊在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用與優(yōu)勢 SiC(碳化硅)功率模塊憑借其優(yōu)異的物理特性,正在革命性地提升電力電子系統(tǒng)的性能。以下是其在關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用分析: ? ? ? ? ? ? 1. 射頻電源
2025-07-23 09:57:15901

賦能超低功耗整流器設(shè)計,安世半導(dǎo)體推出 1200 V、20 A SiC 肖特基二極管

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,近年來在全球范圍內(nèi)快速崛起。SiC 的禁帶寬度是硅(Si)的 3 倍,擊穿場強(qiáng)達(dá) Si 的 10 倍,熱導(dǎo)率為 Si
2025-07-16 00:57:006703

SiC MOSFET的基本概念

Si器件,尤其是在高功率、高溫和高頻率應(yīng)用中。SiCMOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用正在推動電源轉(zhuǎn)換效率的提高,并助力實現(xiàn)更高效的電能管理。本文將詳細(xì)探討SiCMOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域、性能優(yōu)勢及未來發(fā)展趨勢。
2025-07-08 16:20:50823

顛覆能效極限!BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng)

顛覆能效極限!基本股份BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng) 在光伏逆變器呼嘯而轉(zhuǎn)、超級充電樁極速賦能、工業(yè)焊機(jī)火花飛濺的背后,一場由碳化硅技術(shù)引領(lǐng)的能源革命正悄然爆發(fā)
2025-07-08 06:29:15543

簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241467

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54831

Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素

Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152

SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用的秘密

-回答星友xuu的提問,關(guān)于SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識星球節(jié)選,完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布-1200+最新電動汽車前瞻技術(shù)報告與解析已
2025-06-01 15:04:40457

硅基時代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和平面高壓硅基MOS
2025-05-30 16:24:03932

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題

電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432259

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺跥aN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀,重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊

珠聯(lián)璧合,SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來 珠聯(lián)璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動板重塑電力電子行業(yè)價值
2025-05-03 15:29:13628

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能和電氣特性,越來越多地被應(yīng)用于高效能、高頻率
2025-04-17 16:20:38998

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

行業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施演進(jìn),為電力電子從“硅時代”邁向“碳化硅時代”提供底層支撐。 相關(guān)研究: L. Zhang, Z. Zhao, R. Jin, et al, \"SiC MOSFET
2025-04-08 16:00:57

Keithley高壓靜電計的SiC器件兆伏級瞬態(tài)擊穿特性研究

一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景 碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等
2025-03-31 13:36:51605

中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊

中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、市場、政策和信任危機(jī)等多重因素共同作用的結(jié)果
2025-03-28 09:50:49712

新型SIC功率芯片:性能飛躍,引領(lǐng)未來電力電子!

隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,對功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)作為一種第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率
2025-03-27 10:49:441194

中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊

、經(jīng)濟(jì)、政策及挑戰(zhàn)與應(yīng)對五大維度展開深度分析: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體
2025-03-21 08:19:15789

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21

GaN、超級SISiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2025-03-14 18:05:172381

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

電力電子器件的換流方式

由于采用電力電子器件作為開關(guān)器件,各支路間電流的轉(zhuǎn)移必然包含著電力電子器件開關(guān)狀態(tài)的變化,它包括關(guān)斷退出工作的已處通態(tài)的器件和接通進(jìn)入工作的原處斷態(tài)的器件。由于器件和電路元件都具有慣性,上述器件開關(guān)
2025-03-12 09:58:351320

SiC與GaN技術(shù)專利競爭:新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇

在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢,如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能夠在高溫下工作,使其特別適用于電動汽車(EV
2025-03-07 11:10:29953

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅(SiC器件電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價格首次低于進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊
2025-03-07 09:17:271320

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問題沒找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:152091

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111608

SiC器件封裝技術(shù)大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,以其耐高壓、高溫、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)異特性,在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢性能,封裝技術(shù)起著
2025-02-21 13:18:361795

BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延片的良品率,還可能對后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,對于提升Si
2025-02-10 09:35:39401

水冷負(fù)載:節(jié)能環(huán)保的測試新選擇

電力電子測試領(lǐng)域,負(fù)載是不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。隨著測試功率的不斷提升,傳統(tǒng)風(fēng)冷負(fù)載的能耗和噪音問題日益突出。水冷負(fù)載作為一種新型測試設(shè)備,憑借其高效的散熱性能和節(jié)能環(huán)保特性,正在逐步取代傳統(tǒng)
2025-02-07 11:11:11

VirtualLab Fusion應(yīng)用:AR&MR光波導(dǎo)器件的仿真研究

隨著增強(qiáng)現(xiàn)實和混合現(xiàn)實(AR&MR)領(lǐng)域新技術(shù)的出現(xiàn),使光學(xué)光波導(dǎo)越來越受歡迎。為了對此類結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模和設(shè)計,VirtualLab Fusion使用其強(qiáng)大的光波導(dǎo)工具箱,該工具箱允許
2025-02-06 08:56:14

負(fù)載電力系統(tǒng)測試中的應(yīng)用與優(yōu)勢

電力系統(tǒng)是現(xiàn)代社會的核心基礎(chǔ)設(shè)施,其穩(wěn)定性和可靠性直接關(guān)系到工業(yè)、商業(yè)和居民生活的正常運轉(zhuǎn)。為了確保電力系統(tǒng)在各種工況下都能高效運行,負(fù)載作為一種重要的測試設(shè)備,被廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)的測試和驗證中
2025-02-05 16:39:32

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

傾佳電子楊茜向您拜年:以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來!

吉祥如意、事業(yè)蒸蒸日上!以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來! 回首2024年,我們共同見證了電力電子產(chǎn)業(yè)的革新浪潮。在“雙碳”目標(biāo)的引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)技術(shù)以勢如破竹的姿態(tài),加速替代傳統(tǒng)IGBT模塊,推動行業(yè)向高效、緊湊、低碳
2025-01-28 13:27:00742

使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設(shè)計人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253

國產(chǎn)首款高壓抗輻射SiC功率器件完成空間驗證并實現(xiàn)在軌電源系統(tǒng)應(yīng)用

功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心,被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟,是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。隨著硅(Si)基功率器件的性能逼近極限,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,以禁帶寬
2025-01-23 17:19:26985

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572638

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

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